甚高频等离子体增强化学气相沉积法沉积μc-Si∶H薄膜中氧污染的初步研究

对不同的本底真空条件下,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积的氢化微晶硅（μc_Si∶H）薄膜中的氧污染问题进行了比较研究.对不同氧污染条件下制备的薄膜样品的x射线光电子能谱与傅里叶变换红外吸收光谱测量结果表明：μc_Si∶H薄膜中,氧以Si—O，O—O和O—H三种不同的键合模式存在,不同的键合模式源自不同的物理机理.μc_Si∶H薄膜的Raman光谱、电导率与激活能的测量结果进一步显示：沉积过程中氧污染程度的不同,对μc_Si∶H薄膜的结构特性与电学特性产生显著影响；而不同氧污染对μc_Si∶H薄膜电学特性的影响不同于氢化非晶硅（a_Si:H）薄膜. 关键词： 氢化微晶硅薄膜 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氧污染     

ICP-AES同时测定混合矿物素中的磷、钙、铁、铜、锌、锰、镁、钴

采用ICP－AES法测定混合矿物素中的磷、钙、铁、铜、锌、锰、镁、钴元素含量，并对样品的溶解酸和酸用量、元素分析线的选择以及共存元素间的干扰进行了研究。该法简便、快速，精密度和准确度较好。     

Emittance Measurements for Beams Extracted from LECR3 Ion Source

High quality ion beams are required by IMP cyclotron and atomic physics research, so it is important to research and measure beam emitt ance of ECR ion source. Intense beams extracted from ECR ion source usually have low energy, so it is suitable to use Electric-Sweep Scanner to measure the emittance. This kind of measurement is popularly used at ECR ion source, and it has some prominent merits such as high accuracy, very short time of data processing and easy expressing of the emittance pattern. So we designed and built this emittance scanner to measure emittance of the ion beams produced by LECR3 ion source. The structure of the ESS is shown in Fig.l, and the photo of the ESS is shown in Fig.2.     

谈普朗克质量

简要介绍了普朗克于1912年提出的三个基本物理量：普朗克质量、普朗克长度和普朗克时间，它们巳被列入1986和1998年基本物理常数表，该文只讨论普朗克质量，假定原子核内存在量子化的核力场，命名其场量子为“引斥子”，其质量推算出恰好等于普朗克质量，由此可用4个耦合常数定量地描述四种相互作用的强度比，从而还可找到一种测定G的新方法。     

红外光谱中溶剂效应机理初探——配位机制的提出

本文就红外光谱中溶剂效应机理提出了溶质和溶剂分子间的瞬时配位作用机制，认为同－溶质在不同溶剂中的振动波数不同，是由于这种瞬时配位作用改变了溶质价电子运动状态所致。据此提出了溶剂效砂的定量关系式，测定了七种溶剂配位效应常数。用这一套经验参数处理了几种取代苯甲酸的羰基伸缩振动的溶剂效应，得较好的线性关系。还发现羰基的振动波数与取代基的Ｈａｍｍｅｔｔ常数σ之间，羰基伸缩振动对溶剂效应的敏感度与σ之间，Ｈ     

同步辐射光电子能谱表征MgO在GaAs（100）上淀积过程中的氧物种

用同步辐射光电子能谱表征了不同氧分压下通过热蒸发镁在ＧａＡｓ（１００）面制备氧经物超薄膜过程中的氧物种，结果表明表面氧物种的形式与镁氧配比有关，较高的氧分压下于形成活泼的分子离子等氧中间体，因此通过控制镁氧比可以制备高效的薄膜模型催化剂或适合于功能材料集成的规则氧化物过渡层，氧物种的形式可以通过能谱中不同的原子或分子轨道电子跃迁来有效地区分。