核磁共振成像技术的新进展

核磁共振成像出现至贪不过２０年左右。由于它在医学的诊断上起了很大的作用，使它在短短的２０年中取得了飞速的发展，本文在简述了核磁共振成像的基础原理和典型的实验方法－场梯度加波方法和自旋回波方法之后，分别介绍了近年来快速成像，流体成像，化学移位成像和磁化率成像等方面的新进展。     

熔融织构的YBCO超导体的交流磁化率频率响应

在涡漩玻璃理论的基础上，我们推导出了交流磁化率的虚部峰值温度和频率的标度方程，可表示为Tp=Cf^1/（v（z-1））．实验结果表明我们的标度方程和实验符合得很好．利用标度方程可以确定样品在磁场下的涡漩玻璃转变温度Tg和指数v（z-1）的数值．     

Bi系（2223）银包套超导带的A.C.磁化率研究

分别测量高 T_c(2223相)BSCCO 银包套超导带的交流磁化率实部 X′-T 和虚部 X″-T 曲线与交流场振幅的关系,其虚部损耗峰高度及对应的温度随交流场振幅增加分别有上升和下降的趋势.当磁场垂直样品 c 轴(平行样品 c 轴)时,损耗峰的移动幅度小于平行时的移动.     

重费密子体系的磁化率反常

作者之一提出重费密子体系是一种f电子可以随温度变化的Kondo体系,f电子被束缚在费密面附近的一个窄带上,由此模型,本文在理论上给出磁化率随温度的变化关系,统一地解释了磁化率的各种反常,理论的数值计算给出了八种重费密子的磁化率,它们都与实验曲线较好地符合,同时讨论了重费密子体系的磁化率对样品的依赖性。 关键词：     

修正的Thomas-Fermi模型及惰性气体原子抗磁磁化率的计算（Ⅰ）

 在本文中，我们在Thomas-Fermi（TF）及Thomas-Fermi-Amadi（TFA）模型下，选用Jensen的试验密度函数，在考虑到TF模型所确定的密度渐近行为情况下，计算了惰性气体原子Ne、Ar、Kr、Xe、Rn的抗磁磁化率。计算表明，考虑密度渐近行为式是必要的，并给出了较以往的同类计算更好的结果。     

交流磁化率方法研究磁通钉扎能与电流关系

本介绍如何利用交流磁化率测量高温超导体与电流密度Ｊ，直流场Ｈｄ和温度Ｔ有关的磙通钉能Ｕ。根据磁通扩散理论和随外场变化的交流磁化率虚部ｘ峰温的系统实验研究，就可以得到上述能量函数，对掺Ｐｂ和Ｂａ的ＴｌＳｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｙ超导体的系统交流磁化率的测量和分析得到的结果Ｕ。     

超导混合态椭球的交流磁化率

本文研究了处于混合态非均匀磁化的高温超导椭球在线性响应区的交流磁化率，给出了不同离心率的非均匀磁化椭球在直流磁场和小交流磁场中的交流磁化率的解析解析阐明了样品几何形状（退磁因子）对交流磁化率的影响文中研究了处于超地椭球的交流磁化率。     

铁磁性设备补偿磁场的数学模型及其应用

研究用永磁体对铁磁性设备进行磁场补偿的问题,建立了补偿磁场的数学模型.将设备划分成若干个小长方体后,基于磁矩量法建立了数学模型,并对补偿磁场进行拟合.在计算模型中的耦合系数矩阵时,用多个点的平均值作为耦合系数的有效值,提高了计算结果的可靠性和稳定性.并且,针对永磁体距离设备很近时,设备呈现出的非线性磁化特性,通过优化方法求解各个单元的等效磁化率,这种方法不需要知道铁磁材料的磁化曲线和设备结构,便于计算和实际应用.最后,通过实验设计与数值计算,得到了永磁体对设备进行补偿的磁场分布,模型计算结果与实际测量数据误差11%以内,这说明该模型能够满足工业要求,具有实际应用价值.     

Enhancement of Second- and Third-Order Nonlinear Optical Susceptibilities in Magnetized Semiconductors

Using electromagnetic treatment, an expression of effective nonlinear optical susceptibility χe [= χe^（2） ＋ χe^（3） E] is obtained for Ⅲ-Ⅴ semiconducting crystals in an applied transverse dc magnetic fieM under off-resonant transition regime. The origin of nonlinear interaction lies in nonlinear polarization arising from the crystal properties such as piezoelectricity and electrostriction. Numerical estimates have been made by a representative n-InSb crystal at 77K duly irradiated by a pulsed 10.6-μm CO2 laser under off-resonant transition regime. Efforts are dedicated to optimizing doping level and externally applied dc magnetic field to achieve maximum χe^（2） and χ3^（3）. The results are found to be in good agreement with the available literature. The analysis shows that χe^（2） and χe^（3） can be significantly enhanced in doped Ⅲ-Ⅴ semiconductors by the proper selection of doping concentration and dc magnetic field, which confirms its potential as a candidate material for the fabrication of nonlinear optical devices.