超导电性的研究及应用

 1911年,荷兰莱顿大学的卡茂林-昂尼斯(H.KamerlinghOnnes)在实验中发现将汞冷却到绝对温度4.2K时(-268.98℃,绝对温度零度相当于零下273摄氏度)其电阻突然消失并由此开始了超导研究,昂尼斯称这种处于超导状态的导体为超导体。昂尼斯也凭这一发现获得了1913年的诺贝尔物理学奖。一、超导体的特性和分类超导体电阻突然变为零的温度叫超导临界温度(TC)。目前已经发现的一半的金属元素和成百上千种合金与化合物都是超导体,但是他们的转变温度TC都较低。直到20世纪80年代中期TC也未能突破30K大关,人们把此类超导体称之为常规超导体。     

氧化物超导体的高压热处理及烧结

 本文利用高温高压条件，对氧化物超导体进行了不同条件的高压热处理及烧结。发现对SrLa(CuAg)₁O_x在空气中烧结的超导体，适当条件的高压热处理，使T_c从20 K提高到28 K。在Y₁Ba₂Cu₃O_7-δ系氧化物中，无论是对空气中烧结的已超导样品的高压热处理，或者直接在高压下烧结样品，均未使T_c得到提高，但是，经过高压烧结，超导样品的硬度显著提高，密度也有所增加，并且改变了超导相的晶格常数。     

高温超导YBaCuO薄膜的不稳定性实验

一、引言 高温氧化物超导材料一出现,科学家们就注意将它制成薄膜材料、以此迈向实用化。利用高温氧化物超导材料制造超导量子干涉探测器,高速微芯片,红外探测器、高温超导晶体管等是各国科学家应用开发的重要领域,其他如超导混频器、超导天线等可用于通信、军事等领域具有广阔的前途。已经发展了许多方法制备高温超导薄膜,诸如DC或RF磁控溅射、     

低通量慢中子辐照对高Tc超导体临界温度的影响及其机理探

本文研究了低通量(～10⁸n/cm²)慢中子对Bi系、Y系及其掺杂高T_c超导体临界温度T_c的影响。实验结果表明,在适量慢中子辐照后,可以明显地提高临界温度并减小超导转变宽度△T(10%—90%)。此外,本文还探讨了在适量慢中子辐照后,高T_c超导体临界温度增加和转变宽度减小的物理机理。     

柏诺兹（Bednorz，J Georg，1950-）德国物理学家（Physicist，Germany）

柏诺兹是1987年诺贝尔物理学奖得主。他同穆勒“独辟蹊径，索传统的超导体，而是从金属氧化物陶瓷中找到了高温超导体。他们发现La-Ba-Cu-0系统中存在着临界温度高达35K的超导电性。他们的发现得到其他实验组的证实。各地闻风而动，竞相制造和测试各种样品，掀起了一个超导研究热潮。     

Thin-Thick Film Transitions on a Planar Solid Surface： A Density Functional Study

A weighted density functional theory is proposed to predict the surface tension and thin-thick film transition of a Lennard-Jones fluid on a planar solid surface. The underlying density functional theory for the Lennard-Jones fluid at low temperature is based on a modified fundamental measure theory for the hard-core repulsion, a Taylor expansion around zero-bulk-density for attraction, and a correlation term evaluated by the weighted density approximation with a weight function of the Heaviside step function. The predicted surface tension and thin-thick film transition agree well with the results from the Monte Carlo simulations, better than those from alternative approaches. For the Ar/CO2 system, the prewetting line has been calculated. The predicted reduced surface critical temperature is about 0.97, and the calculated wetting temperature is below the triple-point temperature. This is in agreement with the experimental observation.     

论物质的分子结构与临界温度

分析了Thodos等的理论方法及公式的不足后,利用分子物理学和光谱学的理论与实验研究成果,根据及Dieterici方程,解出T_c∝1/f(K);根据Kirchhoff定律d(△H)/dT=△C_p,导出.经用120种不同结构类型的无机化合物验算,平均误差0.68％;当以405种有机化合物验证时,平均误差0.450％,优于文献中各式.     

MgB2超导体掺杂的理论研究

由双带模型,在BCS理论的框架内,唯象地引进调制势函数Ф,研究了固溶体Mg1-xRxB2和MgRxB2-x(R为某掺杂元素)的超导临界温度,我们看到在Ф=0.2处出现了一个超导临界温度Tc峰,这显然与掺杂的物质种类、比率及均匀程度有关,我们的研究结果与M.J.Mehl等人1根据BCS理论密度方程计算基本一致,也与杨帆等人2通过ab initio计算相吻合.对已有实验结果的拟合发现,目前实验制备出的MgB2型超导体的Ф值均已大于0.4.这些结果为我们今后的实验研究工作提供了一个可供参考的研究方向.