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针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点,对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正,提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型,用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证,对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线,重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势,研究结果表明,由于在沟道中存在量子效应,在栅下靠源端低电场区域,电流主要分布在InGaAs沟道
关键词:
高电子迁移率晶体管
复合沟道
物理模型
磷化铟 相似文献
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采用蒙特卡罗方法,对EACVD中氢原子的发射过程进行了模拟。给出了由氢原子谱线测定电子平均能量的方法,结果对EACVD生长金刚石薄膜过程中实时监测电子平均能量,进而可以有效地控制工艺条件,生长出高质量的金刚石薄膜具有重要意义。 相似文献
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基于直流电子枪-超导加速腔(DC-SC)光阴极注入器样机的初步实验结果,北京大学提出了新的注入器的改进设计。新注入器核心结构包括皮尔斯枪和3+1/2超导腔。文章给出了它们的详细结构参数,然后采用程序,对注入器的束流动力学进行了模拟。结果发现:新注入器可以提供具有高束流品质、高平均流强的电子束,束团的电荷量100 pC,横向发射度低于2 mm·mrad,脉宽5 ps,rms束斑可达0.5 mm,重复频率81.25 MHz;也可以提供电荷量为300 pC低重复频率的高峰值流强的电子束,其横向发射度小于3 mm·mrad,脉宽约为9 ps,以满足北京大学自由电子激光(PKU-FEL)实验平台的要求。 相似文献
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《Surface and interface analysis : SIA》2006,38(3):150-157
The role of water‐soluble corrosion products on galvanized wires was examined. The samples used were industrial hot‐dip galvanized wires, which were exposed to the open air under all weather conditions for a relatively short time (6 and 12 months), in an urban environment close to the sea. The samples were studied by different methods, i.e. scanning electron microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), X‐ray diffraction (XRD) and optical microscopy (OM). Several phases were detected because of the galvanization procedure and the steel substrate. Furthermore, phases which were formed as a result of the reaction of zinc with the atmosphere were also detected. These were oxides like ZnO, carbonates like ZnCO3 and hydrated Zn and Fe sulfates. Their presence influences the corrosion resistance of the wires, which finally, strongly depends on the solubility of the wires in water. The SO42? compounds especially are very soluble and consequently are easily removed from the coating surface, leading to its degradation by the formation of cavities. In any case, their presence, even after a short period of exposure, implies that the coating is highly affected by the atmosphere of the modern city. Copyright © 2006 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献
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Mingshu Chen 《Surface science》2006,600(19):L255
In this letter, atomically resolved scanning tunneling microscopic (STM) images obtained from monolayer SiO2/Mo(1 1 2) are presented. The results are consistent with a previously proposed structural model of isolated [SiO4] units based on vibrational features observed by high-resolution electron energy loss spectroscopy (HREELS) and infrared reflection-absorption spectroscopy (IRAS), and oxygen species identified by ultra-violet photoemission spectroscopy (UPS). These results are inconsistent with a structural model that assumes a two-dimensional (2-D) [Si-O-Si] network. These data illustrate that a metal substrate, although coated with an oxide thin layer, can be directly imaged at the atomic-scale with STM. 相似文献