显微镜工作台闭环控制系统的设计与实现

高精度工作台控制系统是现代自动显微系统的重要组成部分,其精度直接影响显微镜对样品的检测质量。介绍了一种基于AT89C52单片机的显微镜工作台闭环控制系统的设计方案。工作台移动时作为检测元件的光栅输出脉冲信号。单片机控制电路实现脉冲的计数并计算误差值,控制步进电机进行反馈补偿。步进电机通过细分驱动模块可以以四种不同的步距驱动工作台移动,以实现显微镜对工作台移动速度的不同需要。8位数码管实时显示工作台移动的实际位置。实验结果表明,该系统的重复定位精度可达到0.020mm,可满足显微镜对控制工作台的要求。     

两类拟共形映射的掩盖定理

In this paper we define two classes of quasiconformal mappings,and study their covering properties by methods of module.We obtain some new results.In the meantime,we give new methods to prove Koebe 1/2 covering theorem on convex conformal mappings.     

一类非线性常微分方程振荡解的渐近表示

在本文中,我们讨论了非线性常微分方程y"=a0|x|αy3 a1|x|βy2 α2|x|γy α3|x|δ振荡解的渐近表示．在这个方程中将α0,α,α1,β,α2,γ,α3,δ分别换成0,0,6,0,0,0,sgn(x),1就是著名的第一类Painleve方程,而将α0,α,α1,β,α2,γ,α3,δ分别换成2,0,0,0,sgn(x),1,α0,就是著名的第二类Painleve方程．当α0,α,α1,β,α2,γ,α3,δ分别换成-β/3γ,0,0,0,1/γ,1,α,0时,可用于组合KdV方程孤立子解的化简．     

高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响

本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。     

Hilbert空间中C0-半群族指数稳定性

主要讨论了Hilbert空间中Co-半群族Th(t)指数稳定问题，明了满足||Th(t)||≤Me^σt(M,σ与h无关）的半群族Th(t)指数稳定与弱L^p-稳定是等价的，并且给出了另外的三个判定Th(t)指数稳定的等价条件。     

焚烧炉中多孔介质状垃圾团块传热分析

以焚烧炉中垃圾团块的传热问题为背景,研究含高水分的多孔介质在高温环境下的传热规律。气、固相处于非热平衡态,分别列出其能量方程,且能量方程中考虑辐射项。从描述多孔介质传热的质点方程出发,采用局部容积平均法导出平均化方程,根据经验修正方程中的系数,并列出适当的初始条件和边界条件,用数值计算方法求出垃圾团块中气、固两相的温度场。     

45MeV/A 12C和181Ta相互作用中余核的研究

用厚靶-厚收集箔技术测量了45MeV/A ¹²C和¹⁸¹Ta相互作用中余核的生成截面和反冲性质,并将实验得到的质量产额分布与统计碎裂模型进行了比较.根据前向平均反冲射程计算了线性动量转移,在与我们以前工作相比较后指出,在45MeV/A ¹²C离子引起的反应中,中心碰撞的线性动量转移随靶质量而增加,并与引导粒子模型计算结果很好相符.     

具有非负Gaus曲率的整体C1,14超曲面

本文借助蜕化椭圆型ＭｏｎｇｅＡｍｐｅｒｅ方程Ｄｉｒｉｃｈｌｅｔ问题的可解性，在较弱的条件下，证明了以给定的非负函数为Ｇａｕｓ曲率，以已知的空间曲线为边界的整体Ｃ１，１４超曲面的存在唯一性．