含ZnS：Mn^2＋纳米晶玻璃中Mn^2＋三种格位态的EPR研究

通过对ＺｎＳ：Ｍｎ＾２＋不同含量的钠硼硅玻璃发光和激发光谱测量,发现Ｍｎ离子可能占扭替位（Ｍｎ＾２＋）ｓｕｂ和间隙（Ｍｎ＾２＋）ｉｎｔ两种格位。进一步的电子 磁共振（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐａｒａｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ,ＥＰＲ）实验证实了这一判断,并从ＥＰＲ谱人（Ｍｎ＾２＋）Ｓｕｂ,（Ｍｎ＾２＋）ｉｎｔ和Ｍｎ团三种格位态的存在。观测到ｇ因子和超精细结构（ＨＦＳ）常数随纳米晶粒径的减小而增     

立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质p-n结

 在Si中掺杂N型片状立方氮化硼单晶的(111)面上,利用热灯丝化学气相沉积方法生长了掺B的p型金刚石薄膜,从而制得了立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质p-n结,测试了该p-n结的V-A特性,结果表明其整流特性良好。     

镍锗尖晶石扩散域高温蠕变性能的实验研究

利用人工合成的多晶材料研究了镍锗尖晶石在扩散域的高温蠕变性质。材料颗粒尺寸为0．5μm到8μm，压缩试件为圆柱状，使用气体介质围压试验机。常压蠕变试验过程中，围压为300MPa，温度为1123K到1523K，差应力在55－330MPa范围内。从实验结果得到的镍锗尖晶石在扩散域的流动律表明流动机制为颗粒边界的扩散蠕变（Coble蠕变）。将橄榄石和尖晶石的蠕变数据外推到地球内部条件，粗粒时尖晶石强度远大于橄榄石，粒度减小时，尖晶石比橄榄石还要弱。     

超声辅助液相合成多晶SnS纳米粉

本文以Na2S·9H2O和SnCl2·2H2O为反应源物,采用超声辅助液相合成法制备SnS纳米粉.用XRD、TEM和TED等方法对粉体样品进行了表征,检测结果表明粉体样品为具有斜方晶体结构的SnS纳米微粒,其平均晶粒尺寸约为15～25nm.论文还简要讨论了超声波对SnS纳米粉形成的影响,分析认为超声辅助手段的加入有利于多晶SnS纳米粉的形成.     

利用太赫兹光谱和密度泛函理论研究烟酰胺-庚二酸共晶体的多晶型

烟酰胺, 又称为维生素PP,是辅酶Ⅰ和辅酶Ⅱ的组成部分,是许多脱氢酶的辅酶。庚二酸是一种广泛使用的共晶体前体。烟酰胺与庚二酸形成的药物共晶体具有两种不同的多晶型, 分别为晶型Ⅰ和晶型Ⅱ。不同的药物晶型常常具有不同的物理化学性质,这些差异可能会对药物的溶出速率、稳定性以及药效具有较大影响,因此在药物领域中寻找合适的技术手段鉴别药物的不同晶型非常重要。利用太赫兹时域光谱在室温下对烟酰胺-庚二酸的两种共晶体在0.2～2.2 THz范围内进行检测,发现两者的特征吸收峰具有明显的差异,晶型Ⅰ在1.51,1.73,1.94,2.01和2.17 THz有五个特征吸收峰,其中在1.94,2.01和2.17 THz处是三个吸收强度较大的峰,而晶型Ⅱ在1.66,1.74,1.88,2.02和2.16 THz有五个特征吸收峰,与晶型Ⅰ不同的是在2.02和2.16 THz处有两个强度较大的吸收峰。利用密度泛函理论对烟酰胺-庚二酸两种共晶体进行理论计算,计算结果表明实验峰与理论峰基本对应,对吸收峰指认归属表明特征吸收峰来源于分子骨架的振动与包含氢键的振动。研究结果表明太赫兹时域光谱技术对于区分药物共晶体的多晶型现象具有重要的应用。     

氧化镥中杂质对铈掺杂硅酸镥多晶粉体光谱性质影响

氧化镥中杂质元素对其分离制备工艺、生产成本及镥基硅酸盐闪烁晶体的性能有很大影响,但杂质元素对晶体的性质影响研究较为有限,有待进一步完善。 本文采用高温固相法制备了Lu₂O₃分离过程中关键杂质元素Yb³⁺和Ca²⁺共掺杂Lu₂SiO₅∶Ce多晶粉体,研究了Yb³⁺或Ca²⁺含量对多晶粉体光谱性质的影响,结果表明:Yb³⁺或Ca²⁺共掺并未改变发射光谱的形状和位置,随着杂质元素摩尔分数的增加,光谱强度和荧光寿命逐渐降低。     

Er/Yb:Gd0.5Lu0.5VO4多晶原料的合成及表征

Er/Yb: Gd05Lu0.5VO4晶体用于人眼安全和超快调Q脉冲激光领域中,而生长该类晶体的原料需纯度高、成分均匀、配比准确.以三种方法合成Er/Yb: Gd0.5Lu0.5VO4原料:(1)利用液相法合成的ErVO4、YbVO4、LuVO4、GdVO4以一定比例混合在高温下烧结(液相-固混法);(2)采用液相共沉淀法生成Er/Yb: Gd0.5Lu0.5VO4沉淀后在高温下烧结(液相-液混法);(3)以柠檬酸为络合剂,用溶胶-凝胶法合成前驱体,在高温下烧结.利用XRD、FTIR、SEM、ICP、EDS等分析方法对合成原料表征,探讨各种方法合成原料的最佳条件,从纯度、颗粒尺寸、均匀性、组分准确性等方面比较三种方法合成原料的优缺点,为合成优质钒酸盐混晶原料提供重要的实验依据.     

利用电导率测量方法研究不同粒径ZnS高压相变过程

利用在金刚石对顶砧上集成的金属电极,对不同粒径的ZnS材料进行了高压原位电导率测量. 粒径为2 μm的体材料ZnS在15 GPa时,电导率迅速增大5个数量级,表明体材料ZnS此时发生了从闪锌矿到岩盐矿的结构相变. 而粒径6 nm的纳米材料ZnS的结构相变压力为21 GPa. 电导率测量结果还表明纳米 ZnS比体材料ZnS还具有更宽的迟滞区间.     

强流脉冲电子束辐照诱发多晶纯铝中的空位缺陷簇结构

利用强流脉冲电子束（HCPEB）技术对多晶纯铝样品进行辐照,采用透射电子显微镜详细分析了辐照诱发的空位簇缺陷.HCPEP辐照后,在辐照表层内形成了大量的四方形空位胞,其间包含位错圈和堆垛层错四面体（SFT）等类型的空位簇缺陷.1次辐照后,空位胞内产生空位型位错圈,5次辐照则主要产生SFT;10次辐照后,空位胞内产生的空位簇缺陷主要是位错圈,局部区域也观察到了SFT缺陷,在产生SFT的附近区域具有很低的位错密度或者几乎无位错出现.HCPEB辐照产生的瞬间加热和冷却诱发了幅值极大且应变速率极高的应力,这一因素 关键词： 强流脉冲电子束 多晶纯铝 空位簇缺陷 堆垛层错四面体     

镝掺杂锆钛酸铅镧透明陶瓷的结构和电光性能

针对锆钛酸铅镧(PLZT)电光陶瓷在光调制器应用中存在工作电压偏高、场致滞后明显等不足,以镧系镝(Dy)元素对锆钛酸铅镧(Pb0.88La0.12)(Zr0.4Ti0.6)0.96O3 [PLZT(12/40/60)]线性电光材料进行掺杂改性.采用热压技术研制镝掺杂锆钛酸铅镧[Pb0.88(La1-xDyx)0.12](Zr0.40Ti0.60)0.96O3](PLDZT)(x=0.1～0.5)透明电光陶瓷.系统考察了PLDZT透明陶瓷的光学性能和电光特性及其与材料结构的相关性.研究表明,Dy掺杂导致材料晶格畸变,微量Dy掺杂有效提高了 PLZT(12/40/60)透明陶瓷的光学透过率,并且使典型的线性电光材料呈现二次电光效应特征,二次电光系数R约为5.59×10-15m2/V2;同时掺杂改性的PLDZT(x=0.1)透明陶瓷的驱动电压较未改性PLZT材料明显降低.