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21.
球形SnO2 纳米微粒的合成及形成机理分析   总被引:7,自引:0,他引:7       下载免费PDF全文
以SnCl4·5H2 O为主要原料 ,用溶剂热技术在油酸体系中成功地合成了球形SnO2 纳米微粒 ,在无水乙醇体系中合成了菱形的SnO2 纳米微粒 .通过X射线粉末衍射 (XRD) ,选区电子衍射 (SAED)和透射电镜 (TEM )对两种产物进行了表征 ,并对两种产物的形成机理进行了分析 .透射电镜 (TEM)结果表明 :在油酸体系中得到了平均尺寸约为 3.5nm的球形SnO2 纳米微粒 ,此微粒趋向于特殊高的比表面积 ,适合于作气敏探测器材料方面的应用  相似文献   
22.
放射源的辐射指纹能起到标识和鉴别放射性物体的作用.在涉及核弹头不可逆销毁过程的深度核裁军核查中,核弹头的辐射指纹对标识和鉴别裁减下来的核弹头将起到关键作用.预先研究辐射指纹的有关技术,如识别机理的研究,将有助于深度核裁军的核弹头核查技术发展.以实验室放射源为研究对象,探索了类型γ射线能谱指纹的同一性识别机理.类型γ射线指纹识别机理的研究,就是要找出一种合适的方法,以较高的置信度,描述两个正在进行比较的γ射线指纹是否为同一放射源的指纹.采用了谱形比较法,并用谱相似度概念来描述两个指纹的相似程度.在谱形比较思想的指导下,编制了放射源类型指纹识别软件,并通过放射源同一性的识别实验验证了软件的有效性,同时研究了谱相似度随统计涨落和测量条件,如时间、源强和本底等因素的变化情况.研究结果表明:1)用相似度概念来描述两个指纹的相似程度,回答两个待比较的γ射线能谱是否代表同一类型放射源,是切实可行的;2)该识别机理只具备识别放射源类型的能力,而对同一类型、差异甚微的放射源个体还不能识别 关键词: γ射线能谱指纹 辐射指纹 识别机理 核查技术  相似文献   
23.
近年来,羟自由基(^.OH)对DNA氧化损伤已受到广泛关注,但是很少研究^.OH对RNA的氧化损伤。其实,RNA与DNA一样,也是核酸的两大组分之一,也有许多重要功能。所以^.OH攻击RNA也会引起重后果,会造成细胞功能衰退甚至细胞死亡等。为此,我们建立了Vit.C-CuSO4-Phen-H2O2-PNA这一产生和测定^.OH氧化损伤RNA的化学发光体系,以便加强^.OH氧化损伤RNA的研究。通过对本体系测定条件的研究,得出了本体系最佳组方是:Vit.C,CuSO4,Phen,H2O2和RNA,浓度分别为350μmol/L,55μmol/L,350μmol/L,0.2mol/L和20μg/mL,体系pH为5.5,体系终体积为1mL。随后,利用本体系检测了槲皮素,咖啡酸,黄芩甙和芦丁抗^.OH氧化损伤RNA的作用,发现这四种抗氧化剂均能有效抑制^.OH氧化损伤RNA的分子机理,结果发现,^.OH清除剂硫脲几乎抑制全部发光,推测是因硫脲清除了引发剂^.OH所致;O^-.2清除剂SOD只能抑制小部分发光;^1O2清除剂叠氮化钠和苯甲酸都能抑制绝大部分发光。这些事实提示,^.OH是RNA氧化损伤的引发剂;O^-.2只是导致RNA氧化损伤的次要因素,^1O2才是导致RNA氧化损伤的最主要因素。  相似文献   
24.
刘强  邓勃 《分析化学》1993,21(11):1258-1262
本文应用X-射线衍射,X-射线光电子能谱,俄歇电子能谱和其它一些实验,考察石墨炉升温过程中氟化锗,锗酸钠在石墨探针表面上的形态变化,阐明了它们的原子化机理:GeF2与Na2GeO3首先分解为GeO2,GeO2还原为GeO,后者在>2400K热分解产生自由态的锗原子,GeF2和Na2GeO3的原子化均源于GeO(g)的气相分解。原子化的升温过程中,在1400-2400K GeF2和Na2GeO3都产  相似文献   
25.
张克武 《中国科学A辑》1992,35(3):300-305
本文提出了气体不平衡状态方程,将其移植应用于液体,并导出正常液体导热率方程.经过不同结构类型的110种无机与有机纯质的608个实验值的验证,平均误差为1.75%.显著优于已有方程.  相似文献   
26.
27.
玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
王引书  孙萍  丁硕  罗旭辉  李娜  王若桢 《物理学报》2002,51(12):2892-2895
对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利 关键词: 纳米晶体 生长机理 深能级缺陷  相似文献   
28.
在尿素及硝酸铈的混合溶液中分别加入表面活性剂CTAB、 PEG19000、OP-10,利用均相沉淀法合成了不同形貌的CeO2超细前驱体Ce2O(COa)2·H2O,采用X射线衍射及透射电子显微镜等测试手段,对产品的物相和形貌进行了表征.实验结果表明,所得产品均为斜方晶系的单晶Ce2O(CO3)2·H2O,且表面活性剂的加入使晶体的晶化程度明显提高;添加不同的表面活性剂得到不同形貌尺寸的产物: 阳离子型表面活性剂CTAB对Ce2O(CO3)2·H2O晶体的形貌影响不大,所得产物尺寸变小,且分散性得到一定的改善;非离子型表面活性剂对所得产物的形貌影响显著.加入PEG19000和OP-10分别得到了形状排列有序的、尺寸较均匀的、较规则无团聚的微米棒及具有紧密结合中心的发散状的花样微粒.不同形貌前驱体的形成与晶粒形成生长机理的改变有关.  相似文献   
29.
30.
铋(Ⅲ)—8—羟基喹哪啶体系的极谱行为—表面活性...   总被引:6,自引:3,他引:3  
张月霞  蒲宇宏 《分析化学》1992,20(9):1078-1082
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