Nanoporous Structure in Low-Dielectric Films with Positronium Annihilation Lifetime Spectroscopy

We investigate nano-porous structures in thin low-dielectric films, i.e. the pore sizes, distributions, and interconnectivity, by using depth profiled positronium annihilation lifetime spectroscopy (PALS). It is found that PALS has good sensitivity to probe both interconnected and closed pores in the range from 0.3nm to 3Onto, even in the film buried beneath a diffusion barrier. A series of low dielectric constant films of organosilicon-silsequioxane with different weight percentages of porogen have been comparatively investigated. The PALS technique can be used to distinguish the open porosity from the closed one, to determine the pore size, and to detect the percolation threshold with the increasing porosity that represents the transition from closed pores to interconnected pores.Furthermore, the pore percolation length can be derived.     

镍中氢与缺陷互作用的正电子寿命和多普勒展宽研究

采用正电子寿命和多普勒展宽技术研究了退火、回复及冷轧镍中氢与缺陷的互作用．结果表明：冷轧镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数上升，并且寿命谱的两成分拟合出现一个390ps的长寿命分量；而退火及回复镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数均不改变．因此认为冷轧镍充氢后正电子参数（平均寿命和S参数）的上升取决于氢和空位的互作用，与氢和位错的互作用无关；氢空位对也可以作为聚集空位的核心 关键词：     

求解极限环的谱展开法

提出了一种求解自治非线性常微分方程周期解的方法－谱展开法，它直接把解形式上写成Ｆｏｕｒｉｅｒ级数，其频率和各谐波成份待定，而将原非线性微分方程问题变换成求解相应的非线性代数方程组，还以ａｖｎ ｄｅｒ Ｐｏｌ方程和神经元群平均场方程为例对该方法进行说明和讨论。     

溴分子[^2Π3／2]4d里德堡态的转动谱的计算模拟

对溴分子在６８８００－７２００ｃｍ＾－１范围内的两个被观察到的［＾２Π３／２］４ｄ偶宇称里堡态的转动光谱进行了计算模拟，确定了转动常数，并且证实了原先对实验光谱的传动结构和电子角动量的标识。     

硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶性质的研究

利用硅团簇Si+n(n=1-3)注入Si单晶, 在Si单晶内形成一些单空位和双空位, 通过其光吸收谱观察到了带电状态为V02的双空位缺陷, 以及团簇效应对缺陷的影响, 正电子湮灭及TRIM程序模拟计算都表明团簇效应的存在.     

用2D-NMR研究暗霉素T的化学结构

该文用NMR方法研究暗霉素T的化学结构.从1D谱和几种2D技术确认了暗霉素T是氨基糖苷类化合物.讨论了化合物的构型,并通过改变溶剂推断了氨基的连接位置.