Cr4Mo4V轴承钢滚动接触疲劳和磨损性能研究

通过球棒滚动接触疲劳(RCF)试验机,研究了Cr4Mo4V轴承钢在4050润滑油润滑和0.18滑滚比条件下的滚动接触疲劳和磨损性能.结果表明:Cr4Mo4V钢的应力-寿命(S-N)曲线数据分散性较大,疲劳寿命随着应力增加呈下降趋势.Cr4Mo4V钢滚动接触磨损主要为磨料磨损,黏着磨损和疲劳磨损,随着应力和时间增加磨损体积增加,滚道凹槽深度达到17μm.通过光学显微镜(OM)和扫描电子显微镜(SEM)观察试样棒剖面与滚道交界处疲劳裂纹,发现疲劳破坏类型主要有两种:起源于表面的剥落(SOF)和起源于白蚀区的剥落(WSF).通过滚道径向切割抛光酸蚀显示Cr4Mo4V钢滚动接触疲劳影响区,随着应力和循环接触次数的增加,在次表层依次发现黑蚀区(DER)、白蚀区(WEA)和蝴蝶组织(BW).表面碳化物的剥落坑,黏着磨损和疲劳磨损的凹坑导致了表面起裂、白蚀区和蝴蝶组织中的碳化物和夹杂导致微裂纹的产生,链状碳化物使裂纹往深处扩展.     

CdGeAs2单晶体的腐蚀研究

报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为:H2O2(30;): NH4OH(含NH325;-28;): NH4Cl(5mol/L): H2O=1 mL: 1.5 mL: 1.5 mL: 2 mL.将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs2晶片,在40 ℃下超声振荡腐蚀数分钟,采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察.结果表明,新型腐蚀剂对CdGeAs2晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著,蚀坑取向一致,具有很强的立体感;(204)晶面蚀坑呈三角锥形,(112)晶面蚀坑呈五边形,从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论.     

硫镓银晶体(112)面蚀坑形貌研究

本文报道了一种能在室温下对硫镓银晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,采用新腐蚀液对改进的Bridgman法生长的AgGaS2晶体进行腐蚀,用扫描电镜对蚀坑进行了观察,得到了清晰的(112)面蚀坑形貌,形状为三角锥形.初步解释了蚀坑的形成原因.AgGaS2晶体低指数的{100}面的腐蚀速度较慢,在腐蚀过程中逐渐显露出来,最终使晶体(112)面呈现出三角锥形蚀坑形貌.     

cdSexTe1-x薄膜电极光溶解性能的研究

用循环伏安法对半导体Cdse_xTe_1-x薄膜电池的光溶解性能进行了研究。在1mol/L KCl溶液中测量光溶解产物的阴极还原特性,考察了在多硫化钠,多硫化钾及铁氰化钾溶液中的光腐蚀行为。用此方法还研究了薄膜电极表面的光刻蚀过程和pH的影响,并用X射线光电子能谱分析光刻进行不同时间后,电极表面发生的变化。     

因次分析法在电化学噪声分析中的应用

采用电化学噪声技术,研究了铝合金2024-T3在NaCl溶液中孔蚀过程的电化学噪声特 征.结果表明:电化学噪声的时域数据通过传统的FFT变换后得到的频域曲线SPD的特征参数(W 、、k和fc)均不能单独正确地刻画材料表面孔蚀的强度和趋势.基于因次分析法的基本原理 和对材料腐蚀过程影响因素的分析,从电化学噪声频域曲线SPD的特征参数出发,导出了能正 确表征材料表面孔蚀强度和趋势的两个参数SE和SG.其中,SE正比于孔蚀的强度IS,而SG的意 义仍在进一步的研究之中.     

TATB基钝感炸药JB-9014的冲击起爆反应增长规律

采用铝基组合式电磁粒子速度计技术,通过一维平面冲击实验研究了JB-9014炸药的冲击起爆反应增长规律,获得了11.33～14.18 GPa不同初始入射冲击压力下JB-9014炸药撞击界面及其内部不同深度处冲击前沿的波后粒子速度,进而得到粒子速度-时间波剖面图,并拟合得到未反应JB-9014炸药的Hugoniot关系。此外,根据冲击波跟踪器所测波形获得了不同冲击压力下的到爆轰时间及距离。     

空化和泡Ⅰ:透平尼亚号首航失利之谜

本文简要回顾了透平尼亚号实验船在首航过程中因空化现象的产生所导致的首航失利的历史故事。基于历史资料,本文介绍了透平尼亚号的主要特色及当时的历史背景,探析了首航失利的原因,阐述了空化现象的基本概念及其与螺旋桨转速间的密切联系,并进一步汇总了透平尼亚号后续的持续改进情况及试航。最后,本文简要总结了透平尼亚号实验船及科学家查尔斯·帕森斯关于空化现象研究工作的历史意义及其对后世的影响。     

等离子作融蚀断路开关实验研究

本文叙述了在EPA-74脉冲线加速器上开展的等离子体融蚀断路开关(PEOS)实验研究工作。实验中采用三个等离子体发射枪,磁绝缘传输线(MITL)的阻抗为133Ω。实验表明PEOS可以降低二极管预脉冲电压。使束的焦斑变小,增大X射线剂量。预脉冲电压由原来的60kV降低到10kV,靶正前1米处X射线剂量增加了77％。     

面心立方晶体表面蚀坑的分形特征

本文应用唯象方法，对面心立方晶体的（１１１）面上的显微电化学蚀坑作分形几何分析。提出晶面缺陷的复制侵蚀势概念，此势具有类Ｓｉｅｒｐｉｎｓｋｉ垫结构的自相似复制特征。最后将所得理论结果与红外材料Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体的（１１１）面上的电化学蚀坑形貌观察观察结果比较，符合甚好。     

含钪铝镁合金微生物腐蚀行为的研究

采用电化学、微生物学和表面分析的方法，研究了厌氧环境硫酸盐还原菌（subtere ducing bacteria，SRB）溶液中Al-6Mg-Zr添加Sc元素前后的腐蚀行为。结果表明，添加Sc元素后，合金的氧化膜更加致密，具有更好的保护作用，使电极开路电位正移100mV左右，同时Sc元素的加入降低了材料在SRB菌液中的点蚀敏感性，使材料耐微生物腐蚀性能得到提高，但是添加Sc后的合金对SRB更加敏感。显微观察表明添加Sc前后两种铝镁合金的腐蚀特征均为点蚀，能谱分析表明随浸泡时间增加，腐蚀越来越严重，腐蚀产物堆积和阳极金属溶解造成进一步腐蚀。