玻璃波导光功分器的研制

本文报道了Na^ —Tl^ 离子交换的K9玻璃衬底光功分器（工作波长为1.55μm），分析设计和器件的制作，并对制作的器件进行了模式损耗测试。结果表明，器件达到了预定的要求。     

Quark Virtuality and QCD Vacuum Condensates

Based on the Dyson-Schwinger equations (DSEs) in the ‘rainbow‘ approximation, we investigate the quark virtuality in the vacuum state and quantum-chromodynamics (QCD) vacuum condensates. In particular, we calculate the local quark vacuum condensate and quark-gluon mixed condensates, and then the virtuality of quark. The calculated quark virtualities are λu,d^2 0.7 GeV^2 for u, d quarks, and λs^2=1.6 GeV^2 for s quark. Our theoretical predictions are consistent with empirical values used in QCD sum rules, and also fit to lattice QCD predictions.     

一类三参数混沌动力学系统模型及其在经济增长研究中的应用

从非线性自回归模型Xt+1=-αXtλ+1+βXt+γ出发,通过变量替换Xt=aYt,推出三参数混沌动力学系统模型Yt+1=kYt(1-Ytλ)+c;采用线性回归与非线性回归相结合的改进的混合法,对模型参数作了估计;实际研究表明,该模型可以用于对国内生产总值GDP增长的研究.     

聚甲醛结晶动力学研究

用解偏振光强法和差示扫描量热法（ＤＳＣ）分别研究了聚甲醛和聚甲醛助剂Ｐ的等温结晶动力学和非等温结晶动力学。探讨了助剂Ｐ对聚甲醛的结晶成核作用。     

通过珠算游戏增强学习兴趣（续）

(三)珠算除法游戏 (17)凤凰左展翅。第一种方法是:先拨入“14814”作为被除数,分别用2、3、4、5四个数作为除数,挨次去除,得商数“12345”。 第二种方法是:先拨入“3733128”作为被除数,分别用6、7、8、9四个数作为除数,挨次去除,也得商数为“12345”。     

上海光源储存环磁聚焦结构设计

上海光源是一台正在建设中的低发射度第三代同步辐射光源. 经过优化后, 储存环有两种直线节长度, 周长432m,在能量3.5GeV下束流发射度为3.9nm.rad, 直线节处的β函数和色散函数有足够的调节范围. 跟踪研究表明, 即使带上磁铁高阶场误差, 储存环仍有足够大的动力学孔径和能量接受度.     

Cauchy-Born Rule and the Stability of Crystalline Solids： Dynamic Problems

We study continuum and atomistic models for the elastodynamics of crystalline solids at zerotemperature.We establish sharp criterion for the regime of validity of the nonlinear elastic wave equationsderived from the well-known Cauchy-Born rule.     

二维随机激光器的模式选择及阈值与饱和特性

基于将Maxwell方程与四能级原子系统速率方程相结合而建立起随机激光时域理论，并利用有限时域差分法，研究了二维随机介质中激光模式的输出特性与介质尺寸、外形及抽运速率等参数的关系.结果表明，与传统激光模式相似，随机激光模式的强度随抽运速率的变化不仅具有阈值特性，而且具有饱和特性.基于模式特性对介质及抽运参数的依赖关系，提出了二维随机激光器的选模方式，在很大程度上不同于传统激光器的选模方式. 关键词： 随机激光器 模式选择 无序介质中的光学特性     

磁控溅射ZnO薄膜的成核机制及表面形貌演化动力学研究

利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征，研究了射频反应磁控溅射条件 下，ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现，ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片，三个成核阶段的生长指 数分别为β₁=1.04，β₂=0.25±0.01，β₃=0.74；对 于Si(11 关键词： ZnO薄膜 磁控溅射 生长动力学 成核机制