自制金属的电阻率随温度升高而增大的演示实验

1实验目的 演示金属的电阻率随温度的升高而增大 2实验器材 干电池三节(用学生电源也可)、2.5 V小灯泡一个、开关一个、日光灯灯丝一根、火柴一盒、导线若干.     

椭圆问题的非线性边界条件均匀化

在本文我们讨论了在等值面边值问题中的非线性边界条件的均匀化,推广了相应的边界条件均匀化结果,而且可应用到用于处理热敏电阻问题中的一类非线性非局部边值问题的边界条件均匀化问题。     

射频磁控溅射法制备Cu3N薄膜及其性能研究

采用反应射频磁控溅射法,在氮气和氩气的混合气体氛围中,玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜(Cu3N)薄膜,并研究了混合气体中氮气分量对Cu3N薄膜的择优生长取向、平均晶粒尺寸、电阻率和光学带隙的影响.原子力显微镜,X射线衍射仪,四探针电阻仪,紫外可见光谱分析及纳米压痕仪等测试结果表明:薄膜由紧密排列的柱状晶粒构成,表面光滑致密;随着氮气分量的增加,Cu3N薄膜由沿(111)晶面择优生长转变为沿(100)晶面择优生长,晶粒尺寸变小,电阻率ρ从1.51×102Ω·cm逐渐增加到1.129×103Ω·cm;薄膜的光学带隙在1.34～1.75eV间变化;薄膜的硬度约为6.0GPa,残余模量约为108.3GPa.     

n型GaAs欧姆接触电极制备工艺

目前,n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主,然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程,可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400 ℃氩气气氛下退火处理后,电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触,极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400~500 ℃时可得到很小的比接触电阻率(10^-6 Ω·cm²),有利于半导体器件工作稳定性的提高,降低能耗。退火温度低于400 ℃或高于500 ℃后比接触电阻率都较大,这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为:设备成本低、流程简便、节省电极材料,具有良好的经济效益和实用价值,适合科研实验室使用。     

微通道板玻璃的电阻率

叙述微通道板玻璃的电阻率和其氢原处理后的表面电阻率以及表面电阻率的影响因素。按照玻璃钢络结构观点并就微通道板制造工艺中出现的电阻率差异进行了分析。最后，给出了改进措施。     

沉积在熔融玻璃基底表面金薄膜的电输运特性

研究了沉积在熔融玻璃基底表面的金薄膜的电输运特性和阻温特性，实验结果表明，在电流小于50mA情况下，金薄膜在真空中的直流，—γ特性与传统的RRN模型计算结果相符合；在电流大于50mA情况下，它与传统薄膜系统的直流，—γ特性有很大区别，分析表明，熔融玻璃基底表面的非平整性以及不稳定性是影响此类薄膜特征电阻率的主要原因，此外，在一定条件下，金薄膜的阻温系数在温度为43K附近发生正负值转变。     

电子型超导体Nd1.85Ce0.15CuO4单晶输运性质研究

我们测量了最佳掺杂的Nd1．85Ce0．15CuO4单晶的电阻率和ab面以及c方向热电势．ρ-T曲线在高温下表现为非常好的直线，超导转变比较尖锐Tc,mid=20．6K，说明我们的样品品质很好．低温下的电阻率拟合结果表明频率大约100K的软声子模与载流子有强烈相互作用，这是极化子模型有力的证据．对于热电势结果，令人惊奇的是，无论数值还是曲线形状，包括低温曳引峰的位置，c方向的热电势Sc与ab面内的热电势Sab非常接近．这可能是某种共同的机制导致的结果．比较Nd1．85Ce0．15CuO4和Sm1.85Ce0.15CuO4的热电势曲线可以发现，二的数值和曲线形状基本相同，而与La1．85Sr0．15CuO4差异较大，这进一步说明了顶点氧在这些体系中的作用．     

自制简易教具提高课堂效率

实验在物理教学中起着重要的作用.由于配置实验仪器数量有限,并且配置仪器不可能十全十美,因此教师根据实际情况自制一些简易教具,既可以弥补配置仪器的不足,又可以提高教师的业务素质,同时还可以使一些复杂实验简单化,抽象实验形象化,演示实验大众化.     

压力下CeSb晶体的导电特性研究

在4.2—273K 温区内,0—14 Kbar 压强下,测量了 CeSb 单晶的电阻率.计及 P-f 互作用随温度的变化,我们在理论上计算了与压强有关的 CeSb 磁性电阻率,并将计算结果与实验值比较.     

低电压冲击片雷管设计

采用Lee提出的FIRESET模型，对金属电爆炸过程进行数值模拟，在FIRESET模型中，主要用了4个特征参量来描述导体电阻变化率，分别是导体爆炸后电阻率A；爆炸时电阻率峰值B；爆炸时电阻率峰值宽度S0；导体爆炸时比作用量G0。