ZnS：Cu水溶胶的发致发光研究

研究了硫脲和硫代硫酸钠体系中ＺｎＳ：Ｃｕ纳米微粒的光致发光性能随Ｃｕ＾＋离子掺杂浓度及生长时间的变化。在３２５ｎｍ的紫外光激发下,ＺｎＳ：Ｃｕ纳米微粒产生位于５００～５４０ｎｍ的宽带发射,Ｃｕ＾＋掺杂浓度为０．６％时发射达到最强。该发射峰随掺杂浓度的提高和微粒生长时间的延长而红移;当Ｃｕ＾＋掺杂浓度为０．２％时,ＺｎＳ：Ｃｕ纳米微粒还产生了一个位于４５０ｎｍ的蓝色发射带,该发射在掺杂浓度更高时被灭     

应用热压计算纯有机物质的汽化热

本文应用热力学基本定律建立了汽化热与热压的关系,然后把立方型状态方程引入上述关系式,从而导出可推算各种物质汽化热的通用公式。本文应用该公式对３２种常用的物质（其中包括强极性,氢键缔合物质,如醇类等）的汽化热进行计算,并与实验数据进行比较,总的平均误差为 １５５％。     

多壁碳纳米管/聚醚醚酮(MWCNT/PEEK)复合材料的制备及其性能研究

采用热压烧结法制备了纯聚醚醚酮(PEEK)及MWCNT/PEEK复合材料.通过表征发现：导热系数、密度、硬度及热稳定性随多壁碳纳米管(MWCNT)含量的增加而增大.系统研究了载荷、速度及不同MWCNT含量对复合材料摩擦学性能和磨损机理的影响.结果表明,MWCNT可显著降低复合材料的摩擦系数和磨损率.在固定转速200 r/min,载荷为40和80 N,MWCNT质量分数为1%条件下,摩擦系数和磨损率最低,摩擦系数分别为0.241和0.235,磨损率分别较纯PEEK降低了60%和56%.当载荷增加到100 N,MWCNT质量分数为2%时,摩擦系数最低,磨损率较纯PEEK降低89%.固定载荷40 N,转速为400 r/min时,1%MWCNT/PEEK复合材料的磨损率最低,较纯PEEK降低了89%.当转速增大至600 r/min,2%MWCNT/PEEK复合材料的磨损率较纯PEEK降低了85%.固定转速200 r/min、载荷为40 N,MWCNT的质量分数较低时(<2%),MWCNT/PEEK复合材料的磨损机理主要是黏着磨损,MWCNT的质量分数(≥2%)较高时,磨损机理发生黏着磨损...     

La0.67Ca0.33MnO3多晶薄膜电流效应

研究了在不同电流下多晶La0.67Ca0.33MnO3薄膜的电输运特性.观察到电阻随着电流的增大而减小,在多晶样品中当外加电流为1mA时负的电电阻(ER)即达到30%.同时,电流对于磁阻(MR)也有影响.考虑多晶样品中晶界的作用,我们提出了极化电流传输模型,对所观察到的实验现象进行了解释.     

单相硫化锌量子点制作白光发光二极管(WQLEDs)

制备不含稀土元素、价格低廉且对环境友好的单相量子点发光材料,对于实现白光量子点二极管(WQLEDs)的大规模商业化应用至关重要.用一步水热法合成了硫化锌量子点(Zn S-QDs),其热分解温度高达680℃,荧光量子产率为16.3%.通过紫外吸收光谱和理论计算探讨了Zn S-QDs的锌空位发光机理,并制备出发标准白光的WQLEDs,工作电流在300 mA时的国际照明委员会(CIE)坐标为(0.3725, 0.4006),显色指数(CRI)为76.6,相关色温(CCT)为4500 K,三色比(R,G,B)为R=14.6%,G=83.5%,B=1.8%,红绿蓝三种颜色中绿光占比最多,蓝光含量最少,有利于眼睛的保护.该研究实现了使用无稀土掺杂的单相量子点制备WQLEDs的目标.     

铂活性位空间结构调控氧还原机理的理论研究

氧还原反应(ORR)的两个主要中间物种(^*OH和^*OOH)吸附强度不同且又存在线性比例关系,导致对^*OH和^*OOH吸附强度调节的顾此失彼,即使在最好的Pt催化剂上, ORR理论过电位约有0.45 V,^*OH脱附为决速步(PDS).本工作构建了具有三维空间结构的多低指数晶面Pt(100)-(110)-(111)模型,多晶面交错形成的凹凸结构上,^*OH和^*OOH的吸附不再有线性比例关系,达到同步优化^*OH和^*OOH吸附强度,进而实现降低固有过电位的目的.密度泛函理论计算结果表明, Pt(111)-(100)晶面交错的“凹点”因配位不饱和度最小,对中间物种的调节最强,吸附最弱;同时还可平衡^*OOH与^*OH吸附强度,使^*O的质子化成为联合机理的PDS;晶面交错形成的“平点-凹点”双活性位,可催化解离机理的进行,过电位可降低至0.27V...     

在多晶Al2O3衬底上化学气相沉积MgB2超导薄膜

报道了制备MgB2超导薄膜的一种新方法和测量结果，MgB2超导薄膜的制备采用的是两步异位退火方法，但在现有报道的方法不同的是，制备硼（B）先驱膜采用的是化学气相沉积方法，在460℃温度下热分解乙硼烷（B2H6）沉积的，然后镁（Mg）蒸气中分别在730℃、780℃和830℃条件下退火，生成MgB2超导薄膜，扫描电子显微镜观察表明制备薄膜是多晶的，MgB2晶料小于2μm。X衍射分析发现所生长的薄膜是随机取向的。800℃条件下退火生成的MgB2超导薄膜起始转变温度和零电阻温度分别达到35K和24K，结果表明，采用B2H6热分解化学气相沉积B先驱膜的方法在优化的沉积条件和退火条件下可制备高质量的MgB2超导薄膜，我们这种化学气相沉积MgB2超导薄膜方法在大面积的MgB2超导薄膜制备方面较脉冲激光沉积方法具有优势，并且与现有的半导体工艺技术相兼容，有利用实现MgB2超导薄膜在电子器件方面的应用。