首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3446篇
  免费   332篇
  国内免费   2533篇
化学   5281篇
晶体学   60篇
力学   99篇
综合类   83篇
数学   9篇
物理学   779篇
  2024年   15篇
  2023年   67篇
  2022年   81篇
  2021年   76篇
  2020年   71篇
  2019年   91篇
  2018年   53篇
  2017年   62篇
  2016年   96篇
  2015年   94篇
  2014年   174篇
  2013年   205篇
  2012年   147篇
  2011年   158篇
  2010年   165篇
  2009年   189篇
  2008年   202篇
  2007年   205篇
  2006年   210篇
  2005年   219篇
  2004年   250篇
  2003年   286篇
  2002年   280篇
  2001年   283篇
  2000年   214篇
  1999年   210篇
  1998年   226篇
  1997年   226篇
  1996年   224篇
  1995年   226篇
  1994年   194篇
  1993年   209篇
  1992年   224篇
  1991年   184篇
  1990年   172篇
  1989年   183篇
  1988年   45篇
  1987年   27篇
  1986年   24篇
  1985年   25篇
  1984年   10篇
  1983年   7篇
  1982年   2篇
排序方式: 共有6311条查询结果,搜索用时 38 毫秒
21.
本文对ICP-AES法测定合金钢及镍基合金中的钨进行了系统的研究。试验表明,钨400.875纳米不受钼400.867纳米线干扰,亦无其它光谱干扰,测量范围在0.2-2%时相对标准偏差不大于3.7%,准确度较好。经过对不同基体及不同组分标钢的测定,有13种标钢能够很好共线,证明钨的测定非光谱干扰基本可忽略不计。本方法化学处理简单,不需分离掩蔽等手段可直接测定。  相似文献   
22.
非晶态Ni—B合金对苯加氢催化行为的研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
李同信  李惠敏 《催化学报》1991,12(6):483-487
  相似文献   
23.
实验结果表明改进的实验室EXAFS谱仪测试Ni箔的K吸收得到的EXAFS谱与同步辐射上测量Ni箔得到的EXAFS谱相近,利用实验室EXAFS方法也可开展较好的结果测量研究,在SiO2粉末载体上Ni负载量变化的EXAFS结果表明,随着Ni负载量的降低,Ni的径向结构函数主配位峰的位置R=0.220nm保持不变,但振幅强度逐渐降低。负载量从Ni箔到2.5%Ni/SiO2,无序度因子σ由0.0068nm  相似文献   
24.
采用电感耦合等离子体-原子发射光谱法同时测定彩涂前处理表面调整转化层中Ti、Ni含量及钝化膜中Cr含量.以表征表面调整转化层厚度及钝化膜厚度,采用本方法准确度高、快速简便,经试验结果令人满意.  相似文献   
25.
本文研究了用一种新型的离子交换树脂从两种工业度液中回收钼的方法。实验证明:树脂从这两种废液中能很好地吸附钼,吸附速度较快,钼饱和容量较高,达700mg/g干树脂以上。同时,用5.6%氨水进行解吸,钼的解吸性能较好,合格解吸液中钼浓度较高,达90~100g/L以上,该解吸液可直接用于酸化沉淀仲钼酸铵晶体。  相似文献   
26.
本文对二种新合成的2,3-二羟基萘二钼和四钼多酸有机衍生物[n-Bu)4N]2[Mo2O5(OC10H6O)2](Ⅰ)和[n-Bu)4N]2[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2](Ⅱ)进行了红外光谱与核磁共振波谱研究,发现[Mo2O5]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率较[Mo4O10(OCH3)2]^2 中钼氧多桥键的红外振动频率红移,而在配合物Ⅱ中2,3-二羟基中芳环的^1H化学位移较配合物Ⅰ中向低场移动。同时还发现含二钼配位中心[Mo2O5]^2 的[Mo2O5(OC10H6O)2]^2-与含四钼配位中心[Mo4O10(OCH3)2]^2 的[Mo4O10(OC10H6O)2(OCH3)2]^2-生成条件的差异仅仅只在反应体系的pH值的微小变化,说明钼多酸有机衍生物阴离子是对体系酸碱度极为敏感的物质。  相似文献   
27.
28.
29.
30.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号