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1.
利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯铝样品进行辐照,采用透射电子显微镜详细分析了辐照诱发的空位簇缺陷.HCPEP辐照后,在辐照表层内形成了大量的四方形空位胞,其间包含位错圈和堆垛层错四面体(SFT)等类型的空位簇缺陷.1次辐照后,空位胞内产生空位型位错圈,5次辐照则主要产生SFT;10次辐照后,空位胞内产生的空位簇缺陷主要是位错圈,局部区域也观察到了SFT缺陷,在产生SFT的附近区域具有很低的位错密度或者几乎无位错出现.HCPEB辐照产生的瞬间加热和冷却诱发了幅值极大且应变速率极高的应力,这一因素 关键词: 强流脉冲电子束 多晶纯铝 空位簇缺陷 堆垛层错四面体  相似文献   
2.
强流脉冲电子束诱发纯镍表层纳米结构的形成机制   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯镍进行了表面处理,并采用扫描电镜和透射电镜对强流脉冲电子束诱发的表面及亚表面的微观组织结构进行了分析.实验结果表明,HCPEB辐照后表面熔化,形成了深度约为2 μm的重熔层,快速的凝固使重熔层中形成晶粒尺寸约为80 nm的纳米结构.位于轰击表面下方5—15 μm深度范围内强烈塑性变形引起的位错墙和其内部的亚位错墙结构是该区域的主要结构特征.这些缺陷结构通过互相交割细化晶粒,最终导致尺寸约为10 nm的纳米晶粒的形成. 关键词: 强流脉冲电子束 纳米结构 多晶纯镍 位错墙  相似文献   
3.
以数字化部件为基础,选取某控制系统为电气系统的代表子系统,开展电气系统BIT技术研究。根据子系统的典型故障,给出了相应的故障检测方法,并设计了故障诊断电路。以样机为基础,采用上电BIT、周期BIT和维护BIT三种方式,对系统的典型故障进行了验证。  相似文献   
4.
关庆丰  顾倩倩  李艳  邱冬华  彭冬晋  王雪涛 《物理学报》2011,60(8):86106-086106
为了研究金属的超快变形机理,利用强流脉冲电子束(HCPEB)技术对多晶纯Cu进行了辐照处理,并利用透射电子显微镜对HCPEB诱发的表面微结构进行了表征.实验结果表明,HCPEB轰击多晶纯Cu后,在轰击表层诱发了幅值极大的应力和极高的应变速率.1次HCPEB轰击材料表层的变形结构以交滑移形成的位错胞和位错缠结结构为主;多次轰击后平行的位错墙和孪晶是该区域的主要变形结构特征;原子面的扩散乃至位错攀移可在晶界和孪晶界上形成台阶结构.根据各自区域的变形结构特征,对相应的变形机理进行了探讨. 关键词: 强流脉冲电子束 多晶Cu 变形结构 孪晶  相似文献   
5.
 探讨了储存环束流的Robinson不稳定性问题,提出用“等效失谐角大于零”取代“失谐角大于零”作为束流稳定的基本条件。在合肥光源电子储存环200 MeV注入状态下,对束流不稳定性与高频腔失谐之间的关系进行了实验测量。结果表明:当束流稳定条件不满足时,如果高频腔大失谐,束流将全部丢失;小失谐时束流容易部分丢失;当高频腔处于负失谐状态,束流流强将限制在较低水平。  相似文献   
6.
利用强流脉冲(HCPEB)电子束技术对多晶纯Cu进行了辐照处理,并利用透射电镜对HCPEB诱发的空位簇缺陷进行了表征.实验结果表明,HCPEP辐照金属可在纯Cu表层诱发大量的过饱和空位,并形成四方形空位胞及空位型位错圈和堆垛层错四面体(SFT),HCPEB瞬间的加热和冷却诱发的幅值极大的应力和极高的应变导致的整个原子平面的位移是空位簇缺陷形成的主要原因.此外,扫描电镜分析表明HCPEB辐照可以在纯Cu表面形成高密度、弥散分布和尺寸细小的微孔.过饱和空位或空位团簇沿晶体缺陷向表面扩散、凝聚是表面微孔形成的根  相似文献   
7.
鱼肝油中脂肪酸和角鲨烯的成分研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
 ]本文介绍了利用PEG-20M交联玻璃毛细管色谱柱分离鱼肝油中混合脂肪酸和角鲨烯的毛细管气相色谱法,获得了7个鱼种的脂肪酸和角鲨烯的定性定量结果。结果表明,对绿鳍马面鲀含有较高的花生四烯酸和角鲨烯,分别为0.93%和27.42%,这是以甲酯总量为100计算的。  相似文献   
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