WO3掺杂的La2/3Sr1/3MnO3电输运与磁电阻特性

通过溶胶-凝胶法制备了La2／3Sr1／3MnO3＋xWO3（x=0～25％）系列多晶陶瓷样品．结果表明。随着WO3掺杂量的增加，样品的电阻率增大，金属-绝缘体相变温度（Tp）值下降．在1．4T磁场下，当0≤x≤12．5％时，样品的室温磁电阻值从5％增大到15％，提高了200％．当12．5％〈x≤25％时，室温磁电阻值从15％降低到0．这对磁电阻材料在室温下的应用提供实验依据．     

极性晶体内表面电子的量子像势及其极化子的有效势

本文从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手，应用二支模型理论，分别对GaAs和ZnO两种材料计算了内表面电子的量子像势及其极化子的有效势。计算结果表明：当Z很小时，经典像势和半经典有效势分别与量子像势和量子有效势相差较大；当Z很大时，经典像势和半经典有效势分别是量子像势和量子有效势的一个很好的近似。     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.     

硬盘驱动器巨磁电阻(GMR)磁头:从微米到纳米

近年来电脑硬盘存储密度的飞速增长(年增长100％)已超出摩尔定律的预言．这种惊人的高速增长中，最关键的因素是自旋阀纳米多层膜结构，即巨磁电阻(GMR)读传感器磁头的应用．事实上，巨磁电阻磁头读传感器(reader sensor)已经实现由微电子器件向纳米电子器件转化，并且形成大规模产业．这一过程包含了自旋电子学、材料科学、微电子工程学、化学、微机械力学和工程学等诸学科和相关微加工技术综合性挑战极限，进入纳米科技领域实质性进步．     

用实验室常用电表测量电感线圈和直流电阻箱的交流损耗电阻

1引言在RIAf串联iff振实验中，由于电感线圈和直流电阻箱（因高频电阻箱价格高、取材困难，众多教科书上往往以直流电阻箱取代）所引起的交流损耗电阻的影响，使Q的计算值总是大于它的测量值，如何克服交流损耗电阻所带来的不可忽略的影响，已有许多文献介绍了他们的尝试．以厂是我们对这些问题的看法和探讨；其一，“替代法””‘是在电路谐振时，用一个直流电阻箱替代原谐振电路，选择某一阻值，使电阻箱端电压恢复到原电路谐振状态时的数值，则电阻箱示值即为电路总损耗电阻．实验中我们发现，受电表灵敏度的限制，在替代过程中有数欧…     

电阻温度系数的微机测定系统

本文介绍一种电阻温度系数微机测定实验的系统。     

气密性碳涂覆光纤筛选强度与电阻关系研究

通过实验分析确立了把光纤电阻作为衡量气密性碳涂覆光纤通过２％应变筛选的过渡标准。要拉制２％应变筛选的碳涂覆光纤，其电阻值应小于３０ｋΩ／ｃｍ。     

动态核极化核磁共振波谱学

正在发展的固体高分辨动态核极化（ＤＮＰ）技术是核磁共振波谱学中一个崭新的分支．ＤＮＰ是一种电子－核的双共振技术，它利用未配对电子与核的相互作用，在强磁场下用微波激发自由电子跃迁，使相关核的自旋能级分布发生极化，不仅大大增强了核磁共振方法的灵敏度，还提供了微观电子结构的宝贵信息，具有相当重要的理论研究及实际应用价值．目前，ＤＮＰ方法的应用日益广泛，已成为核磁共振波谱学中一种重要的手段．     

1．5GHz锯材超导腔的研制

介绍铌材超导腔的研制进展，重点讨论了国产铌腔的材料改性，以及相应的超导腔性能的改进．叙述了１．５ＧＨｚ铌腔的腔形设计，分析了铌材的射频性能和机械性能，制定了铌腔制作与后处理的特定工艺．最后给出了１．５ＧＨｚ铌材超导腔的低温实验结果．     

三维超分子配合物[MoO_2(OCH_2C_5H_4N)_2]制备、晶体结构及三阶非线性光学性质

Na_2MoO_4·2H_2O和2-氯甲基吡啶在水中反应得到了超分子化合物：[MoO_2 (OCH_2C_5H_4N)_2]。其单晶结构测试表明：该化合物含有两种均为6配位的但化学 环境不同的Mo(1)和Mo(2)原子；由此两种钼原子构成的中性配合物[Mo(1)O_2 (OCH_2C_5H_4N_2)]和[Mo(2)O_2(OCH_2C_5H_4N)_2]分别通过氢键O…H-C及吡啶环 间的π-π堆积作用形成了二维的A层和B层，A层与B层之间又在层间氢键的作用下 交错形成了三维的网状固态结构。用Z-scan法在DMF溶液中测试了该化合物的三阶 非线性光学性能，发现它有强的非线性吸收(α_2 = 1.92 * 10~(-9) m·W~(-1)) ，非线性极化率X~((3)) = 1.21 * 10~(-12) esu。