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31.
根据吸光度比-光谱曲线,选定215.7 nm及264.1 nm作为测定氯唑沙宗(CRXZ)和对乙酰氨基酚(ACAP)的波长对。制备标准曲线时,首先配制由CRZX和ACAP基准物配制的标准溶液和由两者配成的混合标准系列,并在上述两波长处分别测得各试液的吸光度,再用文中提供的公式计算吸光度比值R和吸光度之差ΔR,最后建立ΔR对CRZX或ACAP浓度之间的线性回归方程。分析试样时,取复方氯唑沙宗片适量溶于溶剂中并定量稀释。分取部分试液按制备标准曲线的方法测得试液的吸光度并计算其比值R和ΔR。根据相应回归方程计算相应组分的含量。精密度及回收率试验所得结果的RSD(n=7)值为1.28%(CRXZ)及0.84%(ACAP),两者的平均回收率均为100.0%。 相似文献
32.
光纤药物原位溶出度/释放度监测仪实时监测复方氯唑沙宗片体外溶出度 总被引:1,自引:0,他引:1
研制了光纤-光学传感-药物溶出监测仪并应用于复方氯唑沙宗片的实时-原位体外溶出度.分支光纤的一端与光源相接,另一端与检测器连接,其公共端部探头浸入于盛于溶出杯中的溶解液中.借联机的计算机进行数据记录及处理,对复方氯唑沙宗片的组分对乙酰氨基酚和氯唑沙宗的回收率在低、中、高三个浓度水平进行了试验,结果依次为98.3%,102.3%和103.1%及108.6%,98.7%和97.7%,其相应的RSD值为1.0%,1.4%和0.4%及1.7%,1.6%及1.3%.应用此监测仪对药片的溶出全过程进行了监控,并显示了药物的溶解曲线,相关的溶出参数可随时提取.试验证明,使用该仪器可获得药物溶出全过程的真实情况的信息. 相似文献
33.
用自组装方法可以在单晶硅表面获得稀土纳米薄膜,得到的薄膜通过XPS,偏振光椭圆率测量仪、角接触仪、AFM等手段表征。通过滑动摩擦实验,可以测试稀土薄膜的界面粘附力。通过DF-PM型复复摩擦磨损试验机,考察稀土纳米薄膜的摩擦磨损特性。实验结果表明,稀土纳米薄膜具有低摩擦系数和高抗磨损特性。稀土纳米薄膜具有纳米级尺度、强界面结合力和低表面能,使其成为MEMS装置固体润滑的理想选择。 相似文献
34.
35.
研究了水溶液中双环[2,2,1]-2,5庚二烯-2,3-二羧酸在吖和吖啶橙的敏化作用下的光诱导价键异构化反应。量子效率分别为0,33(AY)和0,31(AO)。 相似文献
37.
采用了研磨后超声和离心分离方法制备了二硫化钼纳米片,通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对不同离心速度分离的二硫化钼纳米片进行了表征。使用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)在磺胺甲恶唑溶液中对二硫化钼纳米片修饰的玻碳电极进行了电化学行为研究。结果显示,磺胺甲恶唑在二硫化钼修饰电极的循环伏安图上有一对氧化还原峰。其峰电流值与扫描速度的平方根成正比,是扩散控制过程。DPV扫描结果显示,磺胺甲恶唑的峰电流与其浓度之间存在着明显的线性关系。研磨超声方法制备出的二硫化钼纳米片层材料在电极上能够加速电子的转移和传输,从而有效提高峰电流值,为进一步研制准确测定磺胺甲恶唑电化学传感器提供了一种可选择的材料和电化学分析方法。 相似文献
38.
首先采用溶液法在碳布上生长Co-MOF二维纳米片,通过高温退火和刻蚀后得到MOF衍生多孔碳纳米片。以Co-MOF衍生的多孔碳纳米片/碳布(CNS/CC)作为碳基骨架,采用电化学沉积法负载高活性氮掺杂石墨烯量子点(N-GQDs),制备得到分级多孔结构的N-GQD/CNS/CC复合材料。组装成自支撑且无粘结剂的N-GQD/CNS/CC电极,当电流密度为1 A·g~(-1)时,其比电容高达423 F·g~(-1)。通过储能机制和电容贡献机制的研究表明,在碳纤维上原位生长的具有高双电层电容的CNS和表面负载具有高赝电容的N-GQDs之间相互协同作用,使得N-GQD/CNS/CC电极具有高电容性能,是一种理想的超级电容器电极材料。电极材料的高导电、分级多孔结构有利于电子的传输和电解质离子的扩散,具有良好的动力学性能,能快速充放电和具有优异的倍率特性。将电极组装成对称型超级电容器,功率密度为250 W·kg~(-1)时对应的能量密度达到7.9 Wh·kg~(-1),且经过10 000次循环后电容保持率为91.2%,说明氮掺杂石墨烯量子点/MOF衍生多孔碳纳米片复合材料是一种电化学性能稳定的具有高电容性能的全碳电极材料。 相似文献
39.
太赫兹片上系统是将太赫兹的产生、传输和探测都集中在一个几平方厘米的基片上,线宽及间距达到微米量级,具有集成化程度高、系统尺寸小、稳定性好以及操作简便的特点,有利于与微量样品检测技术相互结合。研究采用HFSS软件对共面波导和共面带状线两种太赫兹共面传输线进行了仿真计算,通过优化传输线的宽度、长度、基底的厚度等关键几何参数确定出最佳的传输线结构;研究工作重点对太赫兹波段的共面带状线结构进行了设计和优化,实现了在介电常数很小的BCB基底上的低损耗传输。所得到的最佳结构参数为线宽及间距均为20μm,此结构为后续片上系统实物芯片的制作提供了参数依据。 相似文献