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141.
本证明了当(a,b)不属于{(1,8),(2,4),(3,6),(4,4),(2s^2-s,2s^2 s))时,L^m(Ka,b)以谱为特征,其中a≤b,s≥2. 相似文献
142.
布尔“复合函数”的Walsh循环谱和自相关函数 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用布尔随机变量联合分布的分解式给出了布尔“复合函数”和某布尔函数符合率的分解算式,由此求得了布尔“复合函数”的 Walsh循环谱和自相关函数的计算公式,公式清楚地表明了“复合”所得布尔函数的 Walsh循环谱与起“复合”作用的函数和被“复合”的各函数所有线性组合的 Walsh循环谱之间的关系、“复合”所得布尔函数的自相关函数与起“复合”作用的函数谱和被“复合”的各函数的谱及相关函数之间的关系,这两个公式在布尔函数的密码学性质研究中会有广泛的应用. 相似文献
143.
玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱 总被引:4,自引:3,他引:1
对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300~800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600~650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。 相似文献
144.
145.
146.
不锈钢丝网上薄膜TiO2光催化剂的Raman光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用Raman光谱方法来研究用Sol Gel法负载于金属丝网的薄膜TiO2 光催化剂的物相结构、厚度以及粒径大小。研究结果显示 ,薄膜达到一定厚度能够阻止基底Fe元素向薄膜表层的扩散 ;在 4 0 0℃下灼烧制得的薄膜TiO2 光催化剂具有锐钛矿晶型 ,而高于 4 0 0℃时 ,将出现金红石相TiO2 ;锐钛矿晶型TiO2 的Raman特征峰产生偏移 ,表明薄膜粒径的变化 ,通过计算表明 ,薄膜TiO2 的粒径为 10nm左右 ,TEM的分析结果也与之一致。 相似文献
147.
The supersymmetric WKB approximation of ring-shaped oscillator potential in r and θ dimensions with spherical polar coordinates 下载免费PDF全文
According to calculation of the energy spectrum of ring-shape oscillator potential by using the supersymmetric WKB approximation, it is shown that the energy spectrum of some noncentral separable potentials can be exactly obtained in r and θ dimensions by above method. 相似文献
148.
钒合金由于其低中子诱导的放射性和良好的高温性能被认为是未来聚变堆很有希望的第一壁和结构材料。因为氦可以通过放电清洗和中子嬗变产生,氦的滞留与热释放行为将是钒合金在聚变堆应用的重要课题。A.V.Veen领导的研究小组用1keV的氦离子注入到10^13-10^14He/cm^2的剂量研究了钒合金的氦俘获和热解吸机理以及预退火处理的影响。两群热解吸峰被发现,他们认为一个对应于氦,空位一杂质链,另一个对应于氦,带有钒合金原有的缺陷,如细小的析出物所俘获。既然钒合金原有的缺陷与退火处理有关,热处理对氦在钒合金中的滞留的影响是可以预期的,并且已被实验所证实。 相似文献
149.
陈晓雷 《南昌大学学报(理科版)》2004,28(2):130-132
证明了一致u0-凹算子A满足一定条件时,迭代列xn=Axn-1(n=1,2,…)能以很快的速度收敛于算子方程Ax=x的正解x*. 相似文献
150.
实验采用常压和高压分别制备出含铁的FexCu1-xBaSrYCu2Oy(x= 0~1)系列化合物,本文主要研究x=0.5时样品的结构和超导电性.测量结果显示,高压合成的样品均具有超导电性,对于x=0.5的样品超导转变温度Tc(onset)~57K, Tc(0)~40K,而常压合成的样品当Fe含量x>0.3时均不超导.为此,我们利用透射电子显微镜(TEM)研究了该体系的微观结构特性,并通过电子能量损失谱(EELS)揭示出高压合成导致样品中载流子浓度明显高于常压样品,证明样品制备过程中高压有利于超导电性的形成.同时对高压样品中的缺陷和局域晶体结构畸变进行了深入分析. 相似文献