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本文利用Liapunov-Schmidt方法获得了高维自治系统在共振情况下决定周期解个数的分支函数,并通过计算分支函数的主项,分析分支函数的零点,研究了具两对共轭特征根的四维系统多个周期解的共振分支问题. 相似文献
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用含温度的Heartree-Fock方程及线性响应理论计算了208Pb在不同温度下的电偶极和电四极巨共振的强度分布.结果表明,随着核温度的升高,巨共振峰展宽并向低能端移动. 相似文献
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有机薄膜器件负电阻特性的影响因素 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了影响有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的因素,为探索有机负电阻的机理提供实验依据。实验中制备了多种有机染料掺杂聚合物薄膜器件,研究了有机小分子染料、聚合物基体、薄膜组成及厚度、ITO和聚苯胺阳极等对有机染料掺杂聚合物薄膜器件负电阻特性的影响。在室温、大气环境下,所制备的多种有机染料掺杂聚合物器件在所加电压为3~4V时,观察到明显的负电阻特性,电流峰谷比最大约为8。负电阻现象及峰谷比的大小受膜厚和器件的结构、制备工艺等影响。提出用负电阻和二极管并联组成的等效电路模型解释影响负电阻特性的因素,认为负电阻特性与载流子的不平衡注入有关。在此基础上设计、合成了主链含唔二唑电子传输基团的可溶性聚对苯撑乙烯衍生物,该聚合物兼具空穴和电子传输功能,在空气中具有较稳定的N型负电阻特性。进一步控制相关材料和工艺条件,有可能得到易于控制的负阻效应,开发出新型的有机负电阻器件。 相似文献
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在研究大量实验曲线的基础上,指出势阱所有能级均有一定的宽度,电子或空穴在各能级中出现的概率符合正态分布,从理论上分析了I类超晶格和双势垒单势阱的发光光谱与吸收光谱·解释了GaAs/Ga1-xAlxAs多量子阱和超晶格吸收光谱吸收边及量子阱变窄时各吸收峰的“蓝移现象”及GaAs/Ga1-xAlxAs双势垒单量子阱样品的电流—电压特性曲线及电导—电压特性曲线的特征和出现的“负阻效应”· 相似文献
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利用含参紧向量场的解集连通理论,研究一类椭圆方程共振问题在λ_k为多重特征值时的可解性,我们推广了[1]、[2]中的一些结果。 相似文献
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电子计算机的诞生与发展,极大地推进了现代科学技术的发展。从第一台计算机诞生到今天,计算机已经历了四代,而四代机的划分是以电子器件的换代为主体特征。电子管的发明和第一代电子管数字计算机(1946~1958年)1883年,美国发明家爱迪生(T.A.Edison,1847~1931)发现了热的灯丝发射电荷的现象,并被称之为“爱迪生效应”。1889年,英国著名物理学家汤姆孙(J.J.Thomson,1856~1940)解释了这种现象,并把带电的粒子称为“电子”,同年,英国伦敦大学电工学教授弗莱明(S.J.A.Fleming,1849~1945)开始认真研究爱迪生效应,并且于1904年研制出检测电波用的 相似文献
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