制备二氧化钛分枝纳米棒阵列结构以提高聚合物杂化太阳电池的性能

分别采用一步水热法和两步水热法在导电玻璃(FTO)上制备了二氧化钛(TiO₂)纳米棒(NR)阵列和TiO₂分枝纳米棒(B-NR)阵列。 利用低温化学浴沉积法(CBD)在TiO₂纳米棒阵列(NRA)和TiO₂分枝纳米棒阵列(B-NRA)基底上沉积Sb₂S₃纳米粒子(NPs)。 接着分别旋涂聚-3已基噻吩(P3HT)和2,2'7,7'-四-(二甲氧基二苯胺)螺芴(Spiro-OMeTAD)组装成TiO₂(NRA)/Sb₂S₃/P3HT/Spiro-OMeTAD和TiO₂(B-NRA)/Sb₂S₃/P3HT/ Spiro-OMeTAD为光活性层的杂化太阳电池。 结果表明,由TiO₂(NRA)/Sb₂S₃/P3HT/Spiro-OMeTAD复合膜结构组装的杂化太阳电池的光电转换效率(PCE)是2.92%,而由TiO₂(B-NRA)/Sb₂S₃/P3HT/Spiro-OMeTAD复合膜结构组装的杂化太阳电池的PCE提高到了4.67%。     

选择性合成不同形貌的Sb2S3纳米结构应用于高性能的染料敏化太阳能电池（英文）

近几十年来,随着全球变暖和能源危机的日益严重,对取之不尽、用之不竭的清洁能源技术的需求越来越迫切.1991年Gratzel首次报道了染料敏化太阳能电池(DSSCs),它以低廉的价格、优异的理论功率转换效率(PCE)、环保、多色透明等优点而引起了研究者的关注.Sb2S3因其1.5-2.2 eV的间隙宽度被认为是最有前途的对电极材料之一.此外,Sb2S3是地球中含量丰富的无毒锑矿物的主要成分,还被广泛应用于太阳能转换材料、催化剂、光导探测器等领域.众所周知,石墨烯具有巨大的比表面积、显著的载流子迁移率和优异的热/化学稳定性,这使得提高电子转移效率和电催化活性成为可能.首先,采用改进的Hummers方法制备了氧化石墨烯纳米片;然后采用水热法通过改变Sb源以及实验pH值,合成了Sb2S3和Sb2S3@RGO样品.对样品进行X射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜镜(SEM)、投射电子显微镜(TEM)以及比表面积表征.结果表明,在Sb源不变的情况下,Sb2S3样品的形貌随pH值的变化而变化.以三乙酸锑为Sb源,在pH=3时,Sb2S3的形貌类似于一个完整的纳米棒结构;在pH值为6时,样品为不规则球体;当pH值为8时,纳米片结构开始出现;但当p H=10时,纳米片结构并不均匀.根据XRD分析,只有当pH值为3时,样品的衍射峰才与标准卡(JCPDS42-1393)的衍射峰一致.当以氯化锑作为锑源,样品的形貌由不规则的杆状(pH=3)转变为纳米球(pH=6),然后出现纳米片结构(pH=8).不同的是,当p H值为10时,纳米薄片形成均一的花状结构.XRD结果表明,除pH值为3外,样品的衍射峰与标准卡(JCPDS42-1393)的值吻合较好.结果表明,合成条件所需的Sb源和碱性环境是合成具有均匀花状结构的纳米片状Sb2S3所必不可少的.测得Sb2S3的比表面积约为41.72 m^2g^-1,平均孔径为31.08nm,Sb2S3@RGO的分别为44.53 m^2g^-1和22.65 nm.Sb2S3和Sb2S3@RGO复合材料均具有介孔结构,为内部电催化剂提供了广阔的通道,从而提高了对电极的催化能力,促进了电化学反应.将Sb2S3纳米花球和Sb2S3@RGO纳米薄片作为染料敏化太阳能电池的对电极进行了测试,由于石墨烯的引入,后者比前者具有更好的电催化性能.电化学实验结果表明,与Sb2S3,RGO,Pt作为对电极相比,制备的Sb2S3@RGO纳米薄片具有更好的催化活性、电荷转移能力和电化学稳定性,Sb2S3@RGO的功率转换效率达到8.17%,优于标准Pt对电极(7.75%).     

Isobaric analogue resonances in71As through proton elastic scattering on70Ge

The analogues of the low-lying levels in⁷¹Ge have been observed as resonances in the compound nucleus⁷¹As through proton elastic scattering on⁷⁰Ge in the energy rangeE _p=3.5 to 5.3 MeV. The excitation functions cover the analogue resonances corresponding to states upto 2.3 MeV excitation in⁷¹Ge. The sub-structures in the 5.06 MeV resonance, first observed by Temmer and co-workers have been confirmed in the present experiment. The present investigation reveals similar sub-structures in the 4.13 MeV resonance lending further support to the existence of intermediate structure near an isobaric analogue resonance. The resonance parameters and the spectroscopic factors (for the corresponding parent states) have been extracted. The results are compared with the information available from the⁷⁰Ge(d, p)⁷¹Ge reaction.     

A low-temperature electron diffraction study of structural disorder and its relationship to the Kondo effect in ThAsSe

A low-temperature electron diffraction study has been carried out on ThAsSe to search for evidence of structural disorder associated with the low-temperature non-magnetic Kondo effect. A highly structured and extremely complex characteristic diffuse intensity distribution has been observed at low temperature and interpreted in terms of a gradual charge density wave type phase transition upon lowering of temperature involving disordered As-As dimerization within (001) planes. Plausible models of the proposed As-As dimerization have been obtained using a group theoretical approach.     

温度对Al0.5Ga0.5As/AlAs分布布喇格反射器的反射谱影响

采用光学传输矩阵理论对Al0.5Ga0.5As/AlAs材料分布布喇格反射器(DBR)进行理论研究,分析了－10℃到100℃的范围内,温度变化对不同DBR结构的反射光谱影响.结果表明：随着温度的升高,传统20周期DBR的反射光谱向长波长方向移动,速率约0.05 nm/℃,其中由线热膨胀系数带来的影响小于0.001 nm/℃.当传统DBR的周期数增大时,温度对DBR光谱反射率的影响在减小,同时DBR的反射谱峰值波长发生红移.为了降低温度对DBR反射光谱的影响,提出一种新型的复式DBR结构.分析指出：该复式DBR比传统DBR有更大的反射光谱半峰宽,基本能覆盖同温度的AlGaInP LED电致发光光谱,这对提高LED的出光效率有现实意义.     

ICP-AES测定高砷铁矿中砷和钒

建立了用硝酸-氢氟酸-高氯酸消解,ICP-AES测定铁矿中砷和钒的方法.该方法检出限砷为50mg/kg,钒为8mg/kg;相对标准偏差(RSD)砷为4.92%以下,钒为4.37%以下;加标回收率砷在95.3%-105.0%之间,钒在96.5%-102.1%之间.本法可以对铁矿中的砷和钒进行较为理想测定.     

第一原理计算在铁(镍)基超导体中的应用

铁(镍)基超导体的发现引起了凝聚态物理界的广泛兴趣和关注.第一原理计算以其快速、准确等优点在铁(镍)基超导研究过程中做出了巨大贡献.文章主要介绍了第一原理计算在该研究领域所取得的成果,其中包括电子结构计算,磁性基态的寻找和解释,声子谱和电声子耦合,以及关联效应在该类材料中的作用等.文章还简略介绍了目前的研究现状以及存在的问题,分析了未来的研究方向和可能的解决办法.     

用电沉积法制备稀土填充热电材料Bi_2Sb_3Re_x

分别以脉冲电沉积法和直流电沉积法制备了稀土填充热电材料Bi2Sb3Rex(Re=Ce,Nd)。结果表明,采用脉冲电沉积法,在通断脉宽为Ton=10ms(电流1A),Toff=40ms(电流0A),电流密度2000A.m-2,电沉积时间180s的条件下制得的电沉积膜Bi2Sb3Ce2,表面均匀、光滑、致密;在通断脉宽为Ton=0.4ms(电流1A),Toff=2.4ms(电流0A),电流密度2800A.m-2,电沉积时间120s,占空比为0.142的条件下制得的电沉积膜Bi2Sb3Nd0.1,表面均匀、光滑、致密。     

As(III) Determination in the Presence of Pb(II) by Differential Alternative Pulses Voltammetry

Differential Alternative Pulses Voltammetry (DAPV), introduced by the authors earlier, was applied with HMDE for direct As(III) determination in the presence of Pb(II) in natural water without sample pretreatment. Distinguishable peaks of As(III) and Pb(II) were registered in 1 M HCl supporting electrolyte at a concentration ratio as high as 1 : 6, while complete peak overlapping occurs applying DPP at any concentration ratio at the same experimental conditions. In‐situ As(III) determinations in the presence of Pb(II) in contaminated ground waters in Mexico were performed, using especially designed disposable safe mercury drop electrodes.