深过冷Ag-Cu-Ge三元共晶合金的相组成与凝固特征

在Ag_38.5Cu_33.4Ge_28.1三元共晶合金的深过冷实验中，获得的最大过冷度为175 K(0.22T_E). XRD分析表明，不同过冷条件下其共晶组织均由(Ag),(Ge)和η(Cu₃Ge)三相组成. 在小过冷条件下，三个共晶相协同生长，凝固组织粗大.随着过冷度的增大，共晶组织明显细化，(Ge)相与其他两相分离，以初生相方式生长，而(Ag)相与η相始终呈二相层片共晶方式共生生长. 当过冷度超过80 K时，初生相(Ge)由小过冷时的块状转变为具有小面相特征的枝晶方式生长. 部分小面相(Ge)枝晶出现规则的花状，花瓣数介于5—8之间，并且过冷度越大(Ge)相越容易分瓣. 花状(Ge)枝晶的晶体表面为{111}晶面簇，择优生长方向为〈100〉晶向族. 关键词： 三元共晶 晶体形核 深过冷 快速凝固     

T形网络与П形网络的等效变换法

电阻的T形网络与П形网络间的等效变换是电路计算中经常遇到的问题．一般教材都根据等效的概念采用基尔霍夫定律得到转换公式，过程复杂，不利于学生的理解和掌握．这里介绍一种更为简便易懂的推导方法．     

自然循环回路内芯片的强化沸腾换热研究

针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究.测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60 μm和200 μm.沸腾介质的过冷度设为10 K、25 K和35 K.随着壁面过热度的增加,微结构表面芯片上的热流密度急剧增加且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,这与其在池沸腾换热中的特点一样.但临界热流密度值与池沸腾情况相比有所降低.     

Scheme for entanglement concentration of unknown W class states via linear optics

This paper proposes a scheme for entanglement concentration of unknown triparticle W class states with a certain probability. This protocol is mainly based on the coincidences of single-photon detectors and requires single-photon detectors and linear optical elements. The scheme is feasible within current technology.     

A threshold voltage model MOSFETs considering for high-k gate-dielectric fringing-field effect

In this paper, a threshold voltage model for high-k gate-dielectric metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSFETs） is developed, with more accurate boundary conditions of the gate dielectric derived through a conformal mapping transformation method to consider the fringing-field effects including the influences of high-k gate-dielectric and sidewall spacer. Comparing with similar models, the proposed model can be applied to general situations where the gate dielectric and sidewall spacer can have different dielectric constants. The influences of sidewall spacer and high-k gate dielectric on fringing field distribution of the gate dielectric and thus threshold voltage behaviours of a MOSFET are discussed in detail.     

非自治Lotka—Volterra竞争系统

讨论了一般ｎ个种群的非自治Ｌｏｔｋａ－Ｖｏｌｔｅｒｒａ竞争系统，给出了系统的正解灭绝的一个充分条件。文献「１，２」中的主要结果被很好地推广。     

关于Fatou域的结构

给定有理函数$f$的一个不变的多连通吸性域$U$,我们证明存在一个有理函数$g$和它的一个完全不变的Fatou域$V$,使得$(f,U)$和$(g,V)$是全纯共轭的,而且$g$的Julia集的每个非平凡分支都是拟圆周,其内部是一个最多包含一个后临界轨道点的最终超吸性域. 进一步,$g$在相差一个全纯共轭的意义下是唯一的.     

关于非主Hopf曲面的模空间

构造了Ｓ＾１上Ｓ＾３｜Ｈ－丛的所有复结构的模空间，其中丛的转换函数ｕ：ｓ＾３／Ｈ→Ｓ＾３／Ｈ是Ｓ＾３／Ｈ的一个对合，ＨＵ（２），Ｈ为有限群且在Ｓ＾３／Ｈ上的作用是自由的。真不连续的。     

A Novel Mo—Doped Compound with Graphite—Like Structure：[H3O]2V3O8

1 INTRUDUCTION During the last few years, there has been much effort paid to the synthesis of new transition-metal oxides that might be active hosts for intercalation reactions. Vanadium and molybdenum in higher oxidation states with higher reacting ability tend to form polynuclear, anionic metal-oxygen clusters with an extraordinary variety of the relevant topology and electronic structures[1~3]. The preparation of the corresponding clusters is of special interest for different aspects …