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四阶方程两点边值问题Hermite有限元解的渐近展式与外推 总被引:1,自引:0,他引:1
1引言有限元解的渐近展式是提高微分方程数值解精度的重要工具,比如亏量校正和外推就是建立在有限元解的渐近展式的基础之上.许多作者对此进行了大量的研究(见[1]-[4]),特别是文[1],提出了在研究有限元解的渐近展式中十分有用的能量嵌入技巧.本文利用能量嵌入定理得到了四阶方程两点边值问题Hermite有限元解及其二阶平均导数的渐近展式,进一步我们还讨论了它们的Richardson外推公式.考虑四阶方程两点边值问题 相似文献
72.
矢量水听器由于能获取声场中标量(声压)和矢量(振速)信息,因此单个的矢量水听器就可实现目标方位估计。单个矢量水听器是利用信号的声压和质点振速之间相关性进行信号方位估计,但是当存在干扰,并且干扰和信号之间相关时,如果对运用能量流进行方位估计的方法不加改进,则会出现很大的误差,甚至出现错误的估计。本文提出一种存在已知噪声干扰情况下的干扰抵消方法,并针对该方法进行了仿真试验,最后运用湖试数据进行了验证。结果表明,该方法能有效地减弱相千千柑对信号的影响,实现对信号的方位估计。 相似文献
73.
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使用“对称性匹配簇-组态相互作用”方法,对Li2分子三重态的第一激发态、LiH分子的基态、单重态的第一和第二激发态的几何构型与谐振频率进行了优化计算.利用“群操作求和”方法分别对这4个态进行单点能扫描计算,并拟合出了相应各态的Murrell-Sorbie势能函数.使用多种方法对Li2H分子的基态结构进行优化,并用优选出的密度泛函(B3P86)方法对该分子进行了进一步的频率计算.结果发现Li2H分子的基态稳态结构为C2v构型,在此基础上用多体项展式理论导出了它的解析势能函数,其等值势能图准确再现了Li2H分子的结构特征和离解能.首次报导了该分子对称伸缩振动等值势能图中存在的两个对称鞍点,对应于反应LiH Li→Li2H,活化能大约为18.7×4.184 KJ/mol. 相似文献
75.
大学物理问题式导入研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对大学物理课堂导入重要性的讨论,探讨问题式导入法在大学物理课堂教学中的应用,并阐述了设计物理问题的基本理念. 相似文献
76.
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献
77.
本文研究了两类重要微分不等式有界解的性质。引入了赋范线性空间(f,‖‖M),利用比较定理和黎卡提方程解的性质,给出了有界解的上界估计式,推广和改进了文[1,2]中的有关结果. 相似文献
78.
微分方程光滑线性化的研究,目前仅限于原点近傍的小邻域,本文给出了一个全局光滑线性化的结论.全局拓扑线性化或全局光滑线性化的先决条件是任一解的存在区间为全实轴.因此,本文也讨论了Wintner定理的推广问题. 相似文献
79.
本文研究了未知分布的逼近问题,利用随机加权法,给出了有Edgeworth展式的一类(未知)分布的模拟分布,证明了在一定条件下,模拟分布与未知分布的逼近精度达到O(n^-1√lnlnn),称之为随机加权逼近的重对数律。 相似文献
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