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71.
负载金属对SO^2—4/ZrO2催化剂超强酸性和反应性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了气氛和负载金属对SO^2-4/ZrO2超强酸催化剂正戊烷异构化反应性能的影响。SO^2-4/ZrO2催化剂在N2中初活性较高,但稳定性很差,在H2中活性很低。负载Pr可显著地改善催化剂的活性,选择性和稳定性,负载Ni则使催化剂活性反而降低。催化剂的红外光谱试验结果表明,H2可使结合在ZrO2上的SO^2-4,部分还原,减少超强酸位,Pr对SO^2-4的还原有阻抑作用,使催化剂表面保留较多 相似文献
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73.
74.
本文研究X射线荧光压片法测定黄河水悬浮泥沙中Cu、Zn、Ni、Mn、Fe、Zr、Sr、Rb、Ti元素的条件,并用峰背比法和非线性方法研究了样品稀释比与X射线强度间的线性关系。本法用GSD参考标样所建立的元素含量与X射线强度间的线性函数式线性良好,相关系数R值除Ti为0.98外,其余8种元素均在0.99以上,其余8种元素均在0.99以上。方法的可靠性用GSD参考标样检验,各元素测定结果的相对标准偏差均在3.6%以下。 相似文献
75.
在双面金属包覆介质波导中,随着介质层厚度的变化,会出现TM0模与TM1模的分离和简并两种状态,从而影响衰减全反射(ATR)谱中模序数的确认。通过对金属波层的理论分析和实验研究,提出了三种模序数确认方法:本征角计算法、吸收峰全峰半宽比较法和吸收峰峰间距比较法,实现了两种状态下对模序数的准确判断。 相似文献
76.
Moessbauer studies on the effect of substitution with 3% Al, Co, Mn atoms in the intermetallic compound of Hf0.8Ta0.2Fe2 are reported. The Al substitution leads to increase of the FM-AFM transition temperature and to decrease of the AFM-PM transition temperature. The Co substitution leads to disappearance of the FM state, only showing some FM impurity component, while Mn substituted compound indicates coexistence of FM and AFM states at low temperature. The phenomena imply complex itinerant electron properties in these magnetic systems. 相似文献
77.
采用溶胶-凝胶方法在Si(111)上制备了LSMO(x=0.17)薄膜.研究了块体材料和不同厚度薄膜R -T曲线、红外光谱和X射线衍射.结果表明,LSMO薄膜属于正交晶体结构,薄膜取向与膜厚度 有关,当膜厚度为450nm或680nm时,主要取向〈200〉,而膜厚度为900nm时取向为〈020〉 :根据离子对相互作用能和谐振子模型,得到了红外吸收与Mn—O—Mn键长和键角关系式,6 00cm-1附近红外吸收与晶格常数b的变化有关;块体与薄膜的金属—绝缘体转变 温度(TMI)存在较大差别,薄膜转变温度显著低于块体,并与厚度有一定关系. 认为是LSMO薄膜中的应力诱导了晶格常数变化,引起键角改变及JT效应是转变温度变化的主 要原因.
关键词:
单晶硅
晶格常数
金属—绝缘体转变温度
应力诱导 相似文献
78.
A. John Peter 《中国物理快报》2006,23(4):946-949
We present a simple demonstration of the nonfeasibility of metal-insulator transition in an exactly two-dimensional (2D) system. The Hartree-Fock potential in the 3D system is suitably modified and presented for the 2D case. The many body effects are included in the screening function, and binding energies of a donor are obtained as a function of impurity concentration so as to find out the possible way leading metal-insulator transition in the 2D system. While solving for the binding energy for a shallow donor in an isolated well of a GaAs/Ga1-x Als As superlattice system within the effective mass approximation, it leads to unphysical results for higher concentrations. It shows that the phase transition, the bound electron entering into the conduction band whereby (H)min=0, is not possible beyond this concentration. The results suggest thai a phase transition is impossible in 213 systems, supporting the scaling theory of localization. The results are compared with the existing data available and discussed in the light of existing literature. 相似文献
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80.