SnO2TiO2 复合半导体纳米薄膜的研究进展

本文概述了SnO₂TiO₂ 复合半导体纳米薄膜的发展历史和研究现状,对比分析了“混合”、“核壳”和“叠层”3 种复合薄膜的结构和性能特点,着重论述了叠层结构的SnO₂ /TiO₂复合薄膜的光电化学和光催化特性。结合作者的研究工作,探讨了SnO₂ /TiO₂双层复合薄膜上下层厚度对其光催化活性的影响,指出复合薄膜光催化活性的提高可归因于电子从TiO₂ 向SnO₂ 的迁移。最后对SnO₂ /TiO₂复合薄膜的局限性和发展潜势做一简要分析,强调了该复合薄膜本身的应用特点。     

混合金属氧化物柱撑α-磷酸锆的研究

制备、表征了混合铝/铬金属氧化物柱撑α-磷酸锆(Al/Cr-ZrP),并对胶体化使用有机胺的种类、柱化液金属离子浓度以及金属离子用量等因素进行了研究。研究表明以乙醇胺为胶体化有机胺比使用正丙胺为胶体化有机胺所得到的产物的层间距更大;采用较低金属离子浓度、较高金属离子用量有利于Al/Cr-ZrP的合成。在Al/Cr比为1、以正丙胺为胶体化有机胺、金属离子浓度为0.067mol·L^-1、金属离子用量为6.67CEC的条件下,制备出了混合金属氧化物柱撑α-磷酸锆,其层间距可达3.60nm,     

锑化镓的光助微刻蚀及其表面氧化物的研究

用电化学和光电化学方法研究锑化镓表面的腐蚀以及锑化镓表面氧化膜的生成和溶解，锑化镓电极在一定电势下生成的氧化膜，用俄歇能谱证明，其主要成分为难溶的氧化锑，此氧化膜的存在抑制了锑化镓的进一步腐蚀，同时亦使锑化镓的半导体光电化学性能大为减弱，通过激光微刻蚀及电子显微镜的观察，在刻蚀剂中添加酒石酸，柠檬酸和氢氟酸等试剂，可使刻蚀形得改善，实验研究了锑化镓的平带电势的测定。     

改性HZSM－5催化剂上4－甲基联苯与甲醇的甲基化反应性能

 采用浸渍法制备了一系列金属氧化物（MgO，CaO，SrO，BaO，ZnO，La2O3和CeO2）改性的HZSM－5催化剂，以4－甲基联苯与甲醇的烷基化为探针反应，在固定床反应器上考察了其催化性能．结果表明，在MgO改性的HZSM－5催化剂上，目的产物4，4′－二甲基联苯的选择性最高，可达80％，而在未改性的HZSM－5上仅为13％．金属氧化物改性对4，4′－二甲基联苯的选择性均有提高，其大小顺序为：MgO＞SrO≈ZnO≈CaO≈La2O3＞BaO＞CeO2．另外，还详细研究了MgO改性条件（如MgO浸渍量，改性剂的阴离子种类，改性方法）的影响．结果表明，MgO浸渍量为5．6％时较为合适．     

Synthesis and Crystal Structures of Novel Keggin and Dawson Polyoxometalates Containing Amantadine

Heteropolyoxometalates are a large family of potent medicines due to their excellent antiviral and antitumor activity 1-4, while their application in clinic meets great difficulties for their toxicity 5. How to synthesize heteropolyoxometalate medicines possessing high activity and low toxicity has become the focus in heteropolyoxometalate medicine research. Previously reported polyoxometalates showing medical activities are all salts simple Na+, K+ or NH4+ etc. inorganic cations, in which o…     

高电导率的a—SiHY合金的低温电导特性

用射央求地在硅单晶衬底上沉积出电导率高达６０Ｓ／ｃｍ的ａ－ＳｉＨＹ合金薄膜。在２０－３００Ｋ，对于钇含量高的样品，其电导仍是热激活的。ｌｇσ与１／Ｔ的关系曲线能够被拟合成斜率不同的两条直线，直线的斜率和两直线间拐点所地 温度依赖于膜中钇的含量。但对钇含量低的薄膜，电导对温度的依赖关系度为σ∝ｅｘｐ（－１／Ｔ＾１／４）。结果表明，这些钇含量不同的样品在没的温度范围内具有不同的导电机制。     

利用LB技术以寡聚DNA为模板构建CdS纳米结构

利用Langmuir-Blodgett技术制备了十八胺（ODA）／十聚腺嘌呤（oligo-A10)单分子膜，并以其为模板制备了不同形状的Cds纳米结构，结果表明以在低膜压下转移的寡聚DNA单层为模板可诱导生成线形的Cds纳米结构，而以在主膜压下转换的寡聚DNA单层膜板得到的是Cds的球形结构聚集体。     

MX2型二维半导体载流子迁移率理论预测

为找到未来半导体晶体管合适的沟道材料,计算了14种MX_2(其中M=Mo,W,Sn,Hf,Zr和Pt,X=S,Se和Te)型二维半导体载流子有效质量、带隙以及电子和空穴迁移率。在计算过程中,为了快速对载流子迁移率进行估计,利用形变势的近似电声耦合矩阵元。计算时考虑长波光学声子和声学声子的散射,而在极化晶体中,考虑了极化散射。计算结果表面,WS_2,PtS_2以及PtSe_2具有最高的电子迁移率以及非零的带隙。其中,PtSe_2的电子在室温下的理论迁移率上限为4000 cm~2·V~(-1)·s~(-1),而W,Hf和Zr的二维化合物室温时的空穴迁移率较高,其中含W的化合物理论迁移率上限到2600 cm~2·V~(-1)·s~(-1)。该计算研究为实验合成高迁移率的二维材料提供指导,同时为实验获得高性能以二维材料作为沟道的场效应晶体管提供参考,加速二维材料的应用。     

Cu/MoO3-TiO2/SiO2上光催化CO2和C3H8合成异丁烯醛的研究

采用表面改性法和等体积浸渍法制备了金属修饰的负载型复合半导体材料Cu/MoO3-TiO2/SiO2, 用X射线衍射、 比表面积测定、 红外光谱、 拉曼光谱和紫外-可见漫反射等技术对固体材料的结构、 吸光性能和化学吸附性能进行了表征, 研究了该材料对CO2和丙烷合成异丁烯醛的光促表面催化规律. 结果表明, 半导体活性组分MoO3和TiO2在所制备的催化剂Cu/MoO3-TiO2/SiO2表面形成化学键, 并存在多种活性吸附位; 金属Cu的修饰拓展了固体材料对光源的响应范围, 提高了反应体系的吸光能力; 固体材料对CO2和丙烷的有效吸附使其在较低温度下就能促进异丁烯醛的紫外光化学合成, 反应选择性达到85％左右. 根据实验结果对光促CO2和丙烷表面催化合成异丁烯醛的机理进行了讨论.     

Cu/TiO2-NiO上光促表面催化CO2和H2O合成CH3OH反应规律

采用溶胶-凝胶法制备了n(电子型)-p(空穴型) 复合半导体材料0.5％Cu/TiO2-2.0％NiO (w),利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、红外光谱(IR)、紫外-可见光漫反射(UV-Vis)、程序升温脱附(TPD)技术对材料结构、吸光性能、化学吸附性能进行了表征,研究了该材料对CO2和H2O合成CH3OH的光促表面催化反应(PSSR)规律.结果表明,所制备材料能够明显促进目的反应,室温条件下即有CH3OH生成.在200 ℃下,由于光-表面-热的协同效应,CO2转化率得以提高,且CH3OH的选择性达到87.5％ .根据实验结果,得出CO2在材料表面的卧式吸附态为CH3OH的前驱物,并对PSSR机理进行了讨论.