n型砷化镓微区光电化学腐蚀过程

在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne激光照射, 使n-GaAs表面发生微区光电化学腐蚀, 用计算机控制步进马达, 使试样在X-Y二维方向扫描移动, 能在晶片上得到刻蚀点直径2 μm的刻蚀图案. 研究了激光相对光强, KOH、H_2SO_4、KCl等刻蚀剡的浓度, 光腐蚀的时间, 电极电位等因素对腐蚀点的直径和深度的影响, 通过实验数据找出腐蚀过程的规律, 并用光电化学原理进行解释.     

[Nd（ONO2）6][Cu（Im）（Phen）2]2（OH）.4H2O的合成,晶体结构…

用Ｎｄ（ＮＯ３）３．６Ｈ２Ｏ、Ｉｍ（Ｃ３Ｈ４Ｎ２）、Ｐｈｅｎ（Ｃ１２Ｈ８Ｎ２）和Ｃｕ（ＮＯ３）２．３Ｈ２Ｏ为原料，两步反应合成了标题化合物，该化合物晶体属Ｐ１空间群，晶胞参数ａ＝１．０１２６（２）ｎｍ，ｂ＝１．１７９２（２）ｎｍ，ｃ＝１．３９８５ｎｍ，ａ＝１１１．３２（３）°，β＝９３．１７（３）°，γ＝９０．３３（３）°，Ｚ＝１，Ｒ＝０．０４３，测定了化合物的ＵＶ－Ｖｉｓ－ＮＩＲ及ＩＲ光谱和变温     

稀土对锌基合金镀层耐腐蚀性能的影响

本文通过盐雾实验、均匀腐蚀实验及电化学方法测量弱极化区双向极化曲线和交流阻抗。展示了纯Zn及Zn-Al,Zn-Al-RE合金在NaCl溶液中的腐蚀情况。用上述不同的实验方法得到了一致的规律。即Zn中掺Al或Al-RE都使Zn的耐蚀性增强。Zn中加入Al-RE耐蚀性尤佳。本文还对稀土提高耐蚀性的原因进行了讨论。     

La2O3-Mo5Si3/MoSi2复合材料的高温氧化行为

研究了0．8％La2O3-MosSi3／MoSi2复合材料在1200℃空气中的高温氧化行为。结果表明：0．8％稀土和MoSi3的加入，使材料的抗氧化性能降低。MosSi3含量越高，材料的抗氧化性能越差。当MosSi3含量低于30％时，在氧化初始阶段，质量变化呈直线下降，随着氧化的进行，氧化逐渐增重，材料表面形成较致密的SiO2阻止了材料的进一步氧化，使得氧化增重较小。而0．8％La2O3-40％Mo5Si3／MoSi2复合材料却出现了“粉化”现象。0．8％La2O3．MosSi3／MoSi2复合材料抗氧化性能的降低，归因于Mo5Si3差的抗氧化性和材料致密度的降低；另外，稀土和Mo5Si3的加入，细化了材料的晶粒，使晶界面积增加，加速了氧在晶界中的扩散，促进了材料的氧化。     

Study of the Complexation Behavior of Calixarene with Transition Metal Cations by UV—vis and Fluorescent Spectra

A new fluorescent compound based on calix[4] arene skeleton was synthesized.Its complexation ability with transition metal ions,such as Fe^3 ,Co^2 ,Ni^2 ,Cu^2 ,Zn^2 and Ag^ ,Was investigated by UV-vis and fluorescent spectra.     

四种硝基苯的电化学行为及其反应活性的理论计算

在滴汞电极上研究了硝基苯、对硝基甲苯、间二硝基苯及2，4-二硝基氯苯的电化学行为，并用量子理论对四种硝基苯化合物的反应活性进行了预测，理论与试验结果基本一致，据此提出了预测分子的电化学活性的方法。     

萘磺酸盐与β环糊精衍生物的包结行为

以自组装方式在石英晶体谐振器的金电极表面修饰末端含巯基的β环糊精衍生物(βCDd),用石英晶体微天平(QCM)在线监测α、β萘磺酸盐与之发生包结反应的过程,探讨了温度、浓度、取代基位置对包结反应稳定常数Kin和速率常数ka的影响.从理论上推导并通过实验验证了Kin和ka所遵从的关系式.结果表明:所形成的包结配合物中βCDd与萘磺酸盐的化学计量均为1:1;包结配位反应过程符合Langmuir吸附模型;取代基在萘环上的位置对Kin和ka有很大影响,说明不同取代位置的萘磺酸盐与βCDd的包结行为存在明显差异.     

丹麦生物质发电的现状和研究发展趋势

丹麦是世界上利用秸秆生物质燃烧发电技术开发、运行最好的国家，其经验值得中国借鉴。根据作者在丹麦对生物质燃烧发电的研究经历，系统地介绍了丹麦在秸秆生物质发电的经验、遇到的问题及相应的研究和今后的发展方向。     

聚合物介质中盐离解行为的温度依赖性研究

<正> 近十年来尽管聚合物-盐复合物作为潜在的理想电解质材料已得到广泛研究,人们对于在象聚合物这样的高粘度介质中盐的离解行为仍缺乏了解。特别是关于盐离解度的温度依赖性,不同的作者对相似的体系曾得出截然相反的结论。最近,Angell和许康等相继通过不同研究途径证实了在上述介质中盐离解产生的自由离子数n随温度上升而下降,其趋势可由Arrhenius公式表示:     

芳香族热致液晶聚（对羟基苯甲酸－对苯二甲酸双酚A酯）的流变性能

用Ｉｎｓｔｒｏｎ３２１１型毛细管流变仪研究了以对羟基苯甲酸（ＰＨＢ）、对苯二甲酸（ＴＰＡ）和双酚Ａ（ＢＰＡ）为单体合成的共聚芳酯液晶熔体的流变性能。结果表明，切变速率、熔体温度及ＰＨＢ链节含量对切粘度和结构粘度有很大的影响。切变速率在１０～１０３／Ｓ、温度２９５～３３０℃范围内，共聚酯粘流活化能△Ｅη为７４．５～２０５．１（ｋＪ／ｍｏｌ）。液晶熔体在剪切流中存在屈服应力τｏ，随温度升高τｏ值降低。在低温、低切变速率下，共聚酯熔体的弹性很小，甚至呈现挤出收缩现象。