三角形画出来，妙解亮出来

大家知道，三角形中的三角函数问题是三角函数中的一种重要题型，它在各级各类考试包括高考当中经常是“闪亮登场”．该题型旨在考察三角形背景下三角函数恒等变形的能力以及运算能力，它的知识内容往往涉及正弦定理、余弦定理和三角函数中各种常见基本关系、公式等．     

基于TMS320VC5416的计算装置设计

TMS320VC5416是TI公司生产的一款低功耗高性能：定点16位数字信号处理器，工作频率可达150MHz，具有很强的数字信号处理能力。采用基于TMS320VC5416的数字处理装置能够完成较复杂的数据采集、传输、处理和仿真通信功能。经过不断调试并改进，该计算装置在下面两方面取得初步成效。     

物理实验教学与中学生辩证逻辑思维能力的培养

阐述了如何在辩证逻辑基本规律——对立统一规律指导下，通过挖掘物理实验中蕴涵的辩证逻辑思维素材，在物理实验教学中有意识地培养学生的辩证逻辑思维能力。     

硅色敏器件对复色光色差辨识能力的数值分析

对复色光的光谱功率分布和色敏器件光谱响应的实验曲线进行了函数拟合，采用Mathematica 4．2计算了具有不同峰值波长和半高宽的高斯分布的复色光在色敏器件中产生的电流比．计算结果表明，待测复色光的峰值波长和半高宽变化对两种典型的色敏器件的输出信号影响的权重比分别为100：1和10：1。权重比说明色敏器件的输出电流比随峰值波长和半高宽的变化非常灵敏，但两者权重不同，其中峰值波长的变化影响更为显著，是影响复色光颜色变化的主要因素．数值分析的结果表明，硅双结色敏器件对复色光色差有良好的辨识能力．两种器件权重比的差异说明了器件制作工艺与其辨识能力的关系，为器件合理设计提供了理论依据．     

钯合金膜分离器级串氢同位素分离

钯合金膜分离氢同位素是基于氕、氘、氚在钯中的溶解度、扩散系数和表面反应动力学特征的差异而进行的。与目前聚变堆燃料循环中广泛采用的低温精馏方法相比，钯合金膜分离方法的原料是气态，而且在分离过程中氢同位素气体以原子形态存在，具有原料滞留量小，装置设计简单等优点。然而对于钯合金膜来说，单位面积上透过的气体体积有限，在保持钯合金膜氢同位素选择性透过能力的前提下，在一定反应器规模下尽可能的增大钯合金膜的面积，从而提高钯合金膜分离氢同位素的能力就成了钯合金膜大规模应用时要解决的首要问题。在前期实验工作的基础上设计了钯合金膜分离器，但是单级分离器的氢同位素分离能力是有限的。为实现H2/T2混合气体的完全分离，可以将多级钯合金膜分离器以一定方式串接起来，构成一个具有连续分离特性的氢同位素分离系统。     

对高职物理实验教学的几点建议

高等职业教育是我国最近几年才建立的一种新型的高等教育体系，它以实用性、职业性为方针，培养生产第一线的应用型、技术型人才．为了让学生走出校门后能直接参加生产实践，尽快适应岗位的需要，除了要求学生具备一定的基础理论知识外，还必须具有较强的实践动手能力．“物理实验”是高职工科专业开     

尝试错误--学习的"催化剂"

1　问题的提出错误是学生在学习过程中自然存在的现象 ,也是不可避免的 ,在数学教学中企图让学生完全避免错误是不可能的 ,也是没有必要的 .相反 ,在某些情况下却需要有意识地让学生专门进行“尝试错误”的活动 ,这样 ,一方面可充分暴露学生思维的薄弱环节 ,有利于对症下药 ;另一方面 ,错误是正确的先导 ,有时错误比正确更具有教育价值 .正如当代科学家、哲学家波普尔所说 :“错误中往往孕育着比正确更丰富的发现和创造因素 ,发现的方法就是试错方法” .因此 ,在教学中通过暴露学生学习过程中的错误 ,为学生提供以错误为源泉的学习反应后刺…     

高等职业学校会计专业应加强珠算的实践性教学

目前,高职会计专业的首要问题是增加实践教学课时,突出高等职业特点。我国高职院校会计专业实践教学课时的比重一般都低40％,这一比例和国外相比要低得多。要培养出毕业后能直接上岗的会计,突出高等职业教育的特色,必须加大实践教学的课时比重。     

物理演示实验开放教学的探讨

介绍了以能力培养为主线的定性与半定量物理演示实验开放式教学模式及其在我校的运作情况。     

Multiple-State Storage Capability of Stacked Chalcogenide Films （Si16Sb33Te51/Si4Sb45Te51/Si11Sb39Te50） for Phase Change Memory

The multiple-state storage capability of phase change memory （PCM） is confirmed by using stacked chalcogenide films as the storage medium. The current-voltage characteristics and the resistance-current characteristics of the PCM clearly indicate that four states can be stored in this stacked film structure. Qualitative analysis indicates that the multiple-state storage capability of this stacked film structure is due to successive crystallizations in different Si-Sb-Te layers triggered by different amplitude currents.