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991.
992.
采用X射线光电子能谱对Bi2Sr2CaCu2-xLixOy体系在真空中获得的清洁表面进行了研究。结果表明:Li的掺入对Bi和Sr的化学键性质几乎没有影响,而Ca,Cu,O的化学键性质有较大的变化,其结合能随着Li含量x的增加向高能方向移动。同时对真空中获得的清洁表面和普通表面样品O1s进行了比较,结果发现真空中获得的清洁样品O1s有一个峰(528.4eV),而普通表面样品O1s有两个峰(528.4eV)和(531eV),这表明O1s的高能峰是由污染产生的。
关键词: 相似文献
993.
提出了一个快速测定中成药中痕量铅的新方法。在pH1.5的NaOAc HCl KI 明胶体系中,EP≈-0.55V,不经任何分离,直接测定了中成药中铅,铅浓度在0.01~0.80μg·ml-1范围内与波高呈线性关系,结果良好。 相似文献
994.
本文将一个关于两个不交国的单点粘合的图的LPlaCe谱的受控定理推广到了两个国的多点粘合何形;同时证明了相同的结果对目的Q一回也成立。 相似文献
995.
996.
997.
998.
999.
利用Mossbauer谱和磁测量方法对经过适当热处理的Cr75(Fe0.67Mn0.33)25合金的磁性进行了研究。结果表明合金中原子的化学分布对合金的磁有序状态的形成起重要作用。通过热处理过程影响合金中的富Cr、富Fe原子集团,引起反铁磁、铁磁转变温度的升高。合金中的富Cr、富Fe原子集团导致合金中的磁相分离。 相似文献
1000.
Frequency-dependent capacitance-voltage (C-V) measurements have been performed on modulation-doped Al0.22 Ga0.78N/GaN heterostructures to investigate the characteristics of the surface states in the AlxGa1-xN barrier. Numerical fittings based on the experimental data indicate that there are surface states with high density locating on the AlxGa1-xN barrier. The density of the surface states is about 10^12cm^-2eV^-1, and the time constant is about 1μs. It is found that an insulating layer (Si3N4) between the metal contact and the surface of AlxGa1-xN can passlvate the surface states effectively. 相似文献