Synthesis and Crystal Structure of 3-（2-Hydroxy-phenyl）-5-（2-methylphenyl）-6-thoxycarbonyl-cyclohexen-2-one

1 INTRODUCTION The molecular assembly of one- or multi-dimen-sional aggregation by hydrogen bonds is now an im-portant subject of supramolecular chemistry and crys-tal engineering[1, . Supramolecular structures formed 2]via intermolecular hydrogen bonds X–H…X or C–H…X (X = O, Cl, N, et al.) are very common inorganic compounds[3~12], and they generally possessdifferent properties due to these hydrogen bonds. Concerning about the spectra of benzene-contai-ning…     

A New Activation Method for Electroless Metal Plating：Palladium Laden via Bonding with Self—Assembly Monolayers

A new activation method has been developed for electroless copper plating on silicon wafer based on palladium chemisorption on SAMs of APTS without SnCl2 sensitization and roughening condition.A closely packed electroless copper film with strong adhesion is successfully formed by AFM observation.XPS study indicates that palladium chemisorption occurred via palladium chloride bonding to the pendant amino group of the SAMs.     

香兰素及其主要衍生物化学性质的CNDO/2研究

用CNDO/2法研究了香兰素,并对香兰素及其三个主要衍生物的化学性质作了理论分析。结果为合成香兰素系列香料提供了理论依据。     

C4/C5烃催化裂解制低碳烯烃的研究进展

从催化剂类型、裂解工艺、催化裂解的影响因素和裂解机理4个方面对国内外C4/C5烃催化裂解制低碳烯烃的研究进行了综述。催化裂解制低碳烯烃催化剂主要采用ZSM-5分子筛系列催化剂,在此基础上发展了酸改性或水热改性高硅ZSM系列分子筛及介孔MCM-41分子筛。总结了国内外C4/C5烃的裂解工艺,认为影响催化裂解的主要因素是裂解原料、催化剂类型及工艺条件。目前,裂解机理主要是自由基与碳正离子机理相结合的机理。并简述了本课题组目前有关C4烷烃催化裂解的主要研究进展。     

基于双尺度渐近分析的有限元算法

1．引言正如文山所说，由于复合材料和周期结构的材料系数ail（x）在局部区域内间断且跳跃性很大，加上区域内含有周期性洞穴或裂缝，且周期长度很小．一般而言，直接采用有限元方法进行数值模拟，其计算量大得惊人，甚至难以实现．文山针对这种特征，提出了一种可计算的双尺度渐近分析模式，本文在此基础上给出了相应的有限元算法，它包括：1．周期解在一个基本构造上的有限元计算；2．边界层的有限元计算．同时，给出了相应的误差分析．2．周期解的有限元计算首先考虑下列形式的边值问题；其中把，代E尸（on叫，iii（0关于E—（EI，ZZ…     

用带误差项的Ishikawa迭代过程逼近φ-强增生算子的零点

本文使用新的分析技巧研究了一致光滑Ｂａｎａｃｈ空间中φ 强增生算子的零点逼近问题，所得结果改进和扩展了近期许多相应的结果     

束变换环孔激光谐振腔的环束场传输差分计算

 通过使用新的坐标变量和光场的表达形式，推导了新坐标系下环束场传输的偏微分方程，给出了相应差分方程的截断误差和稳定性条件，使得环束场传输计算速度大幅提高；使用二阶精度的Crank-Nicolso差分方法对束变换环孔激光谐振腔的环束场传输进行了计算，并与W.D.Murphy和M.L.Bernabe所给M-B积分近似方法的计算结果进行了比较，证实了该方法无论计算速度和精度都优于M-B积分近似方法。     

FTO客体3m闪光照相的Monte Carlo研究

 研究了客体模型FTO的闪光照相系统X光输运过程，给出了直穿照射量、散射照射量、直散比、直穿照射量能谱、散射照射量能谱、直穿X光通量能谱和散射X光通量能谱在记录平面的空间分布。结果表明：后锥是照射量散射成分的主要来源，后锥照射量占总散射量97%；后锥也是造成散射的空间分布不均匀的主要器件，这一不均匀性高达58%。照相系统的最小直散比非常小，表明锥造成的散射已经严重地淹没了直穿（轫致辐射）信号。计算中使用高空间分辨率记录法进行分点，合成图像对吸收系数的复原结果与国外报道的结果相符。     

水平极化电磁脉冲模拟器空间场的数值模拟

 采用时域有限差分方法，对水平极化电磁脉冲模拟器所产生的电磁场进行数值模拟，在时域中计算了电磁场的时间 空间分布。讨论了电磁脉冲模拟器产生的电磁脉冲波形和场的空间变化、均匀性等重要因素。结果表明，模拟器产生的电磁脉冲前沿为10ns，接近脉冲电压前沿，波形与脉冲电压波形（双指数波）相差较大；峰值场强在对称轴上并非与距离成反比，而是随距离增大而迅速减弱；该模拟器的双锥 笼形天线能在大范围内（大于等于50m,水平方向）产生均匀分布、高峰值场强、快前沿的电磁脉冲。     

基于状态分析的电子系统抗辐射性能评估方法

建立了一种基于状态分析的电子系统抗辐射能力评估方法，该方法以电子系统中单元器件的辐射效应实验数据为基础，采用行为级电路仿真方法对电子系统功能状态进行分析，并应用蒙特卡罗方法模拟辐射损伤随机性对系统功能状态的影响，最终结合系统功能阈值，给出系统功能的裕量及不确定度估计，进而对系统抗辐射能力进行评估。为了验证评估方法的可行性，应用该方法对某模数转换电子系统的抗总剂量能力进行了评估，并将评估结果与该电子系统的总剂量效应实验结果进行了对比。结果表明该评估方法能够定量给出系统功能在受到辐射损伤后的变化，评估方法给出结果与实验结果在变化趋势和评估结论上基本一致。