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991.
992.
在C^n中单位球上根据p,q的不同范围给出了Bloch型空间β^p和β^q之间函数乘子的一种新的刻划,并刻划了Lipschitz空间之间以及Lipschitz空间到Bloch空间的函数乘子,拓广了Bloch空间的乘子理论. 相似文献
993.
铁电SBN薄膜电光系数的测量及其在波导中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
利用溶胶-凝胶法在MgO(001)衬底上获得C轴择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜,主要介绍MgO(001)衬底上SBN60薄膜及掺入的K离子与Nb离子摩尔比例为1:3的SBN60薄膜横向电光系数r51的测量,实验测得不掺K的SBN60薄膜r51值为37.6pm/V,掺K的r51值为58.5pm/V。并由此设计一种基于MgO(001)衬底上的马赫一曾德尔型SBN60薄膜波导调制器,计算出在633nm时,掺K比例为1:3的此种波导调制器半波调制电压值为10V,不掺K的半波电压值为16V,结果说明掺入K离子能增加薄膜的横向电光系数并有效的减少波导的半波调制电压。 相似文献
994.
硒化镉发光量子点的制备及其在有机发光器件中的应用 总被引:4,自引:4,他引:0
硒化镉量子点具有随粒径尺寸改变,而产生发光波长调变的特性,目前已被广泛研究。本研究是由化学溶胶法合成不同粒径尺寸的核壳型CdSe/ZnS硒化镉量子点,其表面包覆十六烷基胺,避免分子团聚现象。在由硒化镉成核温度的控制,成功地制备一系列具有各种尺寸粒径的核壳型硒化镉量子点(2—6nm)。本研究也合成了含有纳米金粒子于核壳型硒化镉量子点,实验结果发现:硒化镉发光效率明显的提高。在有机发光器件的应用方面,将发光波长为505nm核壳型CdSe/ZnS量子点掺入溶有发光波长为570nm铱化合物的氯仿溶液时,其溶液的光致发光光谱表明,原量子点的发光特性消失,只有铱化合物的发光依然存在,且其发光强度呈现明显增强趋势,我们推测此现象源自于量子点到铱化合物能量转移的机制。我们也以含有核壳型硒化镉量子点的铱化合物与PVK混合材料为发光层,成功的制作发光二极管器件,器件的发光效率因核壳型硒化镉的掺杂,明显提高2倍多。 相似文献
995.
996.
概率论中有关计算公式的改进 总被引:5,自引:0,他引:5
通过对概率论中有关公式的研究 ,给出了全条件概率公式和二维随机变量函数的密度函数的简化计算公式 ,为其计算提供了新的方法 相似文献
997.
The "o" saturation theorem and the degree of Lpw approximation by (0- q' -q) type Hermite-Fejer interpolating polynomials for mean convergence are obtained. 相似文献
998.
999.
折线型裂纹对SH波的动力响应 总被引:1,自引:0,他引:1
利用Fourier积分变换方法,得出了无限平面中用裂纹位错密度函数表示的单裂纹散射场.根据无穷积分的性质,把单裂纹的散射场分解为奇异部分和有界部分.利用单裂纹的散射场建立了折线裂纹在SH波作用下的Cauchy型奇异积分方程.根据折线裂纹散射场和所得的积分方程讨论了裂纹在折点处的奇性应力及折点处的奇性应力指数.利用所得的奇性应力定义了折点处的应力强度因子.对所得Cauchy型奇积分方程的数值求解,可得裂纹端点和折点处的动应力强度因子。 相似文献
1000.
F. G. Pashaev 《Journal of mathematical chemistry》2009,45(4):891-890
An efficient method for computing overlap integral over Slater type orbitals based on the B Filter-Steinborn and Guseinov auxiliary functions is presented. The final results are expressed through the binomial coefficients with the help of which
the overlap integrals can be evaluated efficiently and accurately. The results of calculation are in good agreement with those
obtained by other method for arbitrary principal quantum numbers and different screening constants.
An erratum to this article can be found at 相似文献