全文获取类型
收费全文 | 2012篇 |
免费 | 1123篇 |
国内免费 | 530篇 |
专业分类
化学 | 617篇 |
晶体学 | 51篇 |
力学 | 186篇 |
综合类 | 37篇 |
数学 | 64篇 |
物理学 | 2710篇 |
出版年
2024年 | 26篇 |
2023年 | 79篇 |
2022年 | 93篇 |
2021年 | 85篇 |
2020年 | 54篇 |
2019年 | 77篇 |
2018年 | 67篇 |
2017年 | 70篇 |
2016年 | 68篇 |
2015年 | 95篇 |
2014年 | 174篇 |
2013年 | 172篇 |
2012年 | 140篇 |
2011年 | 172篇 |
2010年 | 167篇 |
2009年 | 158篇 |
2008年 | 221篇 |
2007年 | 169篇 |
2006年 | 171篇 |
2005年 | 171篇 |
2004年 | 183篇 |
2003年 | 128篇 |
2002年 | 129篇 |
2001年 | 115篇 |
2000年 | 73篇 |
1999年 | 63篇 |
1998年 | 76篇 |
1997年 | 60篇 |
1996年 | 65篇 |
1995年 | 60篇 |
1994年 | 50篇 |
1993年 | 39篇 |
1992年 | 42篇 |
1991年 | 36篇 |
1990年 | 39篇 |
1989年 | 41篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 9篇 |
1986年 | 5篇 |
1985年 | 5篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 5篇 |
1936年 | 1篇 |
排序方式: 共有3665条查询结果,搜索用时 93 毫秒
41.
利用电磁理论对表面传导电子发射显示器件的单个子像素在笛卡尔坐标系内建立合理的电学物理模型,对内部电场强度和电势进行了深入研究,推导出了模型不同部分的面电荷密度、电场强度和电势的表达式.为了形象地表征其电学特性,利用MATLAB 6.5对电场强度和电势的分布情况进行了模拟,从理论上对模拟曲面给出了合理的解释,分析了子像素内部电子的发射机理和电学行为,并与电子多重散射模型和惯性离心模型进行了对比,解释了SED阳极电流形成的重要原因.在误差允许的范围内,本模型有关电场强度分布的结论与惯性离心模型一致.
关键词:
表面传导电子发射显示
遂穿效应
面电荷密度
电场强度 相似文献
42.
对短程飞行时间法(tim e-of-flight,TOF)中推算冷原子温度的理论拟合公式与近似拟合公式进行了误差分析与比较。研究表明:对于使用短程飞行吸收光谱信号推测冷原子团温度,当探测光光斑半径与冷原子团高斯半径之比k小于0.2时,理论拟合公式和近似拟合公式能很好的相符,随着探测光光斑半径与冷原子团高斯半径比值的逐渐增大,用近似拟合公式所得TOF吸收信号与用理论拟合公式所得TOF吸收信号的误差也将逐渐增大,当比值为0.5时,用近似拟合公式所得TOF吸收信号的误差将增大到20%。 相似文献
43.
44.
45.
本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。 相似文献
46.
超冷分子的产生对于量子信息、分子物理和分子化学具有重要的意义。本文通过介绍超冷分子的研究进展,主要分析了光缔合产生超冷分子的特点与物理机制,详细介绍了光缔合产生冷分子过程中的光谱测量方法。 相似文献
47.
三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行. 相似文献
48.
49.
50.
本文导出了考虑外场和束流效应后束流均方根发射度平方变化方程的一般表达式,并就仅考虑外场,仅考虑空间电荷场和仅考虑尾场等三种特殊情况进行了分析。 相似文献