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41.
Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature
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Hydrogen-free silicon nitride (SiNx) films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance (MW-ECR) plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm. 相似文献
42.
We investigate the origin of ultraviolet (UV) emission from Mg0.12 Zn0.88 O alloy thin films with a wurtzite structure fabricated on c-plane Al2O3 substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy. At room temperature, the absorption edge and UV emission band of the Mg0.12Zn0.88O film shift to high-energy side compared with ZnO films. Temperature dependence of the photoluminescence spectra shows that the UV emission is composed of free exciton and neutral donor bound exciton emissions. Two-step dissociation processes of the UV emission are observed with the increasing temperature. The thermal quenching mechanism is attributed to the dissociation of the free exciton from the neutral donor bound exciton in the low temperature region and the dissociation of free electron and hole from the free exciton in the high temperature region. 相似文献
43.
Magnetic properties and temperature dependence of electrical transport properties of rare-earth-metal Dy-doped GaN thin film are experimentally studied with a superconducting quantum interference device magnetometer and van der Pauw method. It was found that this thin nitride film has both semiconductor properties and ferromagnetism from 1OK to room temperature. The dopant-band (conducting band due to doping) electron conduction dominates the transport properties of this film at low temperatures. These results indicate that Dy-doped GaN is an n-type ferromagnetic semiconductor at room temperature. 相似文献
44.
WANG Mingwei LI Bo FENG Kun RAO Jun KANG Zihua LI Xiujuan LILi WANG Minghong FAN Mingjie 《核工业西南物理研究院年报(英文版)》2004,(1):77-79
in order to study non-indutive plasma current production, the lower hybrid current drive(LHCD) experiment on the HL-2A tokamak is carried out. Simultaneously a microcomputer has been used to control the whole LHCD system. During the experiment this year, we can monitor and protect the LHCD system by use of the microcomputer control system, which will imediately switch off the microwave power to be launched into the tokamak if the plasma is disrupted. All this ensure that the microwave is injected into the equipment correctly. 相似文献
45.
基于BDF的无约束优化方法的收敛性分析 总被引:3,自引:0,他引:3
1.介 绍 在上个世纪的七十年代末、八十年代初,基于常微分方程的优化方法或者说同伦方法是一类与拟牛顿法和共轭梯度法等我们所熟知的优化方法相竞争的重要方法[1-6,8,13,14,16].由于这类方法只是简单地利用现成的数值求解常微分方程的软件包,如CVODE[7]、LSODE[12],对同伦方程(一般是一个常微分方程的初值问题)进行计算,除了一些特殊的病态问题 相似文献
46.
HL-1M装置等离子体与ICRH发射天线的相互作用 总被引:1,自引:0,他引:1
赵培福 《核聚变与等离子体物理》2003,23(1):45-50
ICRH实验的一个比较突出的问题就是杂质。杂质的产生与ICRH发射天线同等离子体的相互作用和RF脉冲的发射有着不可忽视的联系。对HL-1M装置的ICRH发射天线在两年多实验中的变化作了简要的介绍和讨论,并对今后ICRH发射天线的设计提出了一些建议。 相似文献
47.
48.
为了在亚临界到临界点这个大范围内保证制冷剂物性计算的快速、稳定、可逆,提出将整个数据区间划分成若干个子区间分别进行隐式拟合,并且保证相邻子区间连接点处的连续与光滑,以及通过求分析解从隐式方程中得到显式物性计算式的方法.以美国国家标准局开发的程序REFPROP6.01的计算结果作为数据源,以R410A为例对该方法做了验证.得出快速物性计算公式的应用范围为饱和温度-60℃至临界温度,与NIST REFPROP 6.01的计算结果进行比较表明,计算速度快1500倍,平均相对偏差小于0.01%. 相似文献
49.
在2004年的实验中,首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理,在这种硅化器壁的条件下,对轻重杂质的线辐射进行了研究,并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中,通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗,研究了硅化对氢再循环的影响。 相似文献
50.
非晶金刚石膜的性能及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
非品金刚石薄膜具有超高硬度等一系列优异的特殊性能,为工程界孜孜追求的材料表面镀膜。用百纳科技公司研发制造的过滤阴极真空电弧离子镀膜机镀制的非晶金刚石薄膜,SP^3金刚石结构量≥80%,硬度高,膜/基结合力高,摩擦系数小,耐磨损,耐腐蚀,透光率高,在电子,机械,光学,生物医学上有广泛应用前景。我们已在视窗玻璃,丝锥,模具,硬质合金刀头等产品上成功应用。 相似文献