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81.
采用固-液两相混合,使Nd2o3、Y2O3和V2O5在近常温条件下初步合成Nd:YVO4多晶原料,降低固相合成反应温度,减少V2O5在多晶原料制备过程中的挥发。讨论了α方向V单晶生长条件,采用提拉法,以(100)方向进行单晶生长,得到一系列掺杂浓度的Nd:YVO4单晶。 相似文献
82.
Quantum State Transfer between Two Distant Atoms by Connecting Two Cavities via Optical Fibres 下载免费PDF全文
A scheme is proposed to unconditionally implement state transfer between two distant atoms by sending the atoms across two distant cavities connected via an optical fibre, respectively. The field state, which preserves the information about the first atom, is transmitted from one cavity to the other along the fibre. A Faraday rotator integrated in the fibre can be designed to completely stop the fields reflected from the second cavity, thus after the field interacts with the second atom for a defined time, the state transfer can be accomplished with unit efficiency. 相似文献
83.
本文对近20年来多复变函数的一个发展迅速的数学热门分支-逆紧映照作了一个回顾和整理。这是作者继续从事此方向研究的先声,也希望本文能为有志于此的研究者提供一些便利。本文从经典的结果开始,通过对逆紧映照在边界上的开拓及分支点的分布的讨论,详细地阐述了这些年来关于逆紧映照何时成为双全纯映照的若干结果。最后,对近年来关于逆紧映照另外的一些工作进行了简单的介绍。 相似文献
84.
厄米—双曲余弦—光斯光束的瞄准稳定性 总被引:2,自引:1,他引:1
用失调叠加积分的方法,对厄米-双曲余弦-高斯光束的瞄准稳定性作了研究,得到了厄米-双曲余弦-高斯光束失调因子|ηm|^2的精确解析公式和近似解析公式,并用数值计算了相对横向偏移和相对角向偏移对失调因子|ηm|^2的影响以及对精确解析公式和近似解析公式的适用范围作了分析和说明。 相似文献
85.
当代科技发展的主流是综合化、整体化,表现出各学科之间互相渗透、相互交叉的趋势.开展综合测试,有利于打破学科间的隔离状态,给学生提供完整的世界图像; 相似文献
86.
用过氧聚钨酸(PPTA)水溶液,通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜,利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料,具有很高的利用价值。 相似文献
87.
88.
89.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 相似文献
90.
本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70~80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。 相似文献