一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管

异质结晶体三极管（HBT）的性能与其材料体系密不可分，利用能带工程可以大大优化器件的结构，提高器件性能，文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手，介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能，分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性，说明了对HBT的各区材料，其带边的相对位置所起的重要作用，最后，文章还报道了近期的实验情况，说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。     

Exciton—Phonon Scattering in CdSe／ZnSe Quantum Dots

A temperature-dependent photoluminescence measurement is performed in CdSe/ZnSe quantum dots with a ZnCdSe quantum well.We deduce the temperature dependence of the exciton linewidth and peak energy of the zero-dimensional exciton in the quantum dots and two-dimensional exciton in the CdSe wetting layer.The experimental data reveal a reduction of homogeneous broadening of the exciton line in the quantum dots in comparison with that in the two-dimensional wetting layer,which indicates the decrease of exciton and optical phonon coupling in the CdSe quantum dots.     

Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数

考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ－Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数，特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好，而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。     

B物理中的难题

讨论单举B介子衰变中的难题, 包括直接CP非对称性及纵向极化分支比, 这些难题可能皆归因于量子色动力学的不准确度, 并非新物理的讯号.     

Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究

本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。     

ICP-AES测定钛基复合材料中镍、钕和铁的研究

采用ICP－AES法对钛基复合材料中的合金元素镍、钕、铁的测定进行了研究，着重进行了基体元素及待测元素镍、钕、铁之间干扰试验及各元素在测定浓度范围内的线性相关性试验，进行了酸度试验，测定了钛基复合材料中3种元素的含量，得到了较好的精密度和准确度。方法简便、可靠，获得满意的分析结果。     

Al/Al2O3P金属基复合材料的静动态压缩性能及损伤分析

用气压浸渗工艺制备了体积分数40％～50％Al2O3颗粒增强纯铝基复合材料，使用了4种不同尺寸的Al2O3颗粒，其平均粒径分别为5μm、10μm、30μm和60μm．测定了这些复合材料的静、动态压缩性能，并通过材料压缩前后密度变化的测量定量表征了材料的累计损伤，结果表明，与基体材料相似，这些复合材料表现出明显的应变率敏感性；当增强颗粒平均粒径小于60μm时，材料的累计损伤基本与应变率无关，而主要取决于材料的应变．材料中颗粒的破裂主要是由颗粒间的相互作用引起的．较小尺寸颗粒增强的复合材料具有较高的流动应力和较小的累计损伤，并随着颗粒体积分数的增加，材料的流动应力和损伤率都相应增加．     

纳米Ti02／碳化树脂复合催化剂的合成及其光催化性能研究

利用一种简单、快速的方法合成了纳米TiO2／碳化树脂(B)复合催化剂。对其组成、结构、尺寸及其光催化性能进行了表征。结果表明，该复合材料为由碳、氢、氧和钛等4种元素组成的纳米材料，尺寸约30nm，其中Ti和O的堆积结构为锐钛矿型；在该复合材料中，B为具有活性基团和不同长度碳—碳共轭链的大分子，且与TiO2之间存在着某种化学作用,复合材料所具有的特殊电子结构不仅使其能吸收紫外—可见区的全程光波。而且对光生电荷具有很高的分离能力，从而表现出较高的光催化活性。     

静电堵漏串级镜MM—4U贩约束位形的理论研究

本文分析了双会切静电堵漏串级磁镜ＭＭ－４Ｕ中粒子损失的可能机制，考虑了 等离子体粒子能量的切断，从平衡的Ｖｌａｓｏｖ方程的解出发，数值求解了一组静态的达朗倍尔方程，即Ｐｏｉｓｓｏｎ方程和Ｍａｘｗｅｌｌ方程，得到了等离子体电位，密度及非中性度（净余电子数密度）分布。结果表明，堵漏电压及堵漏电极板的几何位形，磁场位形及磁场大小，电子温度电子－离子温度比在串级磁镜的束位形的形成中起着重要的作用。     

负电子亲和势GaAs光电阴极中的三光子激发和发射的理论研究

将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好.