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991.
Microstructure and Optical Properties of AgxO Prepared by Direct-Current Magnetron-Sputtering Method 下载免费PDF全文
Two series of AgxO films are prepared on glass substrates by dc magnetron-sputtering method at room temperature and 90℃ under different oxygen to argon gas ratio (OAR) conditions. The mierostrueture is investigated by XRD and SEM in order to obtain the information on the component evolution of AgO+Ag2O to Ag2O. Its optical properties are investigated by reflectance and absorption spectroscopy to extract the information on metallic and dielectric behaviour evolution of Ag2O, AgO and silver particles and the interband transition. The results indicate that the AgxO film prepared at room temperature is mainly made up of AgO and Ag2 O clusters while Ag2O is the primary component of AgxO prepared at 90℃. The AgxO film mainly consisting of the primary component shows indirect interband transition structure occurring at 2.89eV. Combination of increasing OAR and substrate temperature is an effective method to lower the threshold of thermal decomposition temperature of AgxO and to deal with the bottleneck of short-wavelength optical and magneto-optieM storage. 相似文献
992.
Improvement of High Temperature Characteristics for SiGeC p-i-n Diodes with Carbon Incorporation 下载免费PDF全文
Temperature-dependent characteristics of SiGeC p-i-n diodes axe analysed and discussed. Based on the ISE data, the temperature-dependent physical models applicable for SiGeC/Si diodes are presented. Due to the addition of carbon into the SiGe system, the thermal stability of SiGeC diodes are improved remarkably. Compared to SiGe diodes, the reverse leakage current of SiGeC diodes is decreased by 97.1% at 400 K and its threshold voltage shift is reduced over 65.3% with an increasing temperature from 300 K to 400 K. Furthermore, the fast and soft reverse recovery characteristics are also obtained at 400 K for SiGeC diodes. As a result, the most remarkable feature of SiGeC diodes is the better high-temperature characteristics and this can be applied to high temperature up to 400 K. 相似文献
993.
Blue-to-Orange Tunable Luminescence from Europium Doped Yttrium--Silicon--Oxide--Nitride Phosphors 下载免费PDF全文
Europium-doped yttrium-silicon-oxide-nitride phosphors are synthesized by carbothermal reduction and nitridation method. The crystal structure of the phosphors changed gradually from oxide Y2Si2O7 to nitride YSi3N5 state with increasing dosage of Si3N4 and carbon powder. The Y2Si2O7:Eu phosphor shows a blue emission at 465 nm with 300 nm excitation and a characteristic red emission of Eu^3+ at 612 nm with 230 nm excitation. The YSi3N5:EU phosphor shows a broad emission band centred at 595nm with some sharp peaks of Eu^3+ with 325nm excitation. The absorption of the studied phosphors increases from 450 to 700hm with an increment in nitrogen content. Blue-to-orange tunable luminescence is observed with 390 nm excitation. 相似文献
994.
X型簧片哨超声乳化强化器是根据对簧片哨工作特性的研究并结合工业应用的实际要求而定型设计的,它除具有结构简单、工作牢靠、成本低等簧片哨一般优点外,其最大特点在于采用适当低弯曲刚度的簧片,因而能在宽喷口厚度(可达2mm)、宽工作压力范围(4-8kg/cm~2)下稳定工作并获取高声强和强空化场, 相似文献
995.
根据Brownstein-Tarr理论,采用特征函数展开法,通过求解基于扩散效应的Bloch控制方程,给出了油水饱和球管孔隙模型弛豫的理论计算公式.理论计算结果表明,在水润湿条件下,油的弛豫过程只与含油饱和度有关,而与岩石的孔隙结构无关.根据理论计算结果对球管模型中水的弛豫进行了数值模拟,模拟结果显示,球和管的主弛豫过程是一个单指数函数,其余部分与之相比可以忽略,即球管模型中水的弛豫可近似为一个双指数衰减过程.
关键词:
核磁共振
弛豫
球管孔隙模型
Bloch控制方程 相似文献
996.
997.
分别在HF水溶液、含NH4F和H2O的乙二醇有机溶液中对Ti箔进行阳极氧化,得到TiO2纳米管阵列结构.该结构高度有序、分布均匀、垂直取向,且通过阳极氧化工艺条件(如阳极氧化电压、电解液的选择与配比以及氧化时间等)可实现对其结构参数(如管径、管壁厚度、管密度、管长等)的有效控制.利用XRD研究了TiO2纳米管阵列的物相结构.结果表明:退火前的TiO2纳米管阵列为无定形结构;分别在真空和氧气氛中5I)0℃退火后,HF水溶液中制备的样品出现单一锐钛矿相,页在含NH4F和H2O的乙二醇有机溶液中氧化得到的样品则出现锐钛矿和金红石的混合相.前者在氧气氛中退火后锐钛矿晶化程度较高;后者在真空中退火后混合相的品化程度也较高.初步分析了TiO2纳米管阵列的形成机理.这些结果对基于TiO2,纳米管阵列的传感器及有机一无机异质结太阳电池的应用研究是非常有益的. 相似文献
998.
999.
研究了钴碳核壳微球在超临界二氧化碳体系中的合成过程. 在密闭的不锈钢高压反应釜中,适量的二茂钴和干冰在350 oC下,反应12 h后合成直径大约1 μm的钴碳核壳微球。通过X射线衍射、X射线光电子谱、透射电子显微镜、傅利叶红外光谱(FT-IR)以及拉曼光谱的分析,钴碳核壳微球是由直径小于1 μm的非晶钴核和厚度约为200 nm的非晶碳壳组成. 其生长机理可能是:二茂钴在超临界二氧化碳体系中的热分解,带单电子的碳原子或基团由于磁性作用沉积在磁性的钴核上. 由于非晶碳壳的存在,钴碳核壳微球的磁饱和强度141. 相似文献
1000.