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21.
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的.
关键词:
密度泛函理论
2(001)')" href="#">t-HfO2(001)
表面电子结构 相似文献
22.
以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1.ZnGa2O4属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa2O4结构中,并对ZnGa2O4的晶格常数产生一定影响。2.ZnGa2O4存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[Td(Ga-O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[Oh(Ga-O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn):n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3.ZnGa2O4的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa2O4基质或掺杂的发光材料具有一定意义。 相似文献
23.
本文用密度泛函理论(DFT)的总能计算研究了一氧化碳和氢原子在Ni(111)表面上p(2×2)共吸附系统的原子结构和电子态,结果表明CO和H原子分别被吸附于两个对角p(1×1)元胞的hcp和fcc位置.以氢分子和CO分子作为能量参考点,总吸附能为2.81 eV,相应的共吸附表面功函数φ为6.28 eV.计算得到的C—O,C—Ni和H—Ni的键长分别是1.19?, 1.96?和 1.71?,并且CO分子以C原子处于hcp的谷位与金属衬底原子结合.衬底Ni(111)的最外两层的晶面间距在吸附后的相对变化分别是
关键词:
Fisher-Tropsch反应
催化作用
Ni(111) p(2×2)/(CO+H)
共吸附 相似文献
24.
25.
文[1]、[2]研究了正项等差数列方幂的不等式,本文研究由递增正项二阶等差数列若干项构成的不等式,为了简便起见,以下约定{an}是递增正项二阶等差数列,bn=a(n+1)-an,{bn}的公差为d,其前n项和为Sn,m,k,n,p为正整数. 相似文献
26.
在高中物理中磁通量和磁通量变化率好似一对孪生姐妹,学生在理解时往往混淆两个物理量的异同,特别是在交流电一章的学习过程中,线圈在磁场中转动,为什么磁通量最大时,磁通量的变化率最小;在磁通量最小时,磁通量的变化率反而最大.针对这个问题,笔者采用了两种方法进行分析,收到了很好的效果. 相似文献
27.
一类非线性Schr(o)dinger方程的守恒差分法与Fourier谱方法 总被引:1,自引:0,他引:1
考察了一类带导数项的非线性Schrodinger方程的周期边值问题,提出了一种守恒的差分格式,在空间方向上采用Fourier谱方法,证明了格式的稳定性和收敛性.数值试验得到了与理论分析一致的结果. 相似文献
28.
普遍认为分布函数f在容器壁上的取值为零,如果情况确实如此,则平衡分布函数在容器壁上将不连续,从而会产生不合理的结果.分析指出了在证明H定理时不应假定f在容器壁上为零. 相似文献
29.
高分辨(e,2e)谱仪采用二维位置灵敏探测器同时对能量和角度进行多道测量.二维位置灵敏探测器由级联使用的微通道板和电阻阳极板组成,由于电阻阳极板的边缘效应和制造工艺的缺陷,测量得到的位置图像与实际图像总会有一定的形变,存在一定的非线性.本文针对高分辨(e,2e)谱仪二维位置灵敏探测器输出图像的“桶形”畸变及位置非线性,采用一种简易的冷刻法(用脉冲信号来模拟真实电子束团),检验了二维位置灵敏探测器的Gear型电阻阳极板的线性好坏,并用分割成小三角形的方法找出测量得到的畸变图像与原始真实图像的映射关系,再用此关系对其它测量得到的畸变图像进行修正,并对修正的结果进行了评估.通过修正,由“桶形”畸变所造成的图像扭曲得到明显改善.修正后的x方向非线性由修正前的2.1%变为0.59%.这种检验和修正方法对其它领域类似探测器输出图像的修正也有一定的指导意义. 相似文献
30.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献