光化学气相淀积SiGe/Si材料的机制分析

本文对光化学气相淀积SiGe/Si过程中气相反应机制和表面反应历程进行了分析和讨论.利用表面反应动力学的有关理论,结合光化学气相淀积的特点,推导出光化学气相淀积SiGe/Si过程中的生长速率和生长压力的关系.并给出该理论结果和实际实验结果的比较.     

火焰原子吸收光谱法测定钴-镍合金镀层中的钴和镍

利用原子吸收光谱法研究了在氨基磺酸钴-镍镀液中，赫尔槽试片上不同电流密度区合金镀层中钴、镍的含量。实验表明，该方法简便，快捷，结果准确，精密度高。相对标准偏差（RSD）为0.30%-0.62%，加标回收率为97.0%-104.0%。     

羰基镍分析报警仪

羰基镍分析报警仪运用化学发光原理构成，不仅适用于羰基镍生产车间现场的检测和报警，也适于实验室的研究工作。检出限达0.037mg/m^3(0.5ppb），响应时间2min。     

Si1－xGex/Si量子阱发光材料的分子束外延生长及其结构研究

采用固源Si分子束外延,在较高的生长温度于Si(100)衬底上制备出Si1－xGex/Si量子阱发光材料。发光样品的质量和特性通过卢瑟福背散射、X射线双晶衍射及光致发光评估。背散射实验中观察到应变超晶格的反常沟道效应;X射线分析表明材料的生长是共度的、无应力释放的,结晶完整性好。低温光致发光主要是外延合金量子阱中带边激子的无声发射和横光学声子参与的激子复合。并讨论了生长温度对量于阱发光的影响。     

Theoretical Design of High-spin Organic Molecules with —^＊N—S— as a Spin-containing Fragment and Heterocycle as End Groups

IntroductionDesigns and syntheses of organic molecules withvery high-spin ground states have been a topic of greatinterest[1—8].One of the rational approaches to desig-ning high-spin molecules,which has been proposedand studied by several groups[9,10],in…     

类镍W46+、Au51+偶极跃迁的相对论多组态计算

本文基于全相对论Dirac-Fock方法,分别用GRASP0和GRASP2原子结构程序包计算了金和钨的类镍离子3d10-3d94p、3d10-3d94f、3p63d10-3p53d104s和3p63d10-3p53d104d之间的电偶极跃迁波长和振子强度,得到与实验相一致的结果;同时分析了组态相互作用和有限核体积分布效应对高Z高剥离态多荷电离子的原子结构参数的影响.     

Sansalvamide A固相合成新方法

报道了Pd催化丁基二乙基硅烷树脂与N-Boc-4-溴代苯丙氨酸甲酯直接反应形成Si—Ar键一步构建出硅基连接分子的新方法, 并采用Boc策略增长肽链, 以PyBOP (benzotriazole-1-yl-oxy-tris-pyrrolidino-phosphonium hexafluoro- phosphate)为环合剂固相合成了sansalvamide A.