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51.
用斜坡电压法(Voltage Ramp, V-ramp)评价了0.18μm双栅极 CMOS工艺栅极氧化膜击穿电量(Charge to Breakdown, Qbd)和击穿电压(Voltage to Breakdown, Vbd). 研究结果表明,低压器件(1.8V)的栅极氧化膜(薄氧)p型衬底MOS电容和N型衬底电容的击穿电量值相差较小,而高压器件(3.3V)栅极氧化膜(厚氧)p衬底MOS电容和n衬底MOS电容的击穿电量值相差较大,击穿电压测试值也发现与击穿电量
关键词:
薄氧
可靠性
击穿电压
击穿电量 相似文献
52.
53.
利用气体放电双探针法研究了等离子体的I-V曲线中的电流I相对于电压V轴交点的不对称性,并提出2种可能的解释:一认为是由于两探针表面积不同引起的;二认为是由于探针所在处等离子体电位不等引起的.本文利用仪器的工艺误差和调换放电管电压的方法,对提出的2种可能原因分别进行验证,并指出第二种解释的合理性,并对其进行了理论分析. 相似文献
54.
A Novel Contactless Method for Characterization of Semiconductors:Surface Electron Bean Induced Voltage in Scanning Electron Microscopy 下载免费PDF全文
We present a novel contactless and nondestructive method called the surface electron beam induced voltage (SEBIV) method for characterizing semiconductor materials and devices.The SEBIV method is based on the detection of the surface potential induced by electron beams of scanning electron microscopy (SEM).The core part of the SEBIV detection set-up is a circular metal detector placed above the sample surface.The capacitance between the circular detector and whole surface of the sample is estimated to be about 0.64pf.It is large enough for the detection of the induced surface potential.The irradiation mode of electron beam (e-beam) influences the signal generation When the e-beam irradiates on the surface of semiconductors continuously,a differential signal is obtained.The real distribution of surface potentials can be obtained when a pulsed e-beam with a fixed frequency is used for irradiation and a lock-in amplifier is employed for detection.The polarity of induced potential depends on the structure of potential barriers and surface states of samples.The contrast of SEBIV images in SEM changes with irradiation time and e-beam intensity. 相似文献
55.
改进形态学相关算法以识别高相似度灰度图像 总被引:3,自引:3,他引:0
从形态学角度定义了灰度联合图像相似度,提出两种基于位表示法形态学相关算法的改进算法,通过提取位表示法的图像片边缘特征或二元化位表示法的图像片功率谱,以提高位表示法形态学相关算法对高相似度灰度图像的识别能力。 相似文献
56.
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58.
59.
王守宇 马英君 T.Komatsubara 刘运祚 张玉虎 梁国栋 K.Furuno T.Hayakawa J.Mukai Y.Iwata T.Morikawa G.B.Hagcmann G.Sletten J.Nyberg D.Je 《中国物理 C》2004,28(5):491-494
利用融合蒸发反应116Cd(14N,4n)126Cs布居了126Cs的高自旋态.观测到了100多条新的γ跃迁和相应的能级,建立了双奇核126Cs由9个转动带构成的能级纲图.尝试性地指定了大部分能级的自旋和宇称以及各转动带的Nilsson单粒子组态.极大地丰富了已有的实验结果. 相似文献
60.
在脉冲功率技术中,长脉冲的电压脉冲形成是研究的一个难点。形成数百纳秒甚至上微秒采用一般的同轴传输线是不现实的,而采用集中参数人工线在负载为低阻抗时由于电容器的寄生电感等的影响而使波形成形较差。螺旋传输线可以延缓脉冲的传播速度,形成较长的脉冲,是比较有前途的发展方向,本次实验以300kV功率源作为螺旋线的脉冲充电电源,试验螺旋传输线形成高压脉冲的可行性及具体的技术问题。 相似文献