CO（ a）+ NO（X）传能体系中的新传能通道

在相对碰撞平动能为 0 .0 5eV的分子束实验条件下 ,研究了亚稳态CO(a) +NO(X)的E E传能通道 .通过测量和分析交碰区的传能发射光谱 ,在 780和 860nm处观测到了NO(b -a)跃迁Ogawa带的△v =+ 4和△v =+ 3序的发射光谱 .从而首次在实验上直接证实了传能过程中第四通道的存在 (CO (a) +NO(X)→CO (X) +NO(b) ) .这一通道的发现解释了前人测量到的在CO(a)与NO(X)碰撞传能过程中CO(a)的猝灭速率远大于NO(A ,B)生成速率的实验结果 ,并进一步证实了这一“经典”E E传能体系为电子交换机理的传能观点     

木星周围发现水蒸气环

 美国天文学家在木星周围发现一个巨大水蒸气环,美国霍普金斯大学科学家对卡西尼探测器飞近木星时传回数据的处理结果作出结论,木星周围出现水蒸气是由于微陨星经常撞击木卫二冰面的结果,木卫二是木星最大卫星之一。根据发表在《自然》杂志上的研究结果,在发现的水蒸气环中气团质量可与另一颗卫星---木卫一表面喷溅的气体质量相比拟。木卫二的强烈的火山活动被厚冰层所覆盖,冰层下面存在有液态海水,木卫二对于研究人员来说非常神秘。     

Dynamic Behaviour of Nanoscale Electrostatic Actuators

The dynamic behaviour for nanoscale electrostatic actuators is studied. A two parameter mass-spring model is shown to exhibit a bifurcation from the case excluding an equilibrium point to the case including two equilibrium points as the geometrical dimensions of the device are altered. Stability analysis shows that one is a stable Hopf bifurcation point and the other is an unstable saddle point. In addition, we plot the diagram phases, which have periodic orbits around the Hopf point and a homoclinic orbit passing though the unstable saddle point.     

静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究

由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐。利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小,与以前报道的温度、电场等调谐方式相比,这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度,而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合,得出了正确的Rabi分裂值。     

向量优化问题广义有效点的一个存在性定理

利用集值映射不动点定理及最优化问题与变分不等式的关系给出线性G^↑ateaux可微的锥凸映射的广义有效点的一个存在性定理。     

微尺度效应对螺旋槽干气密封性能的影响

本文引用考虑微尺度效应的雷诺方程,推导出了考虑微尺度效应的螺旋槽干气密封内部流动的近似算法。应用本文提供的算法对文献中干气密封的不同实验工况进行了计算,与相应的实验数据对比,计算结果和实验结果基本符合;切向动量调节系数σv对计算结果在尺度越小时影响越大;考虑微尺度效应时开启力的计算结果更趋于实验数据。     

微扰影响下组合孤波的传输稳定性研究

针对最近发现的高阶非线性薛定锷方程的组合孤波解，我们数值研究了它在受到包括幅度偏离、参数条件偏离以及随机噪声等不同初始扰动后的传输特性。结果表明一定的精确脉冲在不同的扰动下有类似的稳定趋势。     

微通道板及其发展趋势

回顾微通道板发展历史及各阶段的主要技术特征。综述自90年代以来国内外微通道板的研发和生产情况．     

准一维电子通道中声电电流的理论计算

表面声波在GaAs/Al _x Ga_1-x As异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传 播时，在通道中诱导产生声电电流.采用WKB近似，计算了只有一个电子被量子阱俘获时的声电电流；并在此基础上，详细讨论了表面声波的频率和功率，以及门电压和源漏偏压对声电电流的影响. 关键词： 表面声波 准一维电子通道 量子阱 声电电流     

Modified Photoluminescence by Silicon-Based One-Dimensional Photonic Crystal Microcavities

photoluminescence (PL) lrom one-dimensional photonic band structures is investigated. The doped photonic crystal with microcavitles are fabricated by using alternating hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H/a-SiNy:H) layers in a plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) chamber. It is observed that microcavities strongly modify the PL spectra from active hydrogenated amorphous silicon nitride (a-SiNx:H) thin film. By comparison, the wide emission band width 208nm is strongly narrowed to 11 nm, and the resonant enhancement of the peak PL intensity is about two orders of magnitude with respect to the emission of the λ/2-thick layer of a-SiNx:H. A linewidth of Δλ=11 nm and a quality factor of Q=69 are achieved in our one-dimensional a-SiNz photonic crystal microcavities. Measurements of transmittance spectra of the as-grown samples show that the transmittance resonant peak of a cavity mode at 710nm is introduced into the band gap of one-dimensional photonic crystal distributed Bragg reflector (DBR), which further verifies the microcavity effects.