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| 低通量慢中子辐照对高Tc超导体临界温度的影响及其机理探 | |
| 引用本文： | 金继荣,金新,韩永胜,史可信,陈武鸣,朱玉振,姚希贤,王弘,王卓.低通量慢中子辐照对高Tc超导体临界温度的影响及其机理探[J].中国科学A辑,1994,37(2):170-176. |
| 作者姓名： | 金继荣 金新 韩永胜 史可信 陈武鸣 朱玉振 姚希贤 王弘 王卓 |
| 作者单位： | (1)南京大学物理系固体微结构实验室 南京210008 (2)山东大学晶体材料研究所 济南250100 |
| 摘 要： | 本文研究了低通量(～108n/cm2)慢中子对Bi系、Y系及其掺杂高T_c超导体临界温度T_c的影响。实验结果表明,在适量慢中子辐照后,可以明显地提高临界温度并减小超导转变宽度△T(10%—90%)。此外,本文还探讨了在适量慢中子辐照后,高T_c超导体临界温度增加和转变宽度减小的物理机理。 |
| 关 键 词： | 高Tc超导体 临界温度 超导转变宽度 慢中子辐照 辐照缺陷 |
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