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991.
设计了基于VXI总线的中频数字化短波雷达接收机,用于相位编码脉冲压缩雷达体制的新型电离层斜向返回探测系统.采用了真对数放大器和16位AD变换器实现大动态范围,正交数字双通道零中频匹配滤波处理信号,内置可闭锁接收机的高速电子开关.试验表明,真对数放大器能有效改善接收机动态范围;对比原系统使用过的VX13250接收机性能指标,证明新接收机适合新一代系统探测需要.收发隔离和闭锁功能良好、结构紧凑、全软件操作控制.  相似文献   
992.
研制的一套三级六路用于泵浦100J激光功率放大系统氙灯的模块化脉冲能源系统采用电容器一端接地的电路结构。选用真空放电开关、低损耗电缆等低辐射器件,有效抑制了地电位抬高;采取光电隔离、屏蔽等措施进一步提高了系统的抗电磁干扰能力。利用计算机控制技术、光电隔离技术和基于高压大电流真空开关的脉冲功率技术实现了系统的自动化和模块化。建立了脉冲放电系统的Pspice模型。  相似文献   
993.
994.
徐耿钊  梁琥  白永强  刘纪美  朱星 《物理学报》2005,54(11):5344-5349
使用实验室自制的低温近场光学显微镜研究了InGaN/GaN多量子阱发光二极管在室温和液氮 温度下的近场光学像和近场光谱,发现随着温度的降低,不仅近场光学像的光强起伏大大减 小,量子阱发光峰先蓝移后红移,而且在液氮温度下在光子能量更高的位置上出现了新的发 光峰.通过对实验结果的分析,我们将这个新出现的峰归结为p-GaN层中导带底-受主能级间 跃迁形成. 关键词: InGaN/GaN多量子阱 发光二极管 近场光学 低温  相似文献   
995.
研究表明,半导体材料在低温环境下性能可以得到很大改善.功率MOSFET低温下的优异特性已被深入揭示.本文研究了NPT型IGBT在77~300K之间的特性,实验表明,低温下NPT型IGBT的通态压降,开关损耗都有明显下降,关断拖尾现象也得到明显改善,而门槛电压略有上升.在此基础上,分析了其低温特性的物理机制以及在超导领域的潜在应用.  相似文献   
996.
对已建立的辉光放电等离子体理论模型进行了改进,改进后的理论模型仍为自洽的解析式理论模型.对稍长放电间隙,不同工作气压条件下的电子密度分布进行了分析,并与实验结果进行了对照,说明了改进后的理论模型适用范围得到了扩大,与实验结果更为接近.  相似文献   
997.
低温装置的最佳气冷电流引线   总被引:7,自引:0,他引:7  
本文提出了一种计算低温装置气冷电流引线的最佳尺寸比和最小热流的方法,并按照这一方法计算了铜、德银和不锈钢电流引线的最佳尺寸比和最小热流.计算结果发现,当液氦的蒸发率较大时,由具有最佳尺寸比的电流引线流入低温装置的最小热流与电流强度的平方成正比,与液氦的蒸发率成反比,而与引线材料几乎无关.所以,为减小电流引线漏热,材料的选择是无关紧要的,关键是选取最佳尺寸比.  相似文献   
998.
测量了无孪晶的LaBaCaCu_3O_y和LaBa_(1.5)Ca_(0.5)Cu_3O-y的磁临界电流J_c,其数值及随温度的变化都与YBa_2Cu_3O_y系统比较接近,而与Tl_2Ba_2ca_2Cu_3O_y明显不同。这表明孪晶并不是使这些材料的临界电流有差别的主要因素。  相似文献   
999.
1000.
蒸发式冷凝器经济技术分析   总被引:11,自引:3,他引:8  
分析了蒸发式冷凝器的传热机理、结构和技术特点 ,基于投资经济学理论及其分析方法建立了经济技术分析模型 ,应用该模型对制冷装置的冷凝器选型做了运行期经济效益分析计算。结果表明 ,采用蒸发式冷凝器可大幅节约运行费用 ,间接产生较大的投资回报。文中建立的分析模型对投资和设计方案的评估分析具有广泛的参考价值。  相似文献   
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