C2（a 3Πu）+NO 的反应机理研究

在G2 (CC ,MP2 )理论水平上研究了C2 (a3 Πu)自由基与NO分子的反应 .计算了反应体系最低二重态势能面上各驻点的构型参数、振动频率和能量 ,揭示了此反应存在两种反应机理 :由NO中的O原子进攻C2 自由基形成CCON中间体的CCON机理和NO中的N进攻C2 自由基形成CCNO中间体的CCNO机理 ,分析了对应与这两种反应机理的五个可能的反应通道 ,得出了由NO中的N原子进攻3 C2 自由基 ,生成中间体CCNO自由基 ,最终得到产物CN +CO的通道是最有利的通道 .     

完全Rees矩阵半群的分解及性质

用等价关系Q^~出了完全Rees矩阵半群的一种分解．而且得到了它的每个Q^~一类的表示．     

LOCAL SPECTRA OF UNILATERAL OPERATOR WEIGHTED SHIFTS

In this note, the local spectral properties of unilateral operator weighted shifts arestudied.     

PLD法生长n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结的电学性能研究

用高功率脉冲激光轰击Zn1-xCoxO,得到锌、钴和氧的原子、分子和团簇等混合体,并在p型单晶Si表面反应生成n型Zn1-xCoxO.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)研究表明,这层材料是结构致密均匀、呈c轴高度择优取向的薄膜,与p型Si材料形成n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结.在Zn1-xCoxO中加入H,生成了Co-H-Co聚合体,异质结的势垒高度随着Co含量的增加而增加,同时深能级的Co-d轨道捕获作为浅施主的间隙H提供的电子,造成的体系n型半导体层的载流子浓度降低,电阻率提高,使得n-Zn1-xCoxO/p-Si异质结在6.5V时漏电流降致6×10-3 mA,反向击穿电压超过20V,电学性能得到显著改进.     

P(α,α′)πN反应中N(1440)激发的蒙特卡罗研究

在P(α,α′)πN反应的几种反应机制中研究N^*(1440)激发, 利用蒙特卡罗模拟的办法重现N^*(1440)共振峰的位置, 我们在给定入射能量情况下模拟出末态各出射粒子的动量, 角分布情况. 计算结果可以在πN的不变质量谱中观察到明显的N^*(1440)共振峰, 同时达里兹图中在πN系统能量平方为2100MeV²附近事件分布密集, 而别的组态却没有观察到这些情况, 这都说明了πN共振粒子N^*(1440)的产生.     

sl玻色子体系在U(2l+1)O(2l+2)过渡区的严格解

利用无穷维李代数方法得到了相互作用sl玻色子体系在U( 2l+ 1 ) O( 2l+ 2 )过渡区的能谱和波函数的严格解 .给出了该系统Bethe假定方程的数值解法 .     

Slutsky定理在样本分位数的极限分布证明上的应用

为了更好地理解和应用样本分位数的极限分布,利用Slutsky定理,推导了样本分位数的极限分布.     

$M$-半群的直觉$(S,T)$-模糊$M$-子半群的性质

K.T.Atanassov在1986年首先引入直觉模糊集的概念,本文利用s-范数和t-范数,引入M-半群的直觉(S,T)-模糊M-子半群的概念,刻画其性质和特征,我们再进一步给出了直觉(S,T)-直积的概念,并由此探讨了一些有意义的相关结论。