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101.
提出了一个线性双向联想存储器的模型,一组有限个向量对由一线性算子建立起双向联想关系,此线性算于是一个网络的联结权重矩阵。该权矩阵由最小二乘法决定。由权矩阵的解导出一特殊类型的Lyapunov矩阵方程.本文提供了这种Lyapunov矩阵方程的解。  相似文献   
102.
 应用高压原位差热方法,直接测量了压力下锗的固化参数─—固化温度与过冷度。高压差热信号表明,当压力大于3 GPa时,锗在凝固过程中可能发生结构相变。X射线结构分析表明,在最终的样品中除GeⅠ相外,还形成GeⅢ相和GeⅣ相。  相似文献   
103.
The characterization of the clusters formed on alkaline hydrolysis of [PdCl4]2– was performed using17O,23Na,35Cl,133Cs NMR and UV spectroscopy. The chemical composition of the clusters was found to be [Pd(OH)2] n ·nNaCl. No mononuclear oxo- or hydroxocomplexes were detected. The spatial structure of the clusters is stabilized by alkali metal cations.Translated fromIzvestiya Akademii Nauk. Seriya Khimicheskaya, No. 4, pp. 675–679, April, 1993.  相似文献   
104.
固体力学有限元体系的结构拓扑变化理论   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文是文[1]的继续.文[1]提出了杆件系统的结构拓扑变化理论和拓扑变化法本文将这一理论和方法推进到连续体有限元体系;且在此基础上揭示出有限元体系的一个新性质,称为基本位移之梯度的正交性定理,从而给出一套设计敏度的显式表达式,可直接用于计算.  相似文献   
105.
The theory of tree-growing (RECPAM approach) is developed for outcome variables which are distributed as the canonical exponential family. The general RECPAM approach (consisting of three steps: recursive partition, pruning and amalgamation), is reviewed. This is seen as constructing a partition with maximal information content about a parameter to be predicted, followed by simplification by the elimination of ‘negligible’ information. The measure of information is defined for an exponential family outcome as a deviance difference, and appropriate modifications of pruning and amalgamation rules are discussed. It is further shown how the proposed approach makes it possible to develop tree-growing for situations usually treated by generalized linear models (GLIM). In particular, Poisson and logistic regression can be tree-structured. Moreover, censored survival data can be treated, as in GLIM, by observing a formal equivalence of the likelihood under random censoring and an appropriate Poisson model. Three examples are given of application to Poisson, binary and censored survival data.  相似文献   
106.
计算全息检测非球面干涉场的理论分析与实验结果   总被引:2,自引:0,他引:2  
吴继宗  魏跃林 《光学学报》1989,9(12):072-1077
本文应用光学全息术及傅里叶光学的理论对计算全息图干涉检测非球面面形的光路及干涉场进行了理论分析,提出了其干涉场为不定域干涉的观点,并在实验中予以证实.  相似文献   
107.
R S Nikam 《Pramana》1989,32(4):331-339
The Schwinger representation of the SO(8) fermion pair algebra in terms ofd and quasispin vector (u, s, v) bosons is used in deriving a microscopic boson coherent state having both particle-hole and pair excitations. The coherent state is the exact boson image of the HFB variational solution. We can study the shape phase transition and pairing behaviour of the nuclear ground states using the coherent states.  相似文献   
108.
Summary In the analysis of discretization methods for stiff intial value problems, stability questions have received most part of the attention in the past.B-stability and the equivalent criterion algebraic stability are well known concepts for Runge-Kutta methods applied to dissipative problems. However, for the derivation ofB-convergence results — error bounds which are not affected by stiffness — it is not sufficient in many cases to requireB-stability alone. In this paper, necessary and sufficient conditions forB-convergence are determined.This paper was written while J. Schneid was visiting the Centre for Mathematics and Computer Science with an Erwin-Schrödinger stipend from the Fonds zur Förderung der wissenschaftlichen Forschung  相似文献   
109.
Summary We present an approximation method of a space-homogeneous transport equation which we prove is convergent. The method is very promising for numerical computation. Comparison of a numerical computation with an exact solution is given for the Master equation.  相似文献   
110.
四角晶相HfO2(001)表面原子和电子结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
卢红亮  徐敏  陈玮  任杰  丁士进  张卫 《物理学报》2006,55(3):1374-1378
采用基于第一性原理的密度泛函理论研究了四角晶相二氧化铪(t-HfO2)体相及 其(001)表面的原子几何与电子结构.理论计算结果表明,t-HfO2(001)表面不会 产生重构现象.与体相电子结构相比, t-HfO2(001)表面态密度明显高于体相态 密度.其次,表面原子的态密度更靠近费米能级(EF),价带往低能量处移动,并 有表面态产生.计算结果表明了t-HfO2表面禁带宽度明显低于体相的禁带宽度. t-HfO2(001)的表面态产生以及表面禁带宽度减小是由于Hf原子与O原子的配位 数减少,表面原子周围的环境发生变化而引起的. 关键词: 密度泛函理论 2(001)')" href="#">t-HfO2(001) 表面电子结构  相似文献   
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