中能电子的全截面测量装置和对氮分子的散射全截面

介绍一台用于中能电子散射全截面的测量装置，并给出了５００－２６００ｅｖ电子与氮分子散射全截面的实验结果。 关键词：     

中子引起的单粒子反转截面的Monte Carlo模拟计算

单粒子效应是蠹民粒子在电子元器件中通过时，靠民电子元器件的电离损伤，导致电子元器件的记录出错。考虑了１０－２０ＭｅＶ中子与硅反应的主要反应道，利用Ｍｏｎｔｅ Ｃｑｒｌｏ方法对中子射入硅器件器中引起的单粒子反转进行模拟，得到质子、α粒子的能量、角度分布。考虑带电粒子在硅片中引起的电离 损伤，对不同临界电荷在１６Ｋ动态ＲＡＭ硅片中有一个灵敏单克发生反转时，中子入射注量及相应在的单粒子反转截面，给出了反     

钢筋混凝土梁截面加固承载力分析

针对钢筋混凝土梁的截面加固问题进行了深入的受力分析，明确地论证了加固结构的受力性能与未经加固的普通结构有着显著的差别，并提供了计算公式。     

600MeV 18O+natPb(厚靶)系统生成Hg同位素独立产额测量(Ⅱ)结果与分析

报道了600MeV ¹⁸O轰击^natPh(厚靶)生成的质量数在180—209之间的Hg同位素产物独立截面的测量结果.通过与600MeV质子轰击天然铅靶生成Hg同位素产额分布的比较,讨论了几个质量区段Hg同位素的生成机制.测量结果也与相对论重离子碎裂反应双质子移出道的产额分布进行了比较.结果表明,中能重离子与中子较富集靶核组成的反应系统对生成丰中子类靶余核具有较明显的优势.     

类氦离子的KLL双电子复合过程的相对论理论研究

在相对论多组态Dirac-Fock理论基础上，发展了计算双电子复合截面的程序.并以类锂C³⁺，Ar¹⁵⁺，Kr³³⁺和U⁸⁹⁺等离子为例，详细计算了共振双激发态1s2l2l′的辐射衰变率、Auger衰变率及相应的双电子复合截面.对于C⁴⁺，Ar^l6+和Kr³⁴⁺离子的结果与已有的计算和实验结果都能很好地符合；对于U⁹⁰⁺离子，则重点 关键词： 双电子复合 截面 MCDF     

建筑物墙壁电磁耦合截面建模及应用

电磁波照射下的建筑物室内电磁环境具有混响效果,因此可采用功率平衡法（PWB）快速评估室内电磁环境水平。然而目前PWB方法中电大腔壁耦合截面（CCS）的计算模型建立在腔内电磁波不穿透腔壁的条件下,无法直接用于电磁波可穿透室内建筑物墙壁的耦合截面计算。为此,提出了一种适用于电磁波穿透有限厚度建筑物墙壁的CCS计算新模型。该模型考虑实际建筑物墙体的厚度和材料电磁特性,能够充分反映电磁波因有限厚度墙壁多次反射对室内电磁环境水平的影响。将该模型应用于室内电场水平的快速评估,预测结果与实际测量结果吻合较好,证明了所提有限厚度建筑物墙壁CCS模型的合理性。     

自然弯扭梁的非线性分析

研究了两端边界均为完全约束的自然弯扭梁在小应变，大位移和大转动情况下的非线性性质，并考虑了横向剪切变形和扭转翘曲变形的影响，分析中还包括了拉伸，弯曲和扭转的各种弹性耦合。由最小势能原理可以导出所给问题的平衡方程。这里欧拉角可以用来表示任意大的转动。该方法还可方便地推广到其他各种不完全约束边界的情况。此外，利用上述结果还可以得到该梁在小位移理论中的基本方程和有关公式。     

自由叠合梁中的弯矩计算

自由叠合梁中的弯矩计算揭敏（华中理工大学力学系武汉４３００７４）本文就材料力学中有关自由叠合梁弯矩的计算问题作一讨论，以纯弯曲梁为例，如图１所示，１，２两根完全相同的梁自由叠合后受外力矩Ｍ作用，发生平面弯曲，设梁１上的弯矩为Ｍ＿１，梁２上的弯矩为Ｍ＿...     

复合材料单闭室薄壁梁弯曲与扭转分析

本文主要讨论复合材料单闭室薄壁梁的弯曲与扭转，重点研究横向剪切和限制翘曲的影响。在复合材料薄壁梁弯曲与扭转经典分析理论的基础上，建立了一种能够考虑横向剪切和限制翘曲影响的复合材料单闭室薄壁梁弯曲与扭转分析方法。