Al12N、Al12B团簇结构和电子性质的密度泛函计算

利用密度泛函理论研究了Al12N和Al12B团簇的原子结构和电子性质,通过各种异构体的比较,发现两种掺杂团簇的最低能量结构都是完好的二十面体(Ih)结构,N(B)原子占据在二十面体的中心.高对称性团簇形成稀疏离散的电子态密度和大的电子能隙.在Al-N之间发生较大的电荷转移.因此我们建议把Al12N团簇看作是碱金属超原子,Al12B团簇看作是卤素超原子,用来构造团簇组装固体.     

一类新的表面活性剂——长链烷基三苯基鏻——Ⅵ.稳态荧光猝灭法测定十二烷基三苯基溴化鏻胶束的平均簇集数

研究了十二烷基三苯基溴化鏻(C_(12)PBr)胶束中N,N-二甲基苯胺(DMA)和二苯甲酮(DPK)对芘的荧光猝灭,发现DMA的猝灭行为不符合Stern-Volmer动态猝灭和Turro静态猝灭模型;DPK的猝灭行为不符合Stern-Volmer猝灭模型,但遵从Turro静态猝灭模型。根据DPK的静态猝灭性质测得C_(12)PBr胶束的平均簇集数为15士2,并相应地得到C_(12)PBr的临界胶束浓度为(1.77±0.09)×10~(-3)mol/L,后者与文献值一致。     

化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.     

北京谱仪端盖簇射计数器的建造与检测

描述了北京谱仪端盖簇射计数器的结构及制造工艺.并给出丝张力,暗电流、计数管工作特性等检测结果.     

双齿配体—1,2—C_6H_4SX(X=O,S)的钴化合物~1H NMR研究

以~1H NMR谱学和磁化率对一些含邻苯二硫酚或巯基苯酚配体的钴化合物的磁性作了研究,并讨论了它们的电子结构。     

金属上化学吸附的族模型量子化学研究

簇模型方法是研究化学吸附的最重要的量子化学方法之一。本文对＇簇－－表面类比法＇的物理内涵、研究现状、以及发展趋势作了简要的评述。     

吡啶团簇的多光子电离和离解研究

利用飞秒激光和飞行时间质谱结合从头计算对吡啶团簇的多光子电离和离解进行了研究. 给出了吡啶团簇的稳定结构和簇内的质子转移过程.