铜的彩色电镀

本文推荐一个中级无机化学实验。该实验是在我们多年探索的基础上,经精心编制而成。实验简单易行,可供理工科大学、师范院校化学系选用。通过本实验希望达到以下目的:(1) 熟悉铜的电化学特性;(2) 了解反应物浓度、外加电压对电解速度的影响;(3) 初步掌握装饰性电镀技术的基本原理。     

ICP—AES法测定合金钢及镍基合金中钨

本文对ICP－AES法测定合金钢及镍基合金中的钨进行了系统的研究。试验表明，钨400.875纳米不受钼400.867纳米线干扰，亦无其它光谱干扰，测量范围在0.2-2%时相对标准偏差不大于3.7%，准确度较好。经过对不同基体及不同组分标钢的测定，有13种标钢能够很好共线，证明钨的测定非光谱干扰基本可忽略不计。本方法化学处理简单，不需分离掩蔽等手段可直接测定。     

生物小分子与铜锌超氧化物歧化酶相互作用的波谱学研究及其应用

本工作以ESR和NMR为主要手段,并结合其它生化方法,考察了氨基酸、核酸碱基、糖等生命基本物质,和抗坏血酸等生命必需物质与钢锌超氧化物歧化酶的相互作用,实验观测到氨基酸、核酸碱基和抗坏血酸在水溶液中可以与酶中的Cu²⁺作用而使其脱离活性部位,以小分子络合物形式游离在溶液中,同时使酶失活,脱离活性部位的Cu²⁺的比例和酶的失活程度取决于小分子配体的加入量及其与Cu²⁺的络合能力。此外,首次尝试使用ESR方法,并借助氨基酸与酶的作用,考察了铜锌超氧化物歧化酶在盐酸胍变性和热变性过程中的构象变化行为,结果表明这一方法是直观而有效的。     

金属颗粒-半导体膜Cu:CdS的制备及结构研究

利用磁控溅射产生金属Cu团簇，同时蒸发半导体介质CdS，将Cu团簇包埋在CdS介质中，制备出金属颗粒 半导体膜．团簇大小可通过改变溅射气压控制．用TEM研究了嵌埋团簇的结构．分析表明：CdS很好地包埋了Cu团簇，都呈多晶结构；团簇尺寸在5—20nm，Cu晶格发生了膨胀，膨胀量在7%左右 关键词：     

ICP—AES法测定U3O8标样中Al、Cr、Fe、Mg、P、Pb、Ti、V、W

用7402季铵－Kel-F粉萃取色层使铀和待测杂质元素分离，接着用975型ICP光量计测定U3O8标样中Al、Cr、Fe、Mg、P、Pb、Ti、V、W，回收率为95－110％，相对标准偏差≤5％。     

200A GeV硫核及其重碎片与铜核作用的电荷改变总截面的测量

测量了200A GeV的³²S及其碎片P,Si,Al,Mg,Na和Ne与Cu靶作用的电荷改变总截面.观察到次级碎片的电荷改变总截面比相同电荷的初级粒子的要高.导出的电磁散裂截面与弹丸电荷的平方成比例,与理论预言一致.