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91.
基于CUO分子(X3A″)的多体展式分析势能函数, 用准经典的Monte-Carlo轨迹法研究了U+CO(0, 0)的分子反应动力学过程. 结果表明 在碰撞能低(<215 kJ/mol)时可以生成长寿命络合物CUO(X3A″), 并且该络合反应是无阈能反应; 碰撞能大于418.4 kJ/mol后, 先后出现置换产物UO和UC; 随着碰撞能进一步增大, CUO分子将被完全碰散成U, C和O原子, 而且反应U+CO(0, 0)→UO+C, U+CO(0, 0)→UC+O和 U+CO(0, 0)→U+O+C是有阈能反应. 相似文献
92.
介绍了函数的最大项展开式和CRM展开式及其图形表示,提出函数K图和dj图的零点的概念,并以此为基础讨论了基于零点的函数K图和dj图之间的转换方法。 相似文献
93.
乌克兰科学院A.M.kovalev教授于1993年首次提出了针对一般非线性系统{x=f(t,x,u);y=h(t,x,u),x(t0)=x0的多轨线求逆方法。本文将该方法引入仿射非线性系统,使不可逆系统在一定条件下成为可逆。并给出了具体的求逆步骤,举例说明。 相似文献
94.
The aim of this article is to discuss an asymptotic approximation model and its convergence for the minimax semi-infinite programming problem. An asymptotic surrogate constraints method for the minimax semi-infinite programming problem is presented by making use of two general discrete approximation methods. Simultaneously, the consistence and the epi-convergence of the asymptotic approximation problem are discussed. 相似文献
95.
96.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
97.
环形线电荷的电场分布 总被引:30,自引:10,他引:20
给出了圆环形线电荷电场分布的理论公式,并利用计算机计算出其具体分布规律。 相似文献
98.
99.
为了确保变尺度算法在“坏条件”下的收敛性,本文提出对原算法的线搜索方向作适当地调整的方法,并且证明了带调整线搜索方向的Broyden类算法,无论线搜索是否精确,它对连接可微函数是收敛的,对一致凸函数是Q-超线性收敛的。 相似文献
100.
在MP2水平上采用6-311G基组计算了van der Waals复合物X…H2O(X=Li, Na, K)的非线性光学性质(μ, α, β), 讨论了基组效应和电子相关效应对计算结果的贡献. 在MP2/6-311++G(2df, 2pd)水平上计算得到的三个复合物分子X(X=Li, Na, K)•••H2O的非线性光学性质. 结果表明, 三种复合物分子均具有巨大的一阶超极化率, 其中最外层电子的弥散特性对一阶超极化率有很大的影响. 相似文献