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981.
本文综述了制备TiO2薄膜的各种方法,详细介绍了阳极氧化法制备TiO2多孔膜的进展,在非含氟电解液体系中,对纯钛进行阳极氧化处理可制得表面呈无规则生长的多孔膜结构;在含氟电解液体系中,则可自组织形成高度有序的TiO2纳米管阵列,并指出阳极氧化法是可在常温低压下进行、操作工艺简单、薄膜性能稳定、再现性好的一种最具工业化应用潜力的制备方法。  相似文献   
982.
By the UV-curing method, a porous TiO2 film with net-like framework has been prepared. The characte-rization results of the porous TiO2 film by means of SEM, TEM, XRD, and N2 adsorption-desorption analysis show that the net-like framework of the porous TiO2 film is composed of TiO2 nanoparticles, forming three dimensional porous structure. The porous TiO2 film exhibits higher photocatalytic activity for the degradation of methylene blue(MB) dye compared with the conventional dense TiO2 film.  相似文献   
983.
以苯并-1,3-二硫杂环戊烯为原料,通过金属化反应以及锂化二硫杂环戊烯与氯代硅烷反应合成了系列2-硅烷基取代苯并-1,3-二硫杂环戊烯化合物.测定了化合物的氧化电位,发现硅的引入导致苯并-1,3-二硫杂环戊烯的氧化电位明显降低,给体的给电子能力增强.  相似文献   
984.
王锐 《化学研究》2009,20(2):79-82
用硅钨酸分别与硝酸铜、硝酸锌和硝酸铝采用复分解法合成了相应的硅钨酸盐.结合红外光谱、紫外光谱和热重等分析手段对这三种硅钨酸盐结构进行了表征,并考察了三种硅钨酸盐在醇的四氢毗喃化反应中的催化性能.结果表明:用0.7g具有Keggin结构的硅钨酸盐作催化剂,在室温无溶剂条件下,催化二氢吡喃(33mmol)与醇(30mmol)的反应,反应条件温和,工艺简单,催化效果好,无副产物生成.  相似文献   
985.
ICP-AES法测定1J22软磁材料中的锰、硅、镍、铜、钒   总被引:1,自引:0,他引:1  
用电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP)测定软磁材料1J22中的锰、硅、镍、铜、钒.通过试验选择了适宜的测试条件,针对1J22软磁材料中常见元素对锰、硅、镍、铜、钒谱线的光谱干扰选择了合适的分析谱线,并进行了精密度和准确度试验.选用Mn 257. 610 nm、Si 251. 611 nm、Ni 351. 505 nm、Cu 224. 700 nm、V 292. 402 nm为分析线时.合成溶液的回收率为92. 0%~114. O%,RSD为0. 33%~7. 73%(n=6).本方法适合1J22软磁材料中锰、硅、镍、铜、钒元素的测定.  相似文献   
986.
粉末注射成形坯是一种具有分形特性的典型的多孔介质,借助于多孔介质孔隙结构的分形理论,对粉末注射成形坯孔隙率的分形模型进行推导。首先分析了粉末注射成形坯孔隙结构的双重分形特性,介绍了粉末注射成形坯孔隙分布分形维数和孔隙迂曲分形维数,然后推导出粉末注射成形坯孔隙度的分形模型。  相似文献   
987.
多孔阳极氧化铝薄膜光学常数的确定   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
根据多孔阳极氧化铝(AAO)薄膜的实验透射谱(200—2500nm),采用极值包络线算法确定其光学常数,并由此较精确地计算出AAO薄膜样品在该波段的光学常数.结果表明,多孔氧化铝薄膜表现出直接带隙(能隙约4.5eV)半导体的光学特性,且其光学常数与制样中的重要工艺参数阳极氧化电压有显著的相关性,即随阳极氧化电压的增加,AAO薄膜的厚度、折射率和光学能隙变大,消光系数减小.同时,计算得到的薄膜厚度与实测值相吻合,则说明计算结果和实验值是自洽的. 关键词: 薄膜光学 光学常数 多孔阳极氧化铝 阳极氧化电压  相似文献   
988.
分析了壁面具有不同渗透的涨缩管道内微极性流体的流动.对于壁面的胀缩,考虑常系数和时间函数的膨胀率两种情况.对于第1种情况,应用同伦分析方法得到该问题的速度和微旋转角度的表达式.并且画图分析了各个不同参数,特别是膨胀系数和不同的渗透率对流体的动力特征的影响.可以得到第1个重要的结论:壁面的膨胀率和不同的渗透对流体的动力特征有重要的影响.根据Xu的模型,考虑了第2种也是更具有一般性的情况,假设壁面的膨胀率随时间的变化而变化.在这样的假设下,控制方程被转化成非线性偏微分方程,并且同样也可以应用HAM方法进行求解.应用代数和指数的模型来描述膨胀率从初始状态到最终状态的演变过程.然而,结果表明包含有时间的解很快地趋向于稳态的解.这样可以得到第2个重要的结论,时间在壁面的膨胀收缩中扮演着次要的角色,可以忽略不计.  相似文献   
989.
分析了化学反应,对流过半无限竖直多孔板的、粘性耗散的、非定常的磁流体流动的影响.利用随时间变化的相似参数,将运动、能量、溶质的控制方程变换为常微分方程,并用有限单元法数值地求解所得到的常微分方程.用图形给出了不同参数对速度、温度和浓度分布的影响,用表格给出了不同物理参数值时,表面摩擦力、Nusselt数和Sherwood数的数值.  相似文献   
990.
利用基于紧束缚势(TB)的分子模拟方法研究了硅中90度部分位错双周期(DP)结构的运动特性.详尽描述了该结构的左弯结和右弯结在一个周期内的运动过程.利用共轭梯度(conjugate gradients:CG)法计算得到了DP结构中左、右弯结的形成能.另外,在弯结运动过程的基础上,利用NEB(nudged elastic band)方法计算出了左、右弯结在一个运动周期内的迁移势垒,并且发现Si中90度部分位错的运动主要受弯结迁移势垒的控制.最后,根据位错运动的活化能理论分别得到了决定90度部分位错运动的长位错段和短位错段的活化能.  相似文献   
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