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Resistivity-temperature characteristics of sol gel YBa2Cu3Oy samples synthesized in flowing oxygen atmosphere 下载免费PDF全文
The relationship of resistivity versus synthesizing temperature of sol gel YBa_2Cu_3O_y samples was studied when prepared under flowing oxygen conditions. A set of high-temperature ρ-T curves was obtained for the whole process. After the sample finished the test measuring, its resistivity was ρ_{300}=9.83×10^{-3 }Ω·cm at room temperature. The ρ-T curve also showed that the orthorhombic-tetragonal phase transformation of sol-gel YBa_2Cu_3O_y sample occurred at 581℃ for the sample in the rising temperature process, but at 613℃ in the cooling process, lower than that of the samples made by using the conventional powder metallurgy methods. 相似文献
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毛细管气相色谱法测定中药中有机氯农药残留量 总被引:4,自引:0,他引:4
建立了江西省两种中药中有机氯农药残留量的气相色谱分析方法。样品以丙酮提取,在NaCl存在下,以正已烷进行液—液分配,提取液用H2SO4净化,采用DB—1701毛细管柱,GC—ECD检测有机氯农药残留量。最低检测限为1.0×10-3-5.0×10-3mg/kg,添加回收率为85.7%-115.2%,应用于实际样品中有机氯农药残留量的检测,获得了较为满意结果。 相似文献
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利用激光溅射 分子束的技术 ,结合反射飞行时间质谱计 ,研究了Cu+、Ag+、Au+与乙硫醇的气相化学反应。结果显示这三种金属离子与 (CH3 CH2 SH) n 反应形成一系列团簇离子M+(CH3 CH2 SH) n,且团簇离子尺寸不一样。Ag+、Au+与乙硫醇的反应还生成了 (CH3 CH2 SH) +n ,由此推测Cu+、Ag+、Au+与乙硫醇团簇的反应存在两种通道 ,一种通道是生成M+(CH3 CH2 SH) n,另一种是生成 (CH3 CH2 SH) +n 。Cu+、Au+与乙硫醇的反应还生成了M+(H2 S) (M =Cu、Au) ,但是实验中没有观察到Ag+(H2 S) ,理论计算表明Ag+(H2 S)很不稳定。另外 ,分析产物离子M+(CH3 CH2 SH) n 的强度发现 ,n =1~ 2之间存在明显的强度突变现象 相似文献
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黄龙 《新疆大学学报(理工版)》2003,20(2):130-132
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位. 相似文献
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金属材料分析方法的选择和施行第三讲钢铁中钼的测定(续) 总被引:1,自引:0,他引:1
吴诚 《理化检验(化学分册)》2003,39(5):310-312
(4)对离子交换分离-8-羟基喹啉重量法测钼的解说 在早年的ASTM标准方法中,α-安息香肟重量法及硫化钼沉淀重量法被采纳为钢铁及合金中高含量钼的测定方法。但从1988年以后的修订标准方法(即E351,E352,E353及E354)中对钼量w(Mo)>1.5%的试样均采用离子交换分离-8-羟基 相似文献
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本文给出了Rn+1中超曲面的一些积分公式,并利用这些积分公式得到了以球面为边界的常高阶平均曲率超曲面的一些唯一性结果. 相似文献
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通过系统研究A~190区超形变核中转动带的转动惯量、角动量顺排、旋称分裂随转动频率的变化规律, 结合我们用处理对力的粒子数守恒方法的计算结果, 对A~190区所有转动带的组态结构给出了一个整体的描述. 绝大多数超形变带都建立在强耦合轨道上, 例如中子[512]5/2, [624]9/2. 少数超形变带则建立在高j闯入轨道上, 即中子[761]3/2, [752]5/2. 根据我们提出的组态结构所进行的理论计算结果表明, A~190区所有转动带的一般行为、反常变化和带交叉都得到了满意的解释. 相似文献
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利用场发射显微镜和四极质谱计研究了充入高纯O2的四极质谱和O2对单壁碳纳米管场发射的影响.单壁碳纳米管经过约1000℃的热处理得到清洁态场发射像后,充入O2,分别测量了O2吸附和脱附后场发射的I V特性.实验观测到在单壁碳纳米管上O2的吸附使场发射电流减小,说明逸出功增加.在10-4Pa的O2压强下对单壁碳纳米管进行约1000℃的热处理,可以产生氧化刻蚀作用,观测到场发射像的变化,并测量了氧化刻蚀产生的I V特性变化.
关键词:
单壁碳纳米管
场发射显微镜
场发射
四极质谱 相似文献