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41.
42.
掺Eu3+硅基材料的发光性质 总被引:9,自引:5,他引:4
通过溶胶-凝胶技术制备了掺Eu^3 的硅基材料并测试了其三维荧光光谱、激光谱和发射光谱,结果显示,最佳激发波波长为350nm,最强荧光波长为620nm;在350nm光激发下的发射光谱显示Eu^3 的特征发射光谱,产生4条谱带,分别是577nm(^5D0-^7F0),588nm(^5D0-^7F1),596nm(^5D0-^7F1)和610nm(^5D0-^7F2)。 相似文献
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44.
45.
Experimental Study of Capillary Effect in Porous Silicon Using Micro-Raman Spectroscopy and X-Ray Diffraction 下载免费PDF全文
LEIZhen-Kun KANGYi-Lan QIUYu HUMing CENHao 《中国物理快报》2004,21(7):1377-1380
We investigate the capillary effect and the residual stress evolution in the wetting, drying and rewetting stages of porous silicon using x-ray diffraction and micro-Raman spectroscopy. A reversible capillary effect and an irreversible oxidation effect are the driving forces for the residual stress evolution. The lattice expansion of the porous-silicon layer is observed to decrease slightly by x-ray diffraction and the tensile residual stress increases rapidly by micro-Raman spectroscopy, with the change of about 82 MPa for the oxidation effect and the change of 2.78 GPa (enough for cracking) for the capillary effect. Therefore, the capillary effect plays a major role in the residual stress evolution in the stages. A simple microscopic liquid-bridge model is introduced to explain the capillary effect and its reversibility. The capillary emergence has a close relation with a great deal of the micro-pore structure of porous silicon. 相似文献
46.
提出用发展中的硅微机械加工技术设计制作硅一体化薄膜微电极器件.这类微电化学器件具有微电极所特有的全部优点,而且由于结构上的一体化,便于器件整体的微型化和集成化.试用薄膜微电极器件电流法常温直接检测CO2气体,取得了满意的结果。设想通过器件三维构型设计的改进和完善,器件工作的长期稳定性可望进一步提高. 相似文献
47.
渗滤的系统及其分析及其数学模型 总被引:4,自引:0,他引:4
刘松 《数学物理学报(A辑)》1994,(4)
对于两相体系和多相体系有多孔介质中的渗滤分离过程进行数学模拟,并求解出这一过程. 相似文献
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49.
DaXinSHI YaQingFENG ShunHeZHONG 《中国化学快报》2005,16(5):685-687
Photoinduced synthesis of CO2 and CH4 was investigated using a batch reaction system on several photoactive materials supported on silicon dioxide. Single semiconductor showed higher selectivity to C1 compounds. The production of C2-C3 oxygenates took place preferentially on composite semiconductor photocatalysts. In particular, it was found that acetone was the primary product over Cu/CdS-TiO2/SiO2. 相似文献
50.
ZhangChonghong SunYoumei T.Shibayama LiuJie WangZhiguang SongYin DuanJinglai ZhaoZhiming YaoCunfeng WangYing HouMingdong JinYunfan 《近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报》2003,(1):62-63
The study of damage evolution in silicon carbide bombarded with energetic helium ions is important for the use of this material in future fusion reactors. Heavier inert gas atoms like Ne and Xe have similar behavior of diffusion and clustering with helium, and the comparison of damage accumulation behavior between energetic helium and heavier inert gas ions can reveal important aspects of underlying mechanisms. As an extension of our 相似文献