不同模板剂合成SAPO-34分子筛的表征与热分解过程研究

采用XRD、SEM、FT IR、TG DTA等表征手段 ,对分别以正磷酸、拟薄水铝石和硅溶胶为磷源、铝源和硅源 ,用五种模板剂合成的SAPO 34分子筛进行了表征 .不同模板剂合成的SAPO 34分子筛在晶粒粒度分布上有相当大的差异 .通过TEAOH Et3 N或者TEAOH Morpholine复合模板剂法可以有效地调节晶粒粒度 .不同模板剂合成的SAPO 34分子筛的红外骨架振动相似 ;而模板剂分子与分子筛骨架的作用方式有区别 .模板剂种类对SAPO 34分子筛骨架热稳定性没有影响 ,但对其热分解的行为有影响     

密封环境气氛中水汽控制技术研究

为了控制密封容器中的水汽，建立有利于物品长期贮存的干燥环境气氛，采用理论、设计与试验验证，定性与定量相结合的方法，对本项目开展了较系统的研究。     

多孔硅的电致发光

９０年代安发展起来的发光多孔硅材料在发光的全色性，电致发光的效率以及稳定性等方面取得不少重要进展。介绍了几种多孔硅发光二极管结构及有关的电致发光机理，从共进展的速度以及目前已达量子效率＞１０＾－＾４的水平来看，其进入实际应用的前景是乐观的。     

Single Crystal Si Layers on Glass Fabricated by Hydrophilic Fusion Bonding and Smart-Cut Technology

A single crystal Si thin film on a glass substrate has been obtained successfully by hydrophilic fusion bonding and the smart-cut technology. Tensile strength testing shows that the bonded interface has strong adhesion and the bonding strength is about 8.7MPa. Crystallinity and microstructure of the samples have been characterized by transmission electron microscopy (TEM). Electrical properties have also been investigated by Hall measurements and four-point probe. The mobility of the transferred Si layer on glass is about 122cm^2//V.s. The results show that the single-crystal silicon layer transferred onto glass by direct bonding keeps good quality for the applications of integrated circuits, transducers, and fiat panel display.     

从石英光纤废料中制备硅新工艺的实验研究

对石英光纤废弃物氢热还原过程进行了热力学分析,并利用X射线衍射分析法(XRD)、激光拉曼光谱(Laser Raman Spectroscopy)、X射线光电子能谱(XPS)及化学分析等对该新工艺进行了实验研究.产物中只检测到硅和氧两种元素且金属键硅质量含量在15%以上,说明该方法不仅可以实现该类危险废弃物的无害化处理,而且还可以作为高纯度太阳级硅的一个潜在的供给渠道,从而弥补太阳能电池硅光伏材料供应的不足.     

国内多孔硅研究近况

 硅和砷化镓的电子结构不同.前者属于间接带隙半导体,电子在价带和导带间的跃迁需要伴随声子的吸收或发射;而砷化镓属于直接带隙半导体,电子可以直接在价带和导带间跃迁.正是由于这个原因,砷化镓的发光效率远远大于硅.目前半导体光电器件均由砷化镓等直接带隙半导体制成.多孔硅是在单晶硅表面上制成的厚度约1-10μm的薄膜,其中含有百分之几十的孔隙,孔隙的横向直径很小,其量级为10nm,而高度可达μm量级.多孔硅在硅器件上有一定的应用前景.多年来不断有论文发表.     

浅孔电极光谱法测定化探样品中钇铌锆镧锰钛铍铬钒

采用浅孔电极,以氯化物作反应剂,使被测元素产生热化学反应,改变其沸点,使之提前挥发,快速曝光,提高被测元素光谱线强度.为了减小基体变化的影响,稳定弧焰温度,采用加大缓冲剂比例的方法,收到了令人满意的效果.方法简便、快速、灵敏,一次取样能同时测定岩石、土壤中钇、铌等九种元素.     

硅甲基硼烯异构化反应机理研究所

用量子化学理论方法研究了硅甲基硼烯(SiH~3B)单重态和三重态异构化反应,计算了有关化合物的电子结构, 优化了过渡态构型, 讨论了两个反应的控制类型。     

多体展形势函数在碳族元素原子族研究中的应用（Ⅳ）—Si9—Si16原子簇…

多体展开势能函数研究表明，Ｓｉ４－Ｓｉ１６原子簇分子间的结构衍生关系：依次增加一个二配位或三配位的表面原子，分子表面被四元蝶形环Ｓｉ４（Ｄ２ｄ）所覆盖；Ｓｉｎ（ｎ＝５－１６）结构中多含有Ｓｉ５（Ｄ３ｈ）、Ｓｉ６（Ｄ２ｄ）区域结构单元，笼状Ｓｉ１０及Ｓｉ１６的表面原子均为三配位或三配位以上，预计Ｓｉ５、Ｓｉ６、Ｓｉ１０及ｓｉ１６是硅原子簇碎片化产物分布中丰度较高的序列；在这一范围内的分子结构呈与晶体