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181.
182.
Partial generalized oscillator strength densities of CO molecules related to the excitation of a 5σ or 1π electron are calculated by using multi-scattering self-consistent-field methods.Momentum transfer dependence of two types of the broad enhancement phenomena above the threshold with one-electron character,i.e. shape resonance and non-resonance enhancement,is studied.Our calculations show that the energy position of a non-resonance enhancement is related to the momentum transfer K.Therefore,electron impact based experiments can be used to identify the two types of the broad enhancement phenomena.  相似文献   
183.
高斯束激光摇摆场中的电子运动轨道分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
江少恩 《物理学报》1997,46(2):293-299
对高斯束激光摇摆场中的电子运动轨道进行了分析.推导出轴向导引磁场与反向传播的激光摇摆场作用下的单粒子电子运动轨道,并对轨道的稳定性进行了分析.发现当瑞利长度较大时,得到的结果与平面电磁波摇摆场的结果相一致.与静磁摇摆场的自由电子激光相似,在激光摇摆场中的电子轨道也存在两类分立轨道,但是,与静磁摇摆场不同的是,这两类轨道都是稳定的 关键词:  相似文献   
184.
张发明 《应用数学》1998,11(2):9-16
利用指数二分性理论和泛函分析方法,我们研究了自治奇摄动系统的同,异宿轨道的存在性,给出了高维奇摄动系统从退化系统分支出同异宿轨道的Mel-nikov型函数。  相似文献   
185.
众所周知,四阶以上辛群中指数型道路的Maslov指标可以取任意整数.本文给出了二阶辛群中指数型道路的分类及其Maslov指标的取值范围,指出了与高阶情形的不同之处.  相似文献   
186.
李永明  王国俊 《数学学报》1998,41(4):731-736
从整体角度出发,证明拓扑空间范畴Top分别是拓扑Fuzz范畴TopFuzz与拓扑分子格范畴TML的反射与余反射满子范畴,TopFuzzy是TML的反射与余反射(非满)子范畴。  相似文献   
187.
通过采用预估校正的时域有限差分法求解麦克斯韦-布洛赫方程,我们研究了飞秒激光脉冲在三能级有机分子(4,4-二甲氨基二苯乙烯分子)介质中传播时脉冲的频谱演化情况.在单光子共振情况下,即入射脉冲频率等于1、2能级之间的共振频率,对大面积入射脉冲,由于强的二次激发的作用,电场频谱中出现了在ω32附近振荡的频率成分,ω32是2、3能级之间的共振频率,说明对大面积入射脉冲二能级模型已经失效,需要采用多能级模型来描述分子介质.在双光子共振情况下,即入射脉冲频率等于1、3能级之间的共振频率的一半,由于介质中放大的自发辐射和四波混频的作用,部分入射脉冲能量转化为高频和低频电场成分的能量,分子介质表现出了很强的光功率限幅特性.  相似文献   
188.
HL-2A is the first tokamak with divertor in China. The objectives of HL-2A are to produce more adaptable divertor configurations to study energy exhaust and impurity control, and to study enhanced core plasma confinement by profile control and moderate plasma shaping. HL-2A has well optimized operational flexibility and excellent accessi-bility for the diagnostic systems to facilitate various plasma experiments.  相似文献   
189.
李大华 《应用数学》1989,2(3):49-58
本文应用隐函数定理及Liapunov-Schmidt过程,讨论了二维无界区域中三分子模型的分歧问题,证明了在临界参数值附近定态分歧解的存在性,而这些分歧解关于x是周期的。  相似文献   
190.
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具. 关键词: 分子束外延生长 高电子迁移率超高速微结构功能材料 深中心  相似文献   
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